[發明專利]具有經改良腐蝕抗性的功能鉻層

有效

• 申請號: 201480020384.1
• 申請日: 2014-01-22
• 公開（公告）號: CN105102686B
• 公開（公告）日: 2017-03-08
• 發明（設計）人: 西貝斯提恩·菲斯坦霍爾;緹那·艾克瑟尼爾;戴維·艾爾維瑞茲;馬西亞斯·羅斯特
• 申請（專利權）人: 德國艾托特克公司
• 主分類號: C25D3/10
• 分類號: C25D3/10;C25D3/56
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司11287
• 代理人: 林斯凱

1.一種用于沉積功能鉻層的水性電鍍浴，其包含

(i)鉻(VI)離子源，

(ii)硫酸根離子源，和

(iii)甲烷-三磺酸或其鹽。

2.根據權利要求1所述的用于沉積功能鉻層的水性電鍍浴，其中鉻(VI)離子的濃度在80g/l到600g/l的范圍內。

3.根據前述權利要求中任一權利要求所述的用于沉積功能鉻層的水性電鍍浴，其中硫酸根離子的濃度在1g/l到15g/l的范圍內。

4.根據前述權利要求中任一權利要求所述的用于沉積功能鉻層的水性電鍍浴，其中所述甲烷-三磺酸的鹽是選自鈉、鉀和銨鹽。

5.根據前述權利要求中任一權利要求所述的用于沉積功能鉻層的水性電鍍浴，其中所述甲烷-三磺酸或其鹽的濃度在2mmol/l到80mmol/l的范圍內。

6.根據前述權利要求中任一權利要求所述的用于沉積功能鉻層的水性電鍍浴，其包含甲烷-三磺酸和一或多種選自包含以下的群組的其它烷基-磺酸：甲烷-磺酸、甲烷-二磺酸、乙烷-磺酸、1,2-乙烷-二磺酸、丙基磺酸、1,2-丙烷-二磺酸、1,3-丙烷-二磺酸和1,2,3-丙烷-三磺酸。

7.根據前述權利要求中任一權利要求所述的用于沉積功能鉻層的水性電鍍浴，其中所述電鍍浴進一步包含選自由以下組成的群組的表面活性劑：全氟化磺酸鹽表面活性劑、全氟化磷酸鹽表面活性劑、全氟化膦酸鹽表面活性劑、部分氟化磺酸鹽表面活性劑、部分氟化磷酸鹽表面活性劑、部分氟化膦酸鹽表面活性劑和其混合物。

8.根據權利要求7所述的用于沉積功能鉻層的水性電鍍浴，其中表面活性劑的濃度在0.05g/l到4g/l的范圍內。

9.一種用于將功能鉻層沉積到金屬襯底上的方法，其以此順序包含以下步驟：

(i)提供金屬襯底，

(ii)使所述襯底與根據權利要求1到8中任一權利要求所述的水性電鍍浴接觸，和

(iii)將外電流施加到作為陰極的所述襯底并且從而將功能鉻層沉積到所述襯底上。

10.根據權利要求9所述的用于將功能鉻層沉積到金屬襯底上的方法，其中在使用期間將所述水性電鍍浴保持在10℃到80℃的范圍內的溫度下。

11.根據權利要求9和10所述的用于將功能鉻層沉積到金屬襯底上的方法，其中在使用期間將在10A/dm²到250A/dm²的范圍內的電流密度施加到所述金屬襯底。

12.根據權利要求9到11中任一權利要求所述的用于將功能鉻層沉積到金屬襯底上的方法，其中在步驟(iii)中使用惰性陽極。

13.根據權利要求12所述的用于將功能鉻層沉積到金屬襯底上的方法，其中所述惰性陽極具有選自由鉑金屬、氧化銥和其混合物組成的群組的表面。

14.根據權利要求12和13中任一權利要求所述的用于將功能鉻層沉積到金屬襯底上的方法，其中所述水性電鍍浴進一步包含選自由銀、鉛和其混合物組成的群組的另一金屬的陽離子。

15.根據權利要求14所述的用于將功能鉻層沉積到金屬襯底上的方法，其中所述另一金屬的陽離子的濃度在0.005g/l到5g/l的范圍內。