[發(fā)明專利]光發(fā)電裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201480017109.4
• 申請日: 2014-03-14
• 公開（公告）號: CN105103307B
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 小林英治
• 申請（專利權(quán)）人: 長州產(chǎn)業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L31/0747
• 分類號: H01L31/0747;H01L31/20
• 代理公司: 北京信慧永光知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11290
• 代理人: 周善來,李雪春

1.一種光發(fā)電裝置，其具備：多層狀的光伏元件；以及層疊在所述光伏元件的一個面上的第一集電構(gòu)件和層疊在另一個面上的第二集電構(gòu)件，

所述光伏元件具有：n型晶體半導(dǎo)體基板；依次層疊在所述n型晶體半導(dǎo)體基板的所述第一集電構(gòu)件側(cè)的第一本征非晶系硅薄膜、p型非晶系硅薄膜和第一透明導(dǎo)電膜；以及依次層疊在所述n型晶體半導(dǎo)體基板的所述第二集電構(gòu)件側(cè)的n型非晶系硅薄膜和第二透明導(dǎo)電膜，

所述第一集電構(gòu)件具有：多個母線電極I，以彼此平行的方式形成；以及多個指狀電極I，與所述母線電極I連接，以彼此平行的方式形成，

所述第二集電構(gòu)件具有：多個母線電極II，以彼此平行的方式形成；以及多個指狀電極II，與所述母線電極II連接，以彼此平行的方式形成，

所述光發(fā)電裝置的特征在于，所述p型非晶系硅薄膜的膜厚為1nm以上且小于5nm，

所述第一透明導(dǎo)電膜表面中的所述第一集電構(gòu)件的非層疊區(qū)域的最大寬度小于2mm，

所述指狀電極I的間隔為0.1mm以上且小于2mm，

所述n型非晶系硅薄膜的膜厚為3nm以上且為10nm以下，

所述指狀電極II的間隔大于2mm且為4mm以下。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光發(fā)電裝置，其特征在于，所述第一透明導(dǎo)電膜是通過離子鍍法形成的。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光發(fā)電裝置，其特征在于，所述第二集電構(gòu)件側(cè)被用作光入射面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光發(fā)電裝置，其特征在于，所述第一集電構(gòu)件側(cè)被用作光入射面。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光發(fā)電裝置，其特征在于，具有第二本征非晶系硅薄膜，所述第二本征非晶系硅薄膜層疊在所述n型晶體半導(dǎo)體基板和所述n型非晶系硅薄膜之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光發(fā)電裝置，其特征在于，所述n型晶體半導(dǎo)體基板是通過外延生長法制造的。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光發(fā)電裝置，其特征在于，所述n型晶體半導(dǎo)體基板的電阻率為0.5Ωcm以上5Ωcm以下。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光發(fā)電裝置，其特征在于，所述n型晶體半導(dǎo)體基板的厚度為50μm以上200μm以下。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光發(fā)電裝置，其特征在于，所述n型晶體半導(dǎo)體基板的厚度為80μm以上150μm以下。