[發明專利]半導體晶粒封裝或載體裝載方法與相應的設備有效
| 申請號: | 201480015287.3 | 申請日: | 2014-02-05 |
| 公開(公告)號: | CN105247671B | 公開(公告)日: | 2017-12-22 |
| 發明(設計)人: | 約翰內斯·科內利斯·德北爾;米歇爾·亨德里克斯·安東尼斯·威廉默斯·呂滕;蓋爾·赫伊津;邁克·路易斯·西奧多·赫德馬克爾 | 申請(專利權)人: | 波斯科曼技術公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;B29C45/02 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金國,吳啟超 |
| 地址: | 荷蘭德*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 晶粒 封裝 載體 裝載 方法 相應 設備 | ||
1.一種半導體晶粒封裝方法,所述方法包括以下步驟:
提供第一工具部分(110),所述第一工具部分被構造與布置以在關聯于所述第一工具部分的多個位置處支撐多個半導體晶粒(10);
在所述關聯于所述第一工具部分的所述位置提供多個半導體晶粒;
提供第二工具部分(120),所述第一與第二工具部分的一個包括多個可位移插入元件(200),所述可位移插入元件被構造與布置以允許由每一可位移插入元件對在所述第一工具部分上所提供半導體晶粒的表面區域上施加壓力,所述關聯于所述第一工具部分的所述位置的每一位置都與一或多個可位移插入元件關聯;
將所述第一與第二工具部分(110、120)聯合,因此于所述第一與第二工具部分之間定義空間(130),所述半導體晶粒則布置于所述空間中;
使所述可位移插入元件(200)對所述半導體晶粒(10)的所述表面區域上施加力量;
監控由每一可位移插入元件所施加的力量;
將由每一可位移插入元件所施加的力量調節為預定力量;
分開所述第一與第二工具部分;以及
去除已處理半導體晶粒。
2.如權利要求1所述的方法,其中由每一可位移插入元件(200)所施加的力量是于比例積分微分(PID)控制下所調節,所述比例積分微分控制具備代表所述預定力量的設定點。
3.如權利要求1所述的方法,其中由每一可位移插入元件(200)所施加的力量是由在可膨脹裝置(400)中于每一可位移插入元件上所作用的流體壓力所提供。
4.如權利要求3所述的方法,其中相同的流體壓力作用于每一可位移插入元件(200)上。
5.如權利要求3所述的方法,其中所述可膨脹裝置(400)包括活塞(410)、伸縮囊與薄膜(350)的至少之一。
6.如權利要求1所述的方法,其中可位移插入元件(200)為傾斜,因此所述可位移插入元件的接觸表面與所述半導體晶粒(10)的表面平行對齊,于所述表面上由所述可位移插入元件施加力量。
7.如權利要求1所述的方法,其中所述方法進一步包括于所述半導體晶粒(10)及所述可位移插入元件(200)之間提供塑料薄膜的步驟。
8.如權利要求3所述的方法,其中所述可膨脹裝置(400)的可變形元件(350)作用于至少一可位移插入元件(200)上。
9.如權利要求8所述的方法,其中所述可變形元件(350)包括軟性材料。
10.如權利要求9所述的方法,其中所述軟性材料是硅氧樹脂材料。
11.如權利要求3所述的方法,其中所述可膨脹裝置(400)的平板(360)利用繞著中心點傾斜的方式,于二或三個可位移插入元件(200)上作用及施加相等的力量。
12.如權利要求1所述的方法,包括以下步驟:
在使所述可位移插入元件(200)對所述半導體晶粒(10)的所述表面區域上施加力量之后,引入液體狀態的封裝材料至所述空間(130)之中;
監控所述空間中的壓力;
將由所述可位移插入元件所施加的力量調節為所述預定力量,所述預定力量則與所述空間中所述壓力相關;以及
使所述封裝材料從所述液體狀態凝固為固體狀態。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





