[發(fā)明專利]新型稠合多環(huán)芳族化合物及其用途有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201480011277.2 | 申請日： | 2014-02-27 |
| 公開（公告）號： | CN105008374B | 公開（公告）日： | 2017-07-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 瀧宮和男;品村祥司;濱田雅裕;貞光雄一 | 申請（專利權(quán)）人： | 日本化藥株式會社 |
| 主分類號： | C07D495/04 | 分類號： | C07D495/04;H01L21/336;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40;H01L51/42 |
| 代理公司： | 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司11219 | 代理人： | 楊海榮,穆德駿 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 新型 稠合多環(huán)芳族 化合物 及其 用途 | ||
1.一種由通式(5)表示的稠合多環(huán)芳族化合物：
其中R1、R2、R3和R4各自獨立地表示氫原子、鹵族原子、取代的或未取代的脂族烴基、取代的或未取代的脂環(huán)族烴基、取代的或未取代的芳族烴基、取代的或未取代的烴氧基、取代的或未取代的酯基、取代的或未取代的酰基或者氰基。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的稠合多環(huán)芳族化合物，其中R3和R4是氫原子。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的稠合多環(huán)芳族化合物，其中R1和R2各自是具有1～30個碳原子的脂族烴基。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的稠合多環(huán)芳族化合物，其中R1和R2各自是具有1～30個碳原子的直鏈或支鏈烷基。
5.一種有機半導體材料，其包含根據(jù)權(quán)利要求1～4中的任一項所述的稠合多環(huán)芳族化合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機半導體材料，其中所述有機半導體材料是晶體管材料。
7.一種薄膜形成用組合物，所述組合物包含根據(jù)權(quán)利要求1～4中的任一項所述的稠合多環(huán)芳族化合物和有機溶劑。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜形成用組合物，其中相對于100重量份的所述有機溶劑，所述稠合多環(huán)芳族化合物的含量在0.01重量份以上且10重量份以下的范圍內(nèi)。
9.一種薄膜，所述薄膜包含根據(jù)權(quán)利要求1～4中的任一項所述的稠合多環(huán)芳族化合物。
10.一種有機半導體裝置，其包含根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機半導體裝置，其中所述裝置是有機晶體管裝置。
12.一種制造有機半導體裝置的方法，所述方法包括通過溶液法將根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的薄膜形成用組合物施加到基板上的步驟。
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