[發明專利]具有加強的大孔選擇性的沸石SSZ?57有效
| 申請號: | 201480010758.1 | 申請日: | 2014-02-25 |
| 公開(公告)號: | CN105026039B | 公開(公告)日: | 2017-08-22 |
| 發明(設計)人: | S·I·佐恩斯;C·陳;A·本尼 | 申請(專利權)人: | 雪佛龍美國公司 |
| 主分類號: | B01J29/86 | 分類號: | B01J29/86;C01B39/02;C01B39/36 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038 | 代理人: | 孫愛 |
| 地址: | 美國加*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 加強 選擇性 ssz 57 | ||
1.硼鋁硅酸鹽SSZ-57沸石,其中在所述沸石的框架內部大于或等于90%摩爾量的鋁原子位于形成12-環通道的部分結構內。
2.權利要求1的沸石,其中當所述沸石在50/50重量比的正己烷和3-甲基戊烷的進料中于316℃下進行40分鐘,所述沸石的約束指數為0.3至1.0,包括端值。
3.權利要求1的沸石,其中當所述沸石在50/50重量比的正己烷和3-甲基戊烷的進料中于316℃下進行40分鐘的約束指數試驗期間,所述沸石產生2.5到4.5的異C4/正C4重量比,包括端值。
4.權利要求1的沸石,其中所述沸石具有如下所述的組成:
5.通過包括下述步驟的方法制備的硼鋁硅酸鹽SSZ-57沸石,其中在所述沸石的框架內部大于或等于90%摩爾量的鋁原子位于形成12-環通道的部分結構內:
(a)制備反應混合物,所述反應混合物包含:(1)至少一種氧化硅源;(2)至少一種氧化硼源;(3)至少一種選自周期表中第1和2族中的元素源;(4)氫氧根離子;(5)選自正丁基-正環己基吡咯烷鎓陽離子,正丙基-N-環庚基吡咯烷鎓陽離子,正丁基-正環辛基吡咯烷鎓陽離子及其混合物中的結構導向劑;和(6)水;
(b)在足以形成硼硅酸鹽SSZ-57晶體的結晶條件下,維持所述反應混合物;
(c)將所述硼硅酸鹽SSZ-57晶體置于煅燒條件下;和
(d)用鋁替代煅燒過的硼硅酸鹽SSZ-57骨架的12-環通道內的至少一部分硼以提供硼鋁硅酸鹽SSZ-57,其特征在于在所述沸石的框架內部大于或等于90%摩爾量的鋁原子位于形成12-環通道的部分結構內。
6.權利要求5的沸石,其中當所述沸石在50/50重量比的正己烷和3-甲基戊烷的進料中于316℃下進行40分鐘,所述沸石的約束指數為0.3至1.0,包括端值。
7.權利要求5的沸石,其中當所述沸石在50/50重量比的正己烷和3-甲基戊烷的進料中于316℃下進行40分鐘的約束指數試驗期間,所述沸石產生2.5到4.5的異C4/正C4重量比,包括端值。
8.權利要求5的沸石,其中所述沸石具有如下所述的組成:
9.制備硼鋁硅酸鹽SSZ-57沸石的方法,其中在所述沸石的框架內部大于或等于90%摩爾量的鋁原子位于形成12-環通道的部分結構內,該方法包括下述步驟:
(a)制備反應混合物,所述反應混合物包含:(1)至少一種氧化硅源;(2)至少一種氧化硼源;(3)至少一種選自周期表中第1和2族中的元素源;(4)氫氧根離子;(5)選自正丁基-正環己基吡咯烷鎓陽離子,正丙基-N-環庚基吡咯烷鎓陽離子,正丁基-正環辛基吡咯烷鎓陽離子及其混合物中的結構導向劑(“SDA”);和(6)水;
(b)在足以形成硼硅酸鹽SSZ-57晶體的結晶條件下,維持所述反應混合物;
(c)將硼硅酸鹽SSZ-57晶體置于煅燒條件下;和
(d)用鋁替代煅燒過的硼硅酸鹽SSZ-57骨架的12-環通道內的至少一部分硼以提供硼鋁硅酸鹽SSZ-57,其特征在于在所述沸石的框架內部大于或等于90%摩爾量的鋁原子位于形成12-環通道的部分結構內。
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