[發(fā)明專利]具有低熱膨脹系數(shù)的頂部的基座結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201480010458.3
• 申請日: 2014-02-28
• 公開（公告）號: CN105009686B
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 雅各布·R·林德利
• 申請（專利權(quán)）人: 沃特洛電氣制造公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H05B3/26;C23C16/458
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王艷江;嚴(yán)小艷

1.一種用于在半導(dǎo)體處理中使用的支撐組件，包括：

施加基底；

加熱器層，所述加熱器層通過成層工藝直接地設(shè)置在所述施加基底上，使得所述加熱器層與所述施加基底直接接觸，所述成層工藝選自包括厚膜工藝、薄膜工藝、熱噴涂工藝以及溶膠-凝膠工藝的組；

絕緣層，所述絕緣層設(shè)置在所述加熱器層上；以及

第二基底，所述第二基底設(shè)置在所述絕緣層上，所述第二基底限定杯形形狀并且包括基部部分和周緣部，所述周緣部從所述基部部分豎向地延伸，所述第二基底限定有多個氣體通道，所述多個氣體通道延伸穿過所述周緣部的上表面，

其中，所述施加基底由具有與所述加熱器層的熱膨脹系數(shù)相匹配的相對低的熱膨脹系數(shù)的材料制成，

其中，所述第二基底的所述周緣部的所述上表面低于所述施加基底的上表面并且從所述施加基底的上表面露出，使得在所述施加基底的所述上表面與所述第二基底的所述周緣部的所述上表面之間限定有臺階。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的支撐組件，其中，所述施加基底由鋁硅合金制成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的支撐組件，其中，在處理期間，在所述施加基底的所述上表面上放置加熱對象，所述施加基底的所述上表面具有位于所述施加基底與所述加熱對象之間的化學(xué)隔離層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的支撐組件，其中，所述化學(xué)隔離層選自包括熱噴涂的陶瓷材料、薄膜式沉積的陶瓷材料、轉(zhuǎn)化涂層以及膠粘地結(jié)合的燒結(jié)陶瓷部件的組。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的支撐組件，其中，所述施加基底用作施加界面，所述施加界面待通過選自包括MIG、TIG、激光焊接、電子束焊接、銅焊、擴散結(jié)合以及附著結(jié)合的組的工藝被結(jié)合至加熱對象，其中，所述加熱對象設(shè)置在所述施加基底的與所述第二基底相反的一側(cè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的支撐組件，其中，所述施加基底由Osprey^TM受控膨脹(CE)合金制成。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的支撐組件，其中，所述施加基底具有可變化的成分使得所述施加基底的熱膨脹系數(shù)與所述加熱器層的熱膨脹系數(shù)相匹配。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的支撐組件，其中，所述施加基底包括化學(xué)隔離層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的支撐組件，其中，所述施加基底包括金屬層和位于所述金屬層上的化學(xué)隔離層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的支撐組件，其中，所述第二基底為用于提供吹掃氣體的氣體分配基底。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的支撐組件，其中，所述第二基底為用于對所述施加基底進行冷卻的冷卻基底。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的支撐組件，還包括連接至所述第二基底的基座。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的支撐組件，還包括氣體導(dǎo)管，所述氣體導(dǎo)管容納在所述基座中以將吹掃氣體提供至所述第二基底。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的支撐組件，還包括容納在所述基座中的真空導(dǎo)管。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的支撐組件，其中，所述施加基底限定多個真空夾緊通道。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的支撐組件，其中，所述施加基底限定用于容納接近銷的升降銷孔。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的支撐組件，其中，所述接近銷能夠移動以支撐晶片并將所述晶片放置在所述施加基底上。