[發明專利]三維存儲器的互連有效
| 申請號: | 201480009609.3 | 申請日: | 2014-02-18 |
| 公開(公告)號: | CN105074923B | 公開(公告)日: | 2017-11-21 |
| 發明(設計)人: | 丹沢徹 | 申請(專利權)人: | 美光科技公司 |
| 主分類號: | H01L27/11524 | 分類號: | H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578;G11C5/02;G11C5/06 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司11287 | 代理人: | 路勇 |
| 地址: | 美國愛*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 三維 存儲器 互連 | ||
1.一種用于三維存儲器的互連的設備,其包括:
材料堆疊,其包含多個材料對,材料對包含形成于絕緣材料上方的導電線,所述材料堆疊具有形成于在第一方向上延伸的一個邊緣處的階梯結構,階梯包含所述材料對中的一者;
第一互連,其耦合到階梯的所述導電線,所述第一互連在實質上垂直于所述階梯的第一表面的第二方向上延伸;
第二互連,其耦合到所述第一互連,所述第二互連在實質上垂直于所述第一方向及所述第二方向兩者的第三方向上延伸,其中所述第二互連實質上平行于位線;以及
第三互連,其耦合到所述第二互連,所述第三互連在與所述第二方向相反的方向上延伸,所述第三互連與所述第一互連實質上平行。
2.根據權利要求1所述的設備,其中所述第二互連未延伸超過在一個側上由所述材料堆疊定界且在第二側上由所述階梯結構定界的矩形區域。
3.根據權利要求1所述的設備,其中所述第三互連延伸到低于所述材料堆疊的高度。
4.根據權利要求1所述的設備,其進一步包括耦合到所述第三互連的第四互連,所述第四互連在所述第一方向上延伸。
5.根據權利要求1所述的設備,其進一步包括耦合到所述第三互連的第四互連,所述第四互連在與所述第一方向相反的方向上延伸。
6.根據權利要求4或5所述的設備,其中所述第四互連在所述材料堆疊下方延伸。
7.根據權利要求1所述的設備,其中所述第二互連經布置使得所述第二互連的間距與所述材料堆疊在所述第二方向上的寬度無關。
8.根據權利要求1所述的設備,其中所述材料堆疊在垂直于所述第一方向的方向上具有第一寬度,且所述階梯結構在垂直于所述第一方向的方向上具有第二寬度,所述第二寬度小于所述第一寬度。
9.根據權利要求8所述的設備,其中所述階梯結構的階梯在所述第一方向上延伸與所述第二互連的間距相應的長度。
10.一種形成存儲器的方法,其包括:
形成材料對堆疊,所述材料對包含形成于絕緣材料上方的導電線,所述導電線在第一方向上具有最長尺寸,所述材料對堆疊具有寬的寬度部分及窄的寬度部分;
在所述材料對堆疊的一個邊緣上形成階梯結構;
在階梯處形成耦合到所述導電線的遞升互連,所述遞升互連在實質上垂直于所述階梯結構的第一表面的第二方向上延伸;
形成耦合到所述遞升互連的頂部平面互連,所述頂部平面互連在不同于所述第一方向的方向上具有最長尺寸且實質上平行于位線;及
形成耦合到所述頂部平面互連的遞降互連,所述遞降互連在實質上平行于所述第一方向的方向上延伸。
11.根據權利要求10所述的方法,其進一步包括形成耦合到所述遞降互連的底部平面互連,其中所述底部平面互連在所述第一方向上具有最長尺寸。
12.根據權利要求11所述的方法,其中第一底部平面互連在第一徑向方向上從遞降互連延伸,且第二底部平面互連在第二徑向方向上從遞降互連延伸,所述第二徑向方向不同于所述第一徑向方向。
13.根據權利要求12所述的方法,其中所述第二徑向方向是與所述第一徑向方向相反的徑向方向。
14.根據權利要求11所述的方法,其中所述底部平面互連在所述第一方向上具有最長尺寸。
15.根據權利要求10所述的方法,其中形成所述材料對堆疊包含在相鄰于所述寬的寬度部分及所述窄的寬度部分的區域中移除所述材料對堆疊的部分。
16.根據權利要求15所述的方法,其中移除所述材料對堆疊的所述部分發生在形成所述階梯結構之后,所述區域包括所述階梯結構的一部分。
17.根據權利要求15所述的方法,其中所述遞降互連在所述區域內通過。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





