[發明專利]半導體基板、攝像元件及攝像裝置

有效

• 申請號: 201480008128.0
• 申請日: 2014-02-04
• 公開（公告）號: CN104981907B
• 公開（公告）日: 2017-11-17
• 發明（設計）人: 高澤直裕;竹本良章
• 申請（專利權）人: 奧林巴斯株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H04N5/369
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 李輝,于英慧

技術領域

本發明涉及半導體基板、攝像元件及攝像裝置。

本申請以在2013年2月14日提出申請的特愿2013－027058號日本專利申請為基礎主張優先權，并將其內容引用于此。

背景技術

以往，例如背面照射型圖像傳感器和層疊型圖像傳感器等攝像元件，在形成片上濾色器、片上微鏡及遮光膜的工序中進行光刻。在光刻的曝光時使用描畫了配線圖案的光掩膜和中間掩膜，但在進行晶片和該掩膜的定位時使用由金屬配線形成的對準標記。該對準標記形成于劃線或者芯片區域內。

在進行曝光時，為了利用半導體制造裝置檢測該對準標記的位置，例如按照專利文獻1公開的那樣向對準標記照射檢測光，并測定其反射強度。因此，當在對準標記的下層設有例如金屬配線、器件、接合電極等時，也檢測到它們的反射光。

其結果是，當在對準標記的反射強度與下層的金屬配線、器件、接合電極等的反射強度之間不能得到充分的對比度的情況下，半導體制造裝置產生對準標記的識別錯誤，存在晶片和光掩膜或中間掩膜的對準精度下降的情況。并且，有時將下層的金屬配線和器件的位置錯誤識別為對準標記的位置，而產生不能進行對準的問題。

為了防止這種問題，以往在對準標記的下層不設置金屬配線、器件、接合電極。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2011－9259號公報

發明概要

發明要解決的問題

但是，如上所述的以往的半導體基板存在如下所述的問題。

近年來，隨著金屬配線層的多層化和半導體制造工藝的復雜化，光刻工序增加。隨著這樣的光刻工序的增加，在曝光時需要的對準標記的數量也非常多。

因此，在制造半導體基板時，必須在不與金屬配線、器件、接合電極重疊的區域中設置多個對準標記，在晶片上必須確保對準標記專用的多個區域。因此，由于對準專用的區域增加，存在芯片面積增大、配置對準標記的劃線的面積增大的問題。其結果是，每一晶片的芯片取得數量減少，存在半導體基板的成本增大的問題。

發明內容

本發明正是鑒于上述問題而提出的，其目的在于，提供半導體基板、攝像元件及攝像裝置，能夠防止對準標記的檢測精度下降，并且抑制芯片面積和劃線的面積增大。

用于解決問題的手段

根據本發明的第一方式，半導體基板具有：對準標記，其由反射位置檢測用的檢測光的材料形成，并具有檢測用邊緣部；遮光層部，其具有比所述對準標記大的外形形狀，由遮擋所述檢測光的材料形成，被配置在從所述檢測光的入射側觀察成為所述對準標記的背面側的位置；以及一個以上的透光層部，其被層疊在所述對準標記和所述遮光層部之間，透過所述檢測光，并且至少在與所述遮光層部重疊的范圍內未進行圖案加工。

根據本發明的第二方式，也可以是，在第一方式的半導體基板中，在從所述檢測光的入射側觀察時所述遮光層部的背面側的區域形成有金屬配線。

根據本發明的第三方式，也可以是，在第一方式或者第二方式的半導體基板中，所述對準標記由金屬層形成。

根據本發明的第四方式，也可以是，在第一方式～第三方式中任意一個方式的半導體基板中，所述遮光層部由金屬層形成。

根據本發明的第五方式，也可以是，在第一方式～第四方式中任意一個方式的半導體基板中具有：第1基板，所述檢測光從外部入射到該第1基板；第2基板，其與所述第1基板對置配置；以及接合層部，其接合所述第1基板和所述第2基板，所述對準標記、所述透光層部以及所述遮光層部設于所述第1基板。

根據本發明的第六方式，也可以是，在第一方式～第四方式中任意一個方式的半導體基板中具有：第1基板，所述檢測光從外部入射到該第1基板；第2基板，其與所述第1基板對置配置；以及接合層部，其接合所述第1基板和所述第2基板，所述對準標記設于所述第1基板，所述遮光層部設于所述接合層部，在所述接合層部中，將所述第1基板和所述第2基板電接合的接合電極形成于所述遮光層部的外方，在所述第1基板中的所述對準標記和所述接合層部中的所述遮光層部之間形成有所述透光層部。