[發明專利]太陽能電池單元的制造方法有效
| 申請號： | 201480007666.8 | 申請日： | 2014-01-30 |
| 公開（公告）號： | CN104981893B | 公開（公告）日： | 2018-01-30 |
| 發明（設計）人： | 荻野貴之;言水志信;加藤太司;田坂莊吾;青野亮太;奧涼介;鹿野康行;合田晉二;石川直揮 | 申請（專利權）人： | 松下生產工程技術株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/22 | 分類號： | H01L21/22;H01L51/48 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 盧曼,劉力 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 擴散 形成 方法 以及 太陽能電池 單元 制造 | ||
1.太陽能電池單元的制造方法，其是具有硼擴散工序的太陽能電池單元的制造方法，所述硼擴散工序包括：使硼在硅基板上熱擴散的第1步驟、和使上述第1步驟中在硅基板上形成的硼化硅層氧化的第2步驟，
其中，上述第2步驟中，具有15分鐘以上的處于900℃以上且上述第1步驟的處理溫度以下的溫度的狀態，該第2步驟具有降溫工序。
2.權利要求1所述的太陽能電池單元的制造方法，其中，在920℃以上且1050℃以下進行上述第1步驟。
3.權利要求1所述的太陽能電池單元的制造方法，其中，在氮與氧的流量比為99.5：0.5～95：5的氛圍下進行上述第1步驟。
4.權利要求1所述的太陽能電池單元的制造方法，其中，將上述第1步驟進行5～120分鐘。
5.權利要求1所述的太陽能電池單元的制造方法，其中，利用上述第1步驟和第2步驟所形成的硼硅玻璃層的膜厚為100～200nm。
6.權利要求1所述的太陽能電池單元的制造方法，其中，將三溴化硼(BBr3)或三氯化硼(BCl3)作為擴散源。
7.權利要求1所述的太陽能電池單元的制造方法，其中，通過用旋涂法將含硼化合物的材料涂布在硅基板上來形成硼擴散源。
8.權利要求1所述的太陽能電池單元的制造方法，其中，通過用絲網印刷法將含硼化合物的材料涂布在硅基板上來形成硼擴散源。
9.權利要求1所述的太陽能電池單元的制造方法，其中，通過用噴墨法將含硼化合物的材料涂布在硅基板上來形成硼擴散源。
10.權利要求1所述的太陽能電池單元的制造方法，其包括如下工序：
上述硼擴散工序結束后，在除去上述硅基板背面上形成的硼擴散層和硼硅玻璃層的工序中，
在上述硅基板表面形成了抗蝕膜后，利用化學濕法處理除去上述硅基板背面上形成的硼擴散層和硼硅玻璃層，然后除去上述硅基板表面的抗蝕膜。
11.權利要求10所述的太陽能電池單元的制造方法，其中，在除去上述抗蝕膜的工序結束后，依次進行在上述硅基板背面使磷擴散的磷擴散工序、在上述硅基板的兩面形成減反射膜的工序、和在上述硅基板的兩面形成Ag柵極的工序。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
