[實用新型]半導(dǎo)體器件以及半導(dǎo)體封裝體

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420870779.8
• 申請日: 2014-12-31
• 公開（公告）號: CN204441273U
• 公開（公告）日: 2015-07-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 欒竟恩
• 申請（專利權(quán)）人: 意法半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L23/13
• 分類號: H01L23/13;H01L23/31;H01L21/77
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華

技術(shù)領(lǐng)域

本公開的各個實施方式涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，并且更具體地涉及一種半導(dǎo)體器件以及半導(dǎo)體封裝體。

背景技術(shù)

在現(xiàn)有技術(shù)中的一些半導(dǎo)體器件中，需要將半導(dǎo)體裸片通過粘接材料安裝至襯底。圖1示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的包括這種半導(dǎo)體器件1000的半導(dǎo)體封裝體100。如圖1所示，半導(dǎo)體封裝體100包括半導(dǎo)體器件1000和用于封裝半導(dǎo)體器件1000的模制化合物9。在半導(dǎo)體器件1000中，第一半導(dǎo)體裸片1通過裸片附接膜3(DAF，全稱為Die?Attach?Film)和粘接膠4而粘接至襯底6，第二半導(dǎo)體裸片2通過導(dǎo)電粘接層5而粘接至襯底6。此外，第一半導(dǎo)體裸片1和第二半導(dǎo)體裸片2還均通過焊線7連接至引線8。

在圖1所示的實施方式中，DAF3和粘接膠4用于將第一半導(dǎo)體裸片1粘接至襯底6以及提供在第一半導(dǎo)體裸片1與襯底6之間的隔離。然而，第一半導(dǎo)體裸片1和襯底6之間的這種粘接方式存在多個方面的問題。例如，由DAF3和粘接膠4所提供的電氣隔離的可靠性差，因而在第一半導(dǎo)體裸片1與襯底6之間存在發(fā)生短路的風(fēng)險。此外，由于DAF3和粘接膠4均為軟質(zhì)材料，在采用熱超聲來安裝焊線7時容易產(chǎn)生共振，從而導(dǎo)致焊線7與第一半導(dǎo)體裸片1和引線8二者之間的連接穩(wěn)定性差。

實用新型內(nèi)容

本公開的目的包括提供一種半導(dǎo)體器件以及半導(dǎo)體封裝體，以至少部分解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述問題。

根據(jù)本公開的一個方面，提供一種半導(dǎo)體器件，包括：半導(dǎo)體裸片；硬質(zhì)隔離層，形成于所述半導(dǎo)體裸片的表面上；襯底；以及非導(dǎo)電粘接層，位于所述硬質(zhì)隔離層與所述襯底之間，以用于將所述硬質(zhì)隔離層粘接至所述襯底。

根據(jù)本公開的一個示例性實施方式，所述半導(dǎo)體裸片包括接合焊盤，所述接合焊盤位于所述半導(dǎo)體裸片的與所述表面相對的另一表面處。

根據(jù)本公開的一個示例性實施方式，所述半導(dǎo)體器件還包括引線，所述引線通過焊線連接至所述接合焊盤。

根據(jù)本公開的一個示例性實施方式，所述半導(dǎo)體器件還包括：另一半導(dǎo)體裸片；以及導(dǎo)電粘接層，用于將所述另一半導(dǎo)體裸片粘接至所述襯底。

根據(jù)本公開的一個示例性實施方式，所述非導(dǎo)電粘接層包括裸片附接膜或粘接膠。

根據(jù)本公開的一個示例性實施方式，所述硬質(zhì)隔離層為模制的層或旋涂的層。

根據(jù)本公開的另一方面，提供一種半導(dǎo)體封裝體，包括：如上所述的任意一種半導(dǎo)體器件；以及模制化合物，被布置為封裝所述半導(dǎo)體器件。

根據(jù)本公開的又一方面，提供一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：提供半導(dǎo)體晶片；在所述半導(dǎo)體晶片的表面上形成硬質(zhì)隔離層；將裸片附接膜粘附至所述硬質(zhì)隔離層；切割所述半導(dǎo)體晶片、所述硬質(zhì)隔離層和所述裸片附接膜以形成單片化結(jié)構(gòu)，每個所述單片化結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體裸片；以及將所述單片化結(jié)構(gòu)通過所述裸片附接膜粘接至襯底，其中所述裸片附接膜位于所述硬質(zhì)隔離層和所述襯底之間。

根據(jù)本公開的一個示例性實施方式，在所述半導(dǎo)體晶片的所述表面上形成所述硬質(zhì)隔離層包括：通過模制或旋涂工藝在所述半導(dǎo)體晶片的所述表面上形成所述硬質(zhì)隔離層。

根據(jù)本公開的一個示例性實施方式，所述方法還包括：將另一半導(dǎo)體裸片通過導(dǎo)電粘接層粘接至所述襯底。

根據(jù)本公開的一個示例性實施方式，所述半導(dǎo)體裸片包括接合焊盤，所述接合焊盤位于所述半導(dǎo)體裸片的與所述表面相對的另一表面處，并且其中所述方法還包括：提供引線；以及通過焊線將所述引線連接至所述接合焊盤。

根據(jù)本公開的一個示例性實施方式，所述方法還包括：利用模制化合物進(jìn)行封裝以形成封裝體。

根據(jù)本公開的又一方面，提供一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：提供半導(dǎo)體晶片；在所述半導(dǎo)體晶片的表面上形成硬質(zhì)隔離層；切割所述半導(dǎo)體晶片和所述硬質(zhì)隔離層以形成單片化結(jié)構(gòu)，每個所述單片化結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體裸片；以及將所述單片化結(jié)構(gòu)通過粘接膠粘接至襯底，其中所述粘接膠位于所述硬質(zhì)隔離層和所述襯底之間。

根據(jù)本公開的一個示例性實施方式，在所述半導(dǎo)體晶片的所述表面上形成所述硬質(zhì)隔離層包括：通過模制或旋涂工藝在所述半導(dǎo)體晶片的所述表面上形成所述硬質(zhì)隔離層。

根據(jù)本公開的一個示例性實施方式，所述方法還包括：將另一半導(dǎo)體裸片通過導(dǎo)電粘接層粘接至所述襯底。

根據(jù)本公開的一個示例性實施方式，所述半導(dǎo)體裸片包括接合焊盤，所述接合焊盤位于所述半導(dǎo)體裸片的與所述表面相對的另一表面處，并且其中所述方法還包括：提供引線；以及通過焊線將所述引線連接至所述接合焊盤。