[實用新型]LED襯底結構

有效

• 申請號: 201420859524.1
• 申請日: 2014-12-29
• 公開（公告）號: CN204289499U
• 公開（公告）日: 2015-04-22
• 發明（設計）人: 張昊翔;丁海生;李東昇;江忠永
• 申請（專利權）人: 杭州士蘭微電子股份有限公司;杭州士蘭明芯科技有限公司
• 主分類號: H01L33/22
• 分類號: H01L33/22
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種LED襯底結構，其特征在于，包括：襯底；形成于所述襯底中的多個第一GaN結構；形成于多個第一GaN結構上的多個第二GaN結構；形成于所述襯底表面的多個第三GaN結構，所述多個第三GaN結構與所述多個第二GaN結構間隔排布；以及覆蓋所述多個第二GaN結構及多個第三GaN結構的AlGaN層；其中，每個第一GaN結構及每個第二GaN結構的材料均為多晶GaN，每個第三GaN結構的材料為單晶GaN。

2.如權利要求1所述的LED襯底結構，其特征在于，每個第一GaN結構的剖面形狀為三角形或者倒梯形。

3.如權利要求2所述的LED襯底結構，其特征在于，每個第一GaN結構的剖面形狀為倒等腰三角形或者倒等腰梯形。

4.如權利要求2所述的LED襯底結構，其特征在于，每個第二GaN結構的剖面形狀為倒梯形，每個第三GaN結構的剖面形狀為正梯形。

5.如權利要求1～4中任一項所述的LED襯底結構，其特征在于，多個第一GaN結構、多個第二GaN結構及多個第三GaN結構均呈周期性陣列排布。

6.如權利要求1～4中任一項所述的LED襯底結構，其特征在于，多個第二GaN結構的頂面與多個第三GaN結構的頂面齊平。

7.如權利要求1～4中任一項所述的LED襯底結構，其特征在于，所述AlGaN層的截面寬度與所述襯底的截面寬度相同。