[實用新型]希爾伯特曲線型片上無源元件地屏蔽結構及片上螺旋電感有效

申請號：	201420825779.6	申請日：	2014-12-22
公開（公告）號：	CN204538016U	公開（公告）日：	2015-08-05
發明（設計）人：	韓波;王詩兵;宋有才;趙正平;史曉鳳;張媛;李軍	申請（專利權）人：	阜陽師范學院
主分類號：	H01L23/552	分類號：	H01L23/552
代理公司：	北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350	代理人：	湯東鳳
地址：	236037 ***	國省代碼：	安徽;34
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摘要：
搜索關鍵詞：	希爾伯特曲線型片上無源元件屏蔽結構螺旋電感
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【說明書】：

技術領域

本實用新型涉及微電子技術領域，尤其涉及希爾伯特曲線型片上無源元件地屏蔽結構及片上螺旋電感。

背景技術

片上電感、片上變壓器等無源元件是組成射頻集成電路的重要無源元件，廣泛地應用于低噪聲放大器、功率放大器、混頻器等電路模塊中。

片上電感與片上變壓器等螺旋無源元件由于電流路徑為螺旋狀，在射頻條件下會感應出漩渦電流，由于硅襯底的電阻率偏低，漩渦電流通過硅襯底而傳導，導致片上螺旋無源元件的品質因數較低，性能下降。

實用新型內容

有鑒于現有技術的上述缺陷，本實用新型所要解決的技術問題是提供一種希爾伯特曲線型片上無源元件地屏蔽結構，通過在片上無源元件的金屬線與襯底之間設置希爾伯特曲線型地屏蔽結構，隔離漩渦電路的傳導。

為實現上述目的，本實用新型提供了希爾伯特曲線型片上無源元件地屏蔽結構，所述無源元件包括金屬線和襯底，所述地屏蔽結構設置在所述金屬線和襯底之間，所述希爾伯特曲線型地屏蔽結構由任意金屬層構成，所述希爾伯特曲線的內徑為S，線寬為W，n階希爾伯特曲線其面積為(2ⁿ×W+(2ⁿ-1)×S)²，根據所述片上無源元件所占面積大小選擇不同數量不同階數的希爾伯特曲線來構成所述地屏蔽結構，所述每個希爾伯特曲線的四角通過所述片上無源元件的金屬過孔連接到所述襯底，所述不同階數的希爾伯特曲線間距為S，構成的面積接近所述片上無源元件占用面積。

在本實用新型的較佳實施方式中，所述希爾伯特曲線型地屏蔽結構包括16個四階希爾伯特曲線與17個三階希爾伯特曲線，其中每個四階與三階希爾伯特曲線的四角通過所述片上無源元件的金屬過孔連接到所述襯底。

在本實用新型的另一較佳實施方式中，所述S為2微米，所述W為2-10微米。

一種添加希爾伯特曲線型片上無源元件地屏蔽結構的片上螺旋電感，包括片上電感，金屬線和地屏蔽結構，其中，所述片上電感包括螺旋電感線和金屬過線，所述螺旋電感線由頂層金屬構成，金屬過線由次頂層金屬構成，所述地屏蔽結構由第一層金屬構成。

在本實用新型的較佳實施方式中，所述片上電感外徑為280微米，所述金屬線寬為10微米，所述金屬線間距S為2微米。

在本實用新型的另一較佳實施方式中，所述地屏蔽結構由16個四階希爾伯特曲線與17個三階希爾伯特曲線構成，所述希爾伯特曲線內徑S與線寬W都選擇為2微米。

本實用新型公開的希爾伯特曲線型片上無源元件地屏蔽結構通過在片上無源元件的金屬線與襯底之間設置希爾伯特曲線型地屏蔽結構，來隔離漩渦電路的傳導，提高片上無源元件的性能。

以下將結合附圖對本實用新型的構思、具體結構及產生的技術效果作進一步說明，以充分地了解本實用新型的目的、特征和效果。

附圖說明

圖1是一階希爾伯特曲線；

圖2是二階希爾伯特曲線；

圖3是三階希爾伯特曲線；

圖4是四階希爾伯特曲線；