[實(shí)用新型]非接觸式晶圓搬運(yùn)裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201420806994.1 | 申請(qǐng)日: | 2014-12-17 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN204332929U | 公開(kāi)(公告)日: | 2015-05-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王義正 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 王義正 |
| 主分類號(hào): | H01L21/677 | 分類號(hào): | H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 王玉雙;常大軍 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新竹市*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 接觸 式晶圓 搬運(yùn) 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備,尤其涉及一種非接觸式晶圓搬運(yùn)裝置。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體工藝是在硅晶圓(硅圓片)上制造電子元件,而電子元件的完成則由精密復(fù)雜的集成電路所組成;制作一個(gè)硅晶圓半導(dǎo)體,需經(jīng)過(guò)芯片氧化層成長(zhǎng)、微影技術(shù)、蝕刻、清洗、雜質(zhì)擴(kuò)散、離子植入及薄膜沉積等不同的工藝方可完成,因此往往需經(jīng)過(guò)數(shù)十甚至數(shù)百道繁復(fù)的工藝,并且,在考量人為操作容易產(chǎn)生誤差、污染、以及速度不易提升的狀況下,使用自動(dòng)化設(shè)備控制制造以及輸送該晶圓,以提高良率及增加產(chǎn)能,已成為各家半導(dǎo)體業(yè)者不可或缺的生產(chǎn)方式。
中國(guó)臺(tái)灣發(fā)明專利公告第562772號(hào)中,即揭示一種無(wú)人搬運(yùn)車、無(wú)人搬運(yùn)車系統(tǒng)以及晶圓搬運(yùn)方法,其藉由一移載裝置將多個(gè)晶圓收納于一緩沖卡匣后,而后由一無(wú)人搬運(yùn)車承載而朝一目的站移動(dòng),再藉由該移載裝置該將緩沖卡匣內(nèi)的該晶圓取出,令該晶圓在有塵埃問(wèn)題發(fā)生前,于各站之間轉(zhuǎn)移。
一般而言,該晶圓的取放主要有賴于一機(jī)器手臂(移載裝置)對(duì)收納于一卡匣(緩沖卡匣)的該晶圓進(jìn)行取放,然而,該機(jī)器手臂在拿取晶圓時(shí),往往僅承載晶圓的部分區(qū)域,如中國(guó)臺(tái)灣新型專利公告第M264083號(hào)所示的結(jié)構(gòu),因而造成施力不均,對(duì)于較薄且大尺寸的晶圓來(lái)說(shuō),常會(huì)在拿取時(shí)發(fā)生彎曲的問(wèn)題,造成晶圓的損壞;且在長(zhǎng)期使用后,其取放該晶圓的位置可能會(huì)產(chǎn)生偏移,如此,當(dāng)該機(jī)器手臂在放置該晶圓或是取出該晶圓的過(guò)程中,將很容易刮傷該晶圓的表面,造成該晶圓的毀損而報(bào)廢,而有改善的必要。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的主要目的,在于解決半導(dǎo)體工藝中,現(xiàn)有機(jī)器手臂移動(dòng)晶圓時(shí),因僅承載晶圓的部分區(qū)域造成施力不均,容易發(fā)生彎曲的問(wèn)題,以及當(dāng)現(xiàn)有機(jī)器手臂長(zhǎng)期使用后可能發(fā)生偏移,導(dǎo)致取放收納于卡匣的晶圓時(shí),容易發(fā)生刮傷該晶圓的問(wèn)題。
為達(dá)上述目的,本實(shí)用新型提供一種非接觸式晶圓搬運(yùn)裝置,用以搬運(yùn)一放置于一卡匣內(nèi)的待搬運(yùn)晶圓,該卡匣包含多個(gè)支架件以及多個(gè)設(shè)置于該支架件并承載該待搬運(yùn)晶圓的置放件,該非接觸式晶圓搬運(yùn)裝置包含:
一用以承載該待搬運(yùn)晶圓的承載組件,包含至少一承載盤體、多個(gè)設(shè)置于該承載盤體且提供一上浮氣體的第一氣孔以及多個(gè)設(shè)置于該承載盤體且提供一側(cè)浮氣體的第二氣孔,該上浮氣體沿一縱方向噴出,該側(cè)浮氣體沿一推動(dòng)方向噴出,該縱方向與該推動(dòng)方向相交一夾角,其中,該第一氣孔依據(jù)該待搬運(yùn)晶圓的一面積排列于該承載盤體上使該上浮氣體形成一均勻的上浮力道;
一與該些第一氣孔連接的第一氣體供應(yīng)單元;
一與該些第二氣孔連接的第二氣體供應(yīng)單元;以及
一與該承載組件連接并驅(qū)動(dòng)該承載盤體接近該待搬運(yùn)晶圓下方的驅(qū)動(dòng)組件;
其中,該承載組件利用自該第一氣孔噴出的該上浮氣體將該待搬運(yùn)晶圓帶離該置放件,并利用該第二氣孔噴出的該側(cè)浮氣體將該待搬運(yùn)晶圓帶離該卡匣外。
上述的非接觸式晶圓搬運(yùn)裝置,其中該承載盤體包含一上浮區(qū)以及一放置區(qū),該第一氣孔設(shè)置于該上浮區(qū)以及該放置區(qū),該第二氣孔設(shè)置于該上浮區(qū)。
上述的非接觸式晶圓搬運(yùn)裝置,其中更包含一設(shè)置于該放置區(qū)遠(yuǎn)離該上浮區(qū)一端的擋止元件。
上述的非接觸式晶圓搬運(yùn)裝置,其中該上浮區(qū)為一圓盤形狀。
上述的非接觸式晶圓搬運(yùn)裝置,其中該承載盤體更包含一放置氣盤以及至少一自該放置氣盤沿一橫方向延伸的上浮氣盤,該第一氣孔設(shè)置于該放置氣盤以及該上浮氣盤上,該第二氣孔設(shè)置于該上浮氣盤上。
上述的非接觸式晶圓搬運(yùn)裝置,其中更包含一設(shè)置于該放置氣盤遠(yuǎn)離該上浮氣盤一端的擋止元件。
上述的非接觸式晶圓搬運(yùn)裝置,其中該放置氣盤為一圓盤形狀。
上述的非接觸式晶圓搬運(yùn)裝置,其中更包含一用以感測(cè)該晶圓的感應(yīng)組件,該感應(yīng)組件設(shè)置于該至少一承載盤體上且與該驅(qū)動(dòng)組件相互電性連接。
上述的非接觸式晶圓搬運(yùn)裝置,其中更包含一控制閥單元,該控制閥單元與該感應(yīng)組件、該第一氣體供應(yīng)單元以及該第二氣體供應(yīng)單元連接。
上述的非接觸式晶圓搬運(yùn)裝置,其中更包含一設(shè)置于該承載盤體鄰近該卡匣一側(cè)的卡匣支撐件,該卡匣支撐件包含至少一對(duì)應(yīng)該承載盤體的升降通道。
由上述可知,本實(shí)用新型的特點(diǎn)在于,該待搬運(yùn)晶圓利用該上浮氣體及該側(cè)浮氣體進(jìn)行搬運(yùn)移動(dòng),乃非接觸的搬運(yùn)方式,可提供均勻的上浮力道,避免因施力不均而產(chǎn)生晶圓彎曲的問(wèn)題,且因采非接觸的搬運(yùn)方式放,可藉此降低因接觸碰撞而有刮傷損壞的情形產(chǎn)生。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)描述,但不作為對(duì)本實(shí)用新型的限定。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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