[實用新型]晶片座

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420802813.8
• 申請日: 2014-12-18
• 公開（公告）號: CN204361074U
• 公開（公告）日: 2015-05-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃根友
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫科諾達電子有限公司
• 主分類號: H01L23/13
• 分類號: H01L23/13
• 代理公司: 蘇州廣正知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32234
• 代理人: 劉述生

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及晶片加工領(lǐng)域，特別是涉及一種高粘度晶片座。

背景技術(shù)

硅屬于半導體材料，其自身的導電性并不是很好。然而，可以通過添加適當?shù)膿诫s劑來精確控制它的電阻率。制造半導體前，必須將硅轉(zhuǎn)換為晶圓片。加工硅晶片生成一個硅錠要花一周到一個月的時間，這取決于很多因素，包括大小、質(zhì)量和終端用戶要求。半導體或芯片是由硅生產(chǎn)出來的。晶圓片上刻蝕出數(shù)以百萬計的晶體管，這些晶體管比人的頭發(fā)要細小上百倍。半導體通過控制電流來管理數(shù)據(jù)，形成各種文字、數(shù)字、聲音、圖象和色彩。它們被廣泛用于集成電路，并間接被地球上的每個人使用。這些應用有些是日常應用，如計算機、電信和電視，還有的應用于先進的微波傳送、激光轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、醫(yī)療診斷和治療設(shè)備、防御系統(tǒng)和NASA航天飛機。而晶片座作為承載晶片的工具也是起著很關(guān)鍵的作用，但傳統(tǒng)的晶片座缺乏粘合度上的設(shè)計，在加工焊合時不容易將晶片和晶片座固定，并且長時間使用過程中由于缺乏一定的粘合度容易造成兩者的脫開，影響正常使用。

實用新型內(nèi)容

本實用新型主要解決的技術(shù)問題是提供一種晶片座，能夠增加晶片與晶片座之間的粘合度，同時能將焊片時流出的多余錫液順著環(huán)形凹槽流動而不會造成溢出。

為解決上述技術(shù)問題，本實用新型采用的一個技術(shù)方案是：提供一種晶片座，包括晶片座本體，所述晶片座本體上端面中央設(shè)置有一環(huán)形座，所述環(huán)形座凸起于所述晶片座本體上端面設(shè)置，所述環(huán)形座上對應開設(shè)有環(huán)形凹槽，所述環(huán)形座之間的晶體座本體端面上設(shè)置有多個凸粘點，所述凸粘點設(shè)置高度與所述環(huán)形座高度齊平。

在本實用新型一個較佳實施例中，所述環(huán)形座環(huán)形圍住所述凸粘點設(shè)置，所述凸粘點均勻分布于所述環(huán)形座內(nèi)側(cè)。

在本實用新型一個較佳實施例中，所述環(huán)形凹槽與所述環(huán)形座形狀相對應開設(shè)。

在本實用新型一個較佳實施例中，所述凸粘點為凸起實體塊。

在本實用新型一個較佳實施例中，所述環(huán)形座為圓形或者方形。

本實用新型的有益效果是：本實用新型能夠增加晶片與晶片座之間的粘合度，同時能將焊片時流出的多余錫液順著環(huán)形凹槽流動而不會造成溢出。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖，其中：

圖1是本實用新型晶片座一較佳實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

附圖中各部件的標記如下：?1、晶片座本體；?2、環(huán)形座；?3、環(huán)形凹槽；?4、凸粘點。

具體實施方式

下面將對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅是本實用新型的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

請參閱圖1，本實用新型實施例包括：

一種晶片座，包括晶片座本體1，所述晶片座本體1上端面中央設(shè)置有一環(huán)形座2，所述環(huán)形座2凸起于所述晶片座本體1上端面設(shè)置，所述環(huán)形座2上對應開設(shè)有環(huán)形凹槽3，所述環(huán)形座2之間的晶體座本體端面上設(shè)置有多個凸粘點4，所述凸粘點4設(shè)置高度與所述環(huán)形座2高度齊平。

另外，所述環(huán)形座2環(huán)形圍住所述凸粘點4設(shè)置，所述凸粘點4均勻分布于所述環(huán)形座2內(nèi)側(cè)。

另外，所述環(huán)形凹槽3與所述環(huán)形座2形狀相對應開設(shè)。

另外，所述凸粘點4為凸起實體塊。

另外，所述環(huán)形座2為圓形或者方形。

本實用新型的工作原理為在晶片座本體1上端面中央設(shè)置有一環(huán)形座2，環(huán)形座2凸起于晶片座本體1上端面設(shè)置，環(huán)形座2上對應開設(shè)有環(huán)形凹槽3，環(huán)形座2之間的晶體座本體端面上設(shè)置有多個凸粘點4，凸粘點4設(shè)置高度與環(huán)形座2高度齊平，在晶片焊于晶片座上時，將晶片貼于環(huán)形座2上，此時由于環(huán)形座2內(nèi)側(cè)的凸粘點4與環(huán)形座2高度一致，可以很好的增加晶片與晶片座的接觸點，進而提高粘合度，并且環(huán)形座2上設(shè)置有與之對應形狀的環(huán)形凹槽3，在焊合時多余的錫液會流入到環(huán)形凹槽3內(nèi)而不溢出。

以上所述僅為本實用新型的實施例，并非因此限制本實用新型的專利范圍，凡是利用本實用新型說明書內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其它相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本實用新型的專利保護范圍內(nèi)。