[實(shí)用新型]一種緩沖器偏置電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420744985.4
• 申請日: 2014-12-01
• 公開（公告）號: CN204290933U
• 公開（公告）日: 2015-04-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 彭仁國
• 申請（專利權(quán)）人: 豪威科技（上海）有限公司
• 主分類號: H03K19/0175
• 分類號: H03K19/0175
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 吳俊

1.一種緩沖器偏置電路，其特征在于，

所述緩沖器偏置電路的電源端和接地端之間設(shè)置有電阻R1和電阻R4串聯(lián)形成的第一支路，以及電阻R2和電阻R5串聯(lián)形成的第二支路；

所述電阻R1和所述電阻R4具有公共節(jié)點(diǎn)B2、所述電阻R2和所述電阻R5具有公共節(jié)點(diǎn)B1，所述公共節(jié)點(diǎn)B2和所述公共節(jié)點(diǎn)B1之間耦合有電阻R3；

所述電源端與所述公共節(jié)點(diǎn)B2之間設(shè)置有與所述電阻R1串聯(lián)的開關(guān)S1；所述電源端與所述公共節(jié)點(diǎn)B1之間設(shè)置有與所述電阻R2串聯(lián)的開關(guān)S2；所述公共節(jié)點(diǎn)B2與所述電阻R3之間設(shè)置有開關(guān)S3；所述電阻R3與所述公共節(jié)點(diǎn)B1之間設(shè)置有開關(guān)S4；所述接地端與所述公共節(jié)點(diǎn)B2之間設(shè)置有與所述電阻R4串聯(lián)的開關(guān)S5；所述接地端與所述公共節(jié)點(diǎn)B1之間設(shè)置有與所述電阻R5串聯(lián)的開關(guān)S6。

2.如權(quán)利要求1所述的緩沖器偏置電路，其特征在于，所述公共節(jié)點(diǎn)B1與一反相器的P型MOS管的柵極連接，所述公共節(jié)點(diǎn)B2與所述反相器的N型MOS管的柵極連接。

3.如權(quán)利要求2所述的緩沖器偏置電路，其特征在于，所述P型MOS管的柵極通過電容C1與所述反相器的輸入端連接、源極與所述反相器的電源端連接、漏極與所述反相器的輸出端連接；

所述N型MOS管的柵極通過電容C2與所述反相器的輸入端連接、源極接地、漏極與所述反相器的輸出端連接。

4.如權(quán)利要求3所述的緩沖器偏置電路，其特征在于，所述電容C1和所述電容C2均為隔直耦合電容。

5.如權(quán)利要求2所述的緩沖器偏置電路，其特征在于，所述公共節(jié)點(diǎn)B1通過電阻R6與所述P型MOS管的柵極連接，所述公共節(jié)點(diǎn)B2通過電阻R7與所述N型MOS管的柵極連接。

6.如權(quán)利要求5所述的緩沖器偏置電路，其特征在于，所述電阻R6和所述電阻R7均為偏置電阻。

7.如權(quán)利要求1所述的緩沖器偏置電路，其特征在于，所述電阻R1、電阻R2、電阻R4和電阻R5的電阻值均相等。

8.如權(quán)利要求7所述的緩沖器偏置電路，其特征在于，當(dāng)所述開關(guān)S2、開關(guān)S3、開關(guān)S4、開關(guān)S5均導(dǎo)通，所述開關(guān)S1和開關(guān)S6均關(guān)斷時(shí)，所述公共節(jié)點(diǎn)B1點(diǎn)的電壓大于所述公共節(jié)點(diǎn)B2點(diǎn)的電壓。

9.如權(quán)利要求7所述的緩沖器偏置電路，其特征在于，當(dāng)所述開關(guān)S1、開關(guān)S2、開關(guān)S5、開關(guān)S6均導(dǎo)通，所述開關(guān)S3和開關(guān)S4均關(guān)斷時(shí)，所述公共節(jié)點(diǎn)B1點(diǎn)的電壓等于所述公共節(jié)點(diǎn)B2點(diǎn)的電壓。

10.如權(quán)利要求7所述的緩沖器偏置電路，其特征在于，當(dāng)所述開關(guān)S1、開關(guān)S3、開關(guān)S4、開關(guān)S6均導(dǎo)通，所述開關(guān)S2和開關(guān)S5均關(guān)斷時(shí)，所述公共節(jié)點(diǎn)B1點(diǎn)的電壓小于所述公共節(jié)點(diǎn)B2點(diǎn)的電壓。