日韩在线一区二区三区,日本午夜一区二区三区,国产伦精品一区二区三区四区视频,欧美日韩在线观看视频一区二区三区 ,一区二区视频在线,国产精品18久久久久久首页狼,日本天堂在线观看视频,综合av一区

[實用新型]一種半導體器件的圓片級封裝結構有效

專利信息
申請號: 201420702971.6 申請日: 2014-11-21
公開(公告)號: CN204333024U 公開(公告)日: 2015-05-13
發明(設計)人: 張黎;賴志明;陳棟;陳錦輝 申請(專利權)人: 江陰長電先進封裝有限公司
主分類號: H01L33/62 分類號: H01L33/62;H01L33/64;H01L33/44
代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200 代理人: 彭英
地址: 214429 江蘇省無錫市江*** 國省代碼: 江蘇;32
權利要求書: 查看更多 說明書: 查看更多
摘要:
搜索關鍵詞: 一種 半導體器件 圓片級 封裝 結構
【說明書】:

技術領域

本實用新型涉及一種半導體器件的圓片級封裝結構,屬于半導體封裝技術領域。

背景技術

諸如發光二極管(Ligh1t-Emitting?Diode,簡稱LED)的發光元件芯片是通過PN結形成發光源來發射各種顏色的光的半導體器件。隨著電子技術的發展,LED電子產品的封裝密度要求越來越高。理論上,當封裝基板厚度越小,相應的封裝熱阻值越小,LED芯片工作時候的節點溫度越低,芯片的電光轉化效率就越高,LED芯片的亮度就越高。

因此,在一定意義上,小型化與低熱阻值是在保證LED芯片高亮度的情況下對市場低成本要求的不懈追求。傳統的陶瓷基板與引線框架的LED封裝結構,其在封裝尺寸上受基板制造能力的限制,在LED封裝小型化方面難以取得突破,傳統封裝面積與LED芯片面積的橫截面比在2:1以上,從而導致封裝成本難以下調,而其熱阻值在8-15℃/W(差異源于基板導熱系數的不同),電光轉化效率大致在25%至45%。因此以陶瓷封裝與引線框架為代表的傳統封裝形式難以實現小型化、低熱阻值、高亮度、低成本此四者的兼顧。

發明內容

本實用新型的目的在于克服上述傳統半導體器件的封裝不足,提供一種同等尺寸芯片的封裝結構尺寸更小、熱阻值更低、成本更低而亮度更高的半導體器件的圓片級封裝結構。

本實用新型的目的是這樣實現的

本實用新型一種半導體器件的圓片級封裝結構,其包括硅基襯底和帶有正負電極的LED芯片,所述硅基襯底的上表面為絕緣層Ⅰ、下表面為絕緣層Ⅱ,所述硅基襯底與LED芯片的橫截面的面積比最小達1.5:1,

所述絕緣層Ⅰ的上表面設置再布線金屬層,所述再布線金屬層的最外層為銀層或鋁層,所述LED芯片倒裝于再布線金屬層的表面,所述再布線金屬層于該LED芯片的正負電極之間分開形成彼此絕緣的再布線金屬層圖案Ⅰ和再布線金屬層圖案Ⅱ,

所述LED芯片的垂直區域之外設置至少兩個硅通孔,所述硅通孔上下貫穿硅基襯底、絕緣層Ⅰ和絕緣層Ⅱ,其內壁設置絕緣層Ⅲ,所述硅通孔的縱截面呈倒梯形,且其大口端朝向絕緣層Ⅰ、小口端朝向絕緣層Ⅱ,

所述再布線金屬層圖案Ⅰ和再布線金屬層圖案Ⅱ分別向外延伸至同側的硅通孔,并布滿其內壁及其小口端的底部,

所述絕緣層Ⅱ的下表面設置至少兩個導電電極,所述導電電極選擇性地覆蓋對應的硅通孔,并分別通過硅通孔的小口端與再布線金屬層圖案Ⅰ、再布線金屬層圖案Ⅱ連接,實現電氣連通,

所述硅基襯底的上方設置透光層,所述透光層包封LED芯片,且其出光面為表面經過粗化處理的平面。

本實用新型所述硅通孔設置于LED芯片的正負電極的長端外側、短端外側、對角線的外延側的一種或任意幾種的組合。

本實用新型所述透光層的出光面布滿密度均勻的微型凹槽或微型凹坑。

本實用新型所述硅基襯底的厚度h1在200微米以下。

進一步地,所述硅基襯底的厚度h1為70~100微米。

本實用新型所述硅通孔的小口端的口徑不小于20微米。

本實用新型所述正負電極與再布線金屬層之間設置金屬塊,所述金屬塊的高度h2的范圍為3~20微米。

進一步地,所述金屬塊的高度h2的范圍為7~12微米。

本實用新型所述LED芯片的出光面涂覆熒光物質。

本實用新型還包括導熱電極,所述導熱電極設置于導電電極之間或者其一側,且置于LED芯片的正下方。

本實用新型的有益效果是:

1、本實用新型的封裝結構將硅通孔設置于LED芯片的垂直區域之外,而在其背面設置延展面積和設置位置占優勢的導熱電極,有效地解決了半導體器件LED芯片的封裝結構的可靠性和散熱問題,降低了熱阻值;同時,進一步減薄了硅基本體的厚度,減小了封裝結構的厚度,也有助于降低熱阻值;并對透光層采用表面粗化工藝,形成微型結構,提高出光效率,因此本實用新型的半導體器件的亮度得到了顯著提高。

2、本實用新型的封裝結構采用圓片級硅基轉接板工藝在硅晶圓片上完成絕緣層、導電電極、硅通孔、再布線金屬層等的排布,并為LED芯片預留倒裝區域,實現了同等尺寸芯片的封裝結構尺寸更小,達到封裝面積與芯片面積的橫截面比最小至1.5:1,而傳統封裝面積與LED芯片面積的橫截面比在2:1以上,顯著減小了封裝結構的尺寸,同時降低了生產成本,符合封裝結構的小型化發展趨勢。

附圖說明???????

圖1A為本實用新型一種半導體器件的圓片級封裝結構的實施例一的俯視(正面)示意圖;

下載完整專利技術內容需要扣除積分,VIP會員可以免費下載。

該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于江陰長電先進封裝有限公司,未經江陰長電先進封裝有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服

本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201420702971.6/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。

×

專利文獻下載

說明:

1、專利原文基于中國國家知識產權局專利說明書;

2、支持發明專利 、實用新型專利、外觀設計專利(升級中);

3、專利數據每周兩次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、內容包括專利技術的結構示意圖流程工藝圖技術構造圖

5、已全新升級為極速版,下載速度顯著提升!歡迎使用!

請您登陸后,進行下載,點擊【登陸】 【注冊】

關于我們 尋求報道 投稿須知 廣告合作 版權聲明 網站地圖 友情鏈接 企業標識 聯系我們

鉆瓜專利網在線咨詢

周一至周五 9:00-18:00

咨詢在線客服咨詢在線客服
tel code back_top
主站蜘蛛池模板: 久久精品欧美一区二区| 欧美乱大交xxxxx古装| 亚洲va国产2019| 久久久久久国产一区二区三区| 精品久久久久久亚洲综合网| 国产天堂第一区| 99国产精品| 欧美日韩精品在线一区| 国产精品女同一区二区免费站| xxxx18hd护士hd护士| 国产精品99在线播放| 久久er精品视频| 李采潭伦理bd播放| 性生交大片免费看潘金莲| 国产精品九九九九九九| 国产一二区在线| 国产一级在线免费观看| 欧美日韩一区在线视频| 国产一区二区精品免费| 久久久久亚洲| 国产欧美一区二区精品久久| 91麻豆精品国产91久久久更新资源速度超快 | 久久久久久久亚洲视频| 国产69精品久久久久9999不卡免费| 欧美日韩激情一区| 91精品一区在线观看| 久久久久亚洲精品视频| 中文字幕在线一二三区| 日本高清二区| 日本一区欧美| 日本精品一区二区三区在线观看视频| 国产高清无套内谢免费| 国产精品国产三级国产专区55 | 精品国产一区二区三区免费 | 国产资源一区二区| 中文字幕一级二级三级| 国产乱xxxxx国语对白| 九九精品久久| 性少妇freesexvideos高清bbw| 国产欧美亚洲一区二区| 黑人巨大精品欧美黑寡妇| 野花社区不卡一卡二| 亚洲欧美一卡二卡| 欧美精品九九| 91精品一区二区中文字幕| 精品无码久久久久国产| 91精品视频在线观看免费| 欧美日韩精品在线播放| 夜色av网站| 91麻豆文化传媒在线观看| 国产精品一区二区av日韩在线| 欧美精品九九| 亚洲欧美日韩精品在线观看| 国产一区二区在线免费| 91视频国产九色| 岛国黄色网址| 日韩欧美国产另类| 欧美黄色一二三区| 91久久一区二区| 四虎影视亚洲精品国产原创优播| 欧美激情视频一区二区三区免费 | 一区二区在线国产| 国产高清在线观看一区| 国产老妇av| 农村妇女毛片精品久久| 亚洲欧美日韩国产综合精品二区| 午夜私人影院在线观看| 91麻豆精品国产综合久久久久久| 一级久久久| 中文字幕日韩有码| 日韩久久影院| 国产精品久久91| 狠狠色丁香久久婷婷综| 少妇又紧又色又爽又刺激视频网站| 欧美一区二区三区不卡视频| 日本一区二区高清| 日韩av一区不卡| 少妇特黄v一区二区三区图片| 一区二区三区国产视频| 国产香蕉97碰碰久久人人| 国产精品久久久久99| 4399午夜理伦免费播放大全|