[實(shí)用新型]一種降低CPU電壓傳導(dǎo)損耗的PCB有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201420665433.4 | 申請(qǐng)日: | 2014-11-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN204129653U | 公開(kāi)(公告)日: | 2015-01-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 羅嗣恒 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 浪潮電子信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G06F1/32 | 分類(lèi)號(hào): | G06F1/32 |
| 代理公司: | 濟(jì)南信達(dá)專(zhuān)利事務(wù)所有限公司 37100 | 代理人: | 姜明 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 降低 cpu 電壓 傳導(dǎo) 損耗 pcb | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型公開(kāi)了一種PCB,屬于PCB技術(shù)領(lǐng)域,具體地說(shuō)是一種降低CPU電壓傳導(dǎo)損耗的PCB。
技術(shù)背景
中央處理器(CPU,英語(yǔ):Central?Processing?Unit),是電子計(jì)算機(jī)的主要設(shè)備之一,電腦中的核心配件。其功能主要是解釋計(jì)算機(jī)指令以及處理計(jì)算機(jī)軟件中的數(shù)據(jù)。電腦中所有操作都由CPU負(fù)責(zé)讀取指令,對(duì)指令譯碼并執(zhí)行指令的核心部件。CPU的工作電壓分為兩個(gè)方面,CPU的核心電壓與I/O電壓。核心電壓即驅(qū)動(dòng)CPU核心芯片的電壓,I/O電壓則指驅(qū)動(dòng)I/O電路的電壓。通常CPU的核心電壓小于等于I/O電壓。隨著互聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展,作為信息交換、處理主體的大型數(shù)據(jù)中心因其機(jī)房規(guī)模龐大,受CPU的工作電壓傳導(dǎo)損耗的影響更為嚴(yán)重,隨著機(jī)房服務(wù)器數(shù)量的增加,電耗成為一筆巨大的開(kāi)銷(xiāo)。如果能在每臺(tái)服務(wù)器的主板上節(jié)省出每小時(shí)1-2w,那么整個(gè)數(shù)據(jù)中心機(jī)房每年節(jié)省的電耗也是非常可觀(guān)的。為此,本文提出一種降低CPU電壓傳導(dǎo)損耗的PCB,通過(guò)將擺放在PCB正面的輸出bulk電容擺放在PCB的背面,以實(shí)現(xiàn)CPU?VR輸出電感端盡量靠近CPU底座即CPU負(fù)載端,通過(guò)縮短電流傳導(dǎo)路徑長(zhǎng)度來(lái)降低傳導(dǎo)大電流時(shí)產(chǎn)生的損耗,其中VR,Voltage?Regulation,即為電壓調(diào)節(jié),電壓傳導(dǎo)之意。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是:因大型數(shù)據(jù)中心因其機(jī)房規(guī)模龐大,服務(wù)器電耗開(kāi)銷(xiāo)巨大,而需減低服務(wù)器CPU電壓傳導(dǎo)損耗的問(wèn)題,本實(shí)用新型提出一種降低CPU電壓傳導(dǎo)損耗的PCB,其中VR,Voltage?Regulation,即為電壓調(diào)節(jié),電壓傳導(dǎo)之意;采用的具體技術(shù)方案為:
一種降低CPU電壓傳導(dǎo)損耗的PCB,包括VR的輸出電感,輸出bulk電容,CPU底座,將擺放在PCB正面的輸出bulk電容移至PCB的背面,縮短所述的VR的輸出電感與CPU底座的距離。
所述的VR的輸出電感與CPU底座的距離縮短了450mil-600mil。
所述的輸出bulk電容為7343封裝的SMD電容。
本實(shí)用新型的有益效果為:本實(shí)用新型提出一種降低CPU電壓傳導(dǎo)損耗的PCB,通過(guò)將擺放在PCB正面的輸出bulk電容擺放在PCB的背面,以實(shí)現(xiàn)CPU電壓輸出電感端盡量靠近CPU底座即CPU負(fù)載端,通過(guò)縮短電流傳導(dǎo)路徑長(zhǎng)度來(lái)降低傳導(dǎo)大電流時(shí)產(chǎn)生的損耗,不僅降低了CPU供電部分的傳導(dǎo)損耗,減少系統(tǒng)的功耗,為用戶(hù)節(jié)省電費(fèi);還充分利用PCB的正面、背面空間,為主板擴(kuò)展更多功能留有空間。
附圖說(shuō)明
圖1為本實(shí)用新型的PCB改造前后的示意圖。
附圖標(biāo)記:1輸出bulk電容,2?VR的輸出電感,3?CPU底座;
其中a為改造前的PCB,b為改造后的PCB。
具體實(shí)施方式
下面參照附圖所示,通過(guò)具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明:
一種降低CPU電壓傳導(dǎo)損耗的PCB,包括VR的輸出電感2,輸出bulk電容1,CPU底座3,將擺放在PCB正面的輸出bulk電容1移至PCB的背面,?VR的輸出電感2與CPU底座3的距離縮短450mil-600mil。
輸出bulk電容1為7343封裝的SMD電容。
本實(shí)用新型的理論依據(jù)為:
傳導(dǎo)路徑上的損耗用數(shù)學(xué)公式表示如下:
由公式1可得出:電流流過(guò)PCB銅箔的損耗與銅箔的路徑長(zhǎng)度成正比。當(dāng)電流流過(guò)銅箔的路徑越短,則損耗越低。
本實(shí)用新型的操作過(guò)程為:在主板CPU?VR的LAYOUT設(shè)計(jì)階段,將VR輸出bulk電容1由PCB的正面轉(zhuǎn)至擺放在PCB背面;
將VR輸出電感2擺放在電容留出的空間上,并在結(jié)構(gòu)允許的前提下,盡可能靠近CPU底座3;通過(guò)以上優(yōu)化實(shí)現(xiàn)CPU傳導(dǎo)損耗的降低。
本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式只是較為優(yōu)選的實(shí)施方式,并不能限制本實(shí)用新型的技術(shù)方案,在本實(shí)用新型保護(hù)的范圍內(nèi)做出的等同變化均應(yīng)落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi),除本實(shí)用新型保護(hù)的技術(shù)方案外,其他均為所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員所公知的技術(shù)。
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