[實用新型]石英晶片多層離子濺射鍍膜機

有效

• 申請號: 201420654878.2
• 申請日: 2014-11-05
• 公開（公告）號: CN204125522U
• 公開（公告）日: 2015-01-28
• 發明（設計）人: 胡國春;翁斌
• 申請（專利權）人: 東晶銳康晶體（成都）有限公司
• 主分類號: C23C14/18
• 分類號: C23C14/18;C23C14/34;C23C14/56
• 代理公司: 成都金英專利代理事務所(普通合伙) 51218
• 代理人: 袁英

1.石英晶片多層離子濺射鍍膜機，其特征在于：它包括從左往右依次連接的第一腔體（1）、第二腔體（2）和第三腔體（3），所述的第一腔體（1）、第二腔體（2）和第三腔體（3）內均設置有電場發生器（4）和磁場發生器（5），電場發生器（4）和磁場發生器（5）位于腔體兩側，所述的第一腔體（1）上方設置有鉻靶（6），第二腔體（2）上方設置有鋁靶（7），第三腔體（3）上方設置有金靶（8），所述的第一腔體（1）與第二腔體（2）連接處以及第二腔體（2）與第三腔體（3）的連接處均設置有一隔板（9），隔板（9）中間位置開設有通孔（10）。

2.根據權利要求1所述的石英晶片多層離子濺射鍍膜機，其特征在于：所述的鉻靶（6）位于第一腔體（1）側面的中央。

3.根據權利要求1所述的石英晶片多層離子濺射鍍膜機，其特征在于：所述的鋁靶（7）位于第二腔體（2）側面的中央。

4.根據權利要求1所述的石英晶片多層離子濺射鍍膜機，其特征在于：所述的金靶（8）位于第三腔體（3）側面的中央。