[實用新型]一種高顯色性白光免封裝LED

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420654661.1
• 申請日: 2014-11-05
• 公開（公告）號: CN204204899U
• 公開（公告）日: 2015-03-11
• 發(fā)明（設計）人: 孟長軍
• 申請（專利權）人: 創(chuàng)維液晶器件（深圳）有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

技術領域

本實用新型涉及照明領域領域，尤其涉及一種高顯色性白光免封裝LED。

背景技術

LED（Light?Emitting?Diode，發(fā)光二極管），是把電能轉換成光能的半導體光電器件，屬光電半導體的一種。

發(fā)光二極管的核心部分是由P型半導體和N型半導體組成的芯片，在P型半導體和N型半導體之間有一個過渡層，稱為P-N結。在某些半導體材料的PN結中，注入的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復合時會把多余的能量以光的形式釋放出來，從而把電能直接轉換為光能。PN結加反向電壓，少數(shù)載流子難以注入，故不發(fā)光。這種利用注入式電致發(fā)光原理制作的二極管叫發(fā)光二極管，通稱LED。

傳統(tǒng)的LED封裝結構包括以下四部分：正裝芯片、支架、膠水、熒光粉。封裝過程是將芯片用膠水固定在支架內部，通過打線方式連接電極，利用混合有熒光粉的硅膠，點膠方式在支架內部封住LED芯片，形成白光LED。

免封裝LED包括以下四部分：倒裝芯片、陶瓷基板、熒光粉層、焊錫。封裝過程為使用倒裝芯片F(xiàn)lim?Chip通過焊錫與陶瓷基板直接進行電極的連接，使用熒光粉層貼覆在芯片上表面，形成白光LED。與傳統(tǒng)的封裝LED相比省去了支架，使得芯片與陶瓷基板間熱通道變小，可有效的減少了LED的熱阻；同時貼覆式的熒光粉層較傳統(tǒng)封裝的點膠式封裝，光型較好，便于后續(xù)光學設計。

但目前免封裝LED都是通過藍光激發(fā)熒光粉層，所以光學方面還存在色純度不好、顯色指數(shù)較低和熒光粉激發(fā)效率較低的問題。

因此，現(xiàn)有技術還有待于改進和發(fā)展。

實用新型內容

鑒于上述現(xiàn)有技術的不足，本實用新型的目的在于提供一種高顯色性白光免封裝LED，旨在解決現(xiàn)有的白光免封裝LED其色純度不好、顯色指數(shù)較低和激發(fā)效率低的問題。

本實用新型的技術方案如下：

一種高顯色性白光免封裝LED，其中，包括：

基板；

倒裝芯片，用于發(fā)出激活熒光粉或量子點的光線，所述倒裝芯片通過焊錫連接在基板上方；

反射層，設置在倒裝芯片的側壁，用于將倒裝芯片側壁發(fā)出的光線反射回倒裝芯片內部；

量子點層，設置在倒裝芯片上方。

所述的高顯色性白光免封裝LED，其中，量子點層的上表面設置有密封膠體層。

所述的高顯色性白光免封裝LED，其中，量子點層的上表面以及量子點層與倒裝芯片之間均設置有密封膠體層。

所述的高顯色性白光免封裝LED，其中，量子點層與倒裝芯片之間設置有密封膠體層。

所述的高顯色性白光免封裝LED，其中，所述反射層為氧化鈦反射層。

所述的高顯色性白光免封裝LED，其中，所述量子點層通過膠體貼覆在倒裝芯片的表面。

所述的高顯色性白光免封裝LED，其中，所述基板為陶瓷基板。

有益效果：本實用新型在傳統(tǒng)的白光免封裝LED上設置了量子點層，可大幅改善LED的顯色指數(shù)，應用于背光模組中可有效提升背光模組的色域，且光化學穩(wěn)定性高，熒光壽命長，發(fā)光效率高。

附圖說明

圖1為本實用新型一種高顯色性白光免封裝LED第一實施例的結構示意圖。

圖2為本實用新型一種高顯色性白光免封裝LED第二實施例的結構示意圖。

具體實施方式

本實用新型提供一種高顯色性白光免封裝LED，為使本實用新型的目的、技術方案及效果更加清楚、明確，以下對本實用新型進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。

請參閱圖1，圖1為本實用新型一種高顯色性白光免封裝LED較佳實施例的結構示意圖，如圖所述，其包括：

基板10；

倒裝芯片20，用于發(fā)出激活熒光粉或量子點的光線，所述倒裝芯片20通過焊錫30連接在基板10上方；

反射層50，設置在倒裝芯片20的側壁，用于將倒裝芯片20側壁發(fā)出的光線反射回倒裝芯片20內部；

量子點層40，設置在倒裝芯片20上方。