[實(shí)用新型]一種MEMS器件結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201420599699.3 | 申請(qǐng)日: | 2014-10-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN204097077U | 公開(公告)日: | 2015-01-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄭超;李衛(wèi)剛;劉煉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號(hào): | B81B7/02 | 分類號(hào): | B81B7/02;B81B3/00 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務(wù)所 31219 | 代理人: | 李儀萍 |
| 地址: | 100176 北京市大興區(qū)大*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 mems 器件 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種MEMS器件結(jié)構(gòu),其特征在于,所述MEMS器件結(jié)構(gòu)包括:基底;設(shè)置于所述基底上的平行板電容器,所述平行板電容器的一個(gè)極板為振動(dòng)膜,另一個(gè)極板為固定極板,所述振動(dòng)膜與所述固定極板之間為空腔;以及設(shè)置于所述固定極板上,且朝向于所述振動(dòng)膜的多個(gè)凸起件,所述凸起件設(shè)置于所述固定極板的周側(cè)區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS器件結(jié)構(gòu),其特征在于:所述凸起件不設(shè)置于所述固定極板的中間區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS器件結(jié)構(gòu),其特征在于:所述平行板電容器還包括設(shè)置于所述基底與所述固定極板之間的隔離層,所述隔離層中間設(shè)置有所述空腔,所述振動(dòng)膜的固定于所述隔離層內(nèi),所述振動(dòng)膜的其他部分懸空于所述空腔內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MEMS器件結(jié)構(gòu),其特征在于:所述隔離層的材質(zhì)為二氧化硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS器件結(jié)構(gòu),其特征在于:所述凸起件到所述振動(dòng)膜平面的距離設(shè)置為1微米~2微米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS器件結(jié)構(gòu),其特征在于:所述固定極板及所述振動(dòng)膜的材質(zhì)為鋁。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS器件結(jié)構(gòu),其特征在于:各凸起件的材質(zhì)為氮化硅。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS器件結(jié)構(gòu),其特征在于:所述凸起件不少于3個(gè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS器件結(jié)構(gòu),其特征在于:所述凸起件為圓柱體結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS器件結(jié)構(gòu),其特征在于:與所述平行板電容器相對(duì)位置的所述基底上設(shè)有開口。
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