[實用新型]一種摻雜超晶格結構的黃綠光LED有效
| 申請號： | 201420570717.5 | 申請日： | 2014-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN204189816U | 公開（公告）日： | 2015-03-04 |
| 發明（設計）人： | 林鴻亮;張銀橋;張雙翔;楊凱;徐培強;李全素;王向武;李忠輝 | 申請（專利權）人： | 揚州乾照光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 揚州市錦江專利事務所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 摻雜 晶格 結構 黃綠 led | ||
【權利要求書】：
1.一種摻雜超晶格結構的黃綠光LED，包括GaAs襯底、GaAs緩沖層、布拉格反射層、N型限制層、有源層、P型限制層以及GaP窗口層，其特征在于，有源層為AlGa?InP摻雜超晶格結構層。
2.根據權利要求1所述的摻雜超晶格結構的黃綠光LED，其特征在于：在所述摻雜超晶格結構層和P型限制層之間設置非摻雜有源層。
3.根據權利要求1或2所述的摻雜超晶格結構的黃綠光LED，其特征在于：所述摻雜超晶格結構層的周期厚度為1nm～15nm，超晶格周期對數為2～120對。
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