[實用新型]分布式局域硼摻雜的雙面感光晶體硅太陽電池

有效

• 申請號: 201420373810.7
• 申請日: 2014-07-07
• 公開（公告）號: CN203967096U
• 公開（公告）日: 2014-11-26
• 發明（設計）人: 陳奕峰;劉斌輝;董建文;皮爾·威靈頓;馮志強
• 申請（專利權）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/0264;H01L31/18
• 代理公司: 常州市科誼專利代理事務所 32225
• 代理人: 孫彬

1.一種分布式局域硼摻雜的雙面感光晶體硅太陽電池，包括

一硅襯底(3)，其具有一正面和一背面；

一N型摻雜區(2)，其設在硅襯底(3)的正面上；

一正面減反鈍化膜(1)，其設在N型摻雜區(2)的上表面上；

一背面鈍化膜(4)，其設在硅襯底(3)的背面上；

其特征在于：

所述的背面鈍化膜(4)上開有多個去除通道，并且多個去除通道呈分布式短線陣列結構；

它還包括：

一正面電極層(7)，其設在正面減反鈍化膜(1)上，并且與N型摻雜區(2)接觸，正面減反鈍化膜(1)上未被正面電極層(7)覆蓋的區域形成正面感光區域；

一背面電極層(8)，其設在背面鈍化膜(4)上，并且背面鈍化膜(4)上未被背面電極層(8)覆蓋的區域形成背面感光區域；

一P型硼重摻雜層，其具有多個和去除通道對應的P型硼重摻雜區域(6)，P型硼重摻雜區域(6)呈分布式地設置，并且該P型硼重摻雜區域(6)的上側與硅襯底(3)接觸，下側通過去除通道與背面電極層(8)電性接觸。

2.根據權利要求1所述的分布式局域硼摻雜的雙面感光晶體硅太陽電池，其特征在于：所述的去除通道的短線圖形結構為：線寬為1～500μm，線長為0.1mm～100mm，在其寬度方向上，相鄰的去除通道的線間距為0.1mm～10mm。

3.根據權利要求1所述的分布式局域硼摻雜的雙面感光晶體硅太陽電池，其特征在于：所述的正面電極層(7)包括呈交叉狀態的正面主柵和正面細柵；所述的背面電極(8)包括呈交叉狀態的背面主柵和背面細柵，并且背面細柵與P型硼重摻雜層電性連接。

4.根據權利要求1或2或3所述的分布式局域硼摻雜的雙面感光晶體硅太陽電池，其特征在于：所述的正面感光區域面積占正面總區域的90％～98％，所述的背面感光區域占背面總區域的30％～95％。

5.根據權利要求1或2或3所述的分布式局域硼摻雜的雙面感光晶體硅太陽電池，其特征在于：所述的P型硼重摻雜層的摻雜濃度為1×10¹⁷～2×10²⁰cm^-3，摻雜深度為0.1～15μm。

6.根據權利要求1或2或3所述的分布式局域硼摻雜的雙面感光晶體硅太陽電池，其特征在于：所述的背面電極層(8)由銀或鋁或鎳或錫制成。

7.根據權利要求1或2或3所述的分布式局域硼摻雜的雙面感光晶體硅太陽電池，其特征在于：所述的正面電極層(7)由銀或鋁或銅或鎳或錫制成。