[實(shí)用新型]半導(dǎo)體天線

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420368164.5
• 申請(qǐng)日: 2014-07-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN203983464U
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-12-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡科娜
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 寧波鎮(zhèn)海弘潤(rùn)磁材科技有限公司
• 主分類號(hào): H01Q1/36
• 分類號(hào): H01Q1/36
• 代理公司: 余姚德盛專利代理事務(wù)所(普通合伙) 33239
• 代理人: 胡小永

1.一種半導(dǎo)體天線，包括有反射板（2），以及設(shè)于反射板上的復(fù)數(shù)個(gè)輻射單元，所述輻射單元包括有一支撐巴倫板（1），其特征在于：所述支撐巴倫板（1）上設(shè)有兩組、每組兩個(gè)、呈正五邊形的金屬振子片（3）；所述上下兩個(gè)金屬振子片（3）為一組，用于輻射垂直極化信號(hào)，所述左右兩個(gè)金屬振子片（3）為一組，用于輻射水平極化信號(hào)；所述上下兩個(gè)金屬振子片（3）之間設(shè)有第一饋電帶線（11），所述左右兩個(gè)金屬振子片（3）之間設(shè)有第二饋電帶線（12）；所述支撐巴倫板（1）上設(shè)有第一同軸電纜饋電（11a）孔，所述第一同軸電纜饋電（11a）孔與第一饋電帶線（11）電連接；所述支撐巴倫板（1）上還設(shè)有第二同軸電纜饋電（12a）孔，所述第二同軸電纜饋電（12a）孔與第二饋電帶線（12）電連接；

所述每個(gè)金屬振子片（3）的邊緣設(shè)有外隔離圈（4），所述每個(gè)金屬振子片（3）上靠近兩側(cè)分別設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)并排設(shè)置的第一隔離阻斷孔（6），所述每個(gè)金屬振子片（3）上的中部還設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)并排設(shè)置的第二隔離阻斷孔（7），第二隔離阻斷孔（7）均為矩形；所述外隔離圈（4）為半導(dǎo)體，所述第一隔離阻斷孔（6）以及第二隔離阻斷孔（7）內(nèi)均填充設(shè)有半導(dǎo)體；

所述每個(gè)金屬振子片（3）遠(yuǎn)離支撐巴倫板（1）的一側(cè)設(shè)有用于整流的整流結(jié)構(gòu)（5），所述整流結(jié)構(gòu)（5）為三角形，所述整流結(jié)構(gòu)（5）包括有復(fù)數(shù)個(gè)并排設(shè)置的整流槽，整流槽之間設(shè)有整流道（51）；所述整流槽內(nèi)也均填充設(shè)有半導(dǎo)體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體天線，其特征在于：所述第一隔離阻斷孔（6）為平行四邊形；所述第一隔離阻斷孔（6）的上下邊的長(zhǎng)度均為4mm-7mm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體天線，其特征在于：所述半導(dǎo)體為砷化鎵半導(dǎo)體。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體天線，其特征在于：所述每個(gè)金屬振子片（3）的厚度為2mm-2.5mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體天線，其特征在于：所述第二隔離阻斷孔（7）的上下邊的長(zhǎng)度為22mm-25mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體天線，其特征在于：所述第一隔離阻斷孔（6）的數(shù)量為六個(gè)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體天線，其特征在于：所述第二隔離阻斷孔（7）的數(shù)量為五個(gè)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體天線，其特征在于：所述第一同軸電纜饋電（11a）孔與第二同軸電纜饋電（12a）孔的距離大于4cm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體天線，其特征在于：所述支撐巴倫板（1）為圓形；所述支撐巴倫板（1）為PCB板，其直徑為10cm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體天線，其特征在于：所述金屬振子片（3）的每一條邊長(zhǎng)為6cm。