[實用新型]用于清理MOCVD設備沉積物的清理裝置有效
| 申請號: | 201420363313.9 | 申請日: | 2014-07-01 |
| 公開(公告)號: | CN204039496U | 公開(公告)日: | 2014-12-24 |
| 發明(設計)人: | 焦建軍 | 申請(專利權)人: | 圓融光電科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 劉芳 |
| 地址: | 243000 安徽省馬鞍山*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 清理 mocvd 設備 沉積物 裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及半導體領域技術,尤其涉及一種用于清理MOCVD設備沉積物的清理裝置。
背景技術
金屬有機化學氣相沉積MOCVD(metal-organic?chemical?vapor?deposition)設備,主要是用在半導體技術中生產發光二極管的設備。在進行化學反應時反應室內部會有反應沉積物的堆積,但在清理反應室中的殘留反應物的現存方法是將反應室拆開,并利用吸塵器將沉積物抽取干凈。但與此同時,大量的水汽、氧氣等吸附在腔體表面,在維護過后很難將這些吸附的水氧去除。反應室內壁材料吸附的水氧等如果不能有效的去除,在生長過程中水氧分子就會慢慢的釋放,反應室內部環境的恢復會持續很長的時間,同時會造成晶體質量差、芯片電壓高、亮度低等一系列問題。
實用新型內容
針對現有技術的缺陷,本實用新型實施例提供一種用于清理金屬有機化學氣相沉積MOCVD設備沉積物的清理裝置,包括:
用于設置在MOCVD設備的反應腔內的所述吸塵主體,所述吸塵主體包括一用于容納沉積物的中空腔體,以及設置在所述腔體上的、用于驅動所述腔體在所述MOCVD設備的反應腔內進行旋轉的驅動裝置;
所述腔體的側壁上還設置有一用于將所述MOCVD設備的反應腔底部的沉積物吸入到所述腔體內的管體。
進一步的,在所述吸塵主體的上壁上設置有至少一個的、用于去除所述MOCVD設備氣流蓋上的反應附著物的除塵毛刷。
所述腔體為圓柱體。
所述管體為軟管。
本實用新型實施例用于清理MOCVD設備沉積物的清理裝置,實現了在不拆開反應腔體的基礎上就可以將堆積于腔體內的沉積物清除干凈,避免了反應腔體內部與大氣接觸吸附水汽、氧氣等雜質。保持了反應腔體內部的潔凈度,提高了在腔體維護過后機器性能的穩定性。
附圖說明
為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖是本實用新型的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動性的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本實用新型用于清理MOCVD設備沉積物的清理裝置實施例的結構示意圖。
具體實施方式
為使本實用新型實施例的目的、技術方案和優點更加清楚,下面將結合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例是本實用新型一部分實施例,而不是全部的實施例?;诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├绢I域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本實用新型保護的范圍。
圖1為本實用新型用于清理MOCVD設備沉積物的清理裝置實施例的結構示意圖,如圖1所示,本實施例的裝置包括吸塵主體11,該吸塵主體11可以包括:中空腔體101、驅動裝置102、管體103,其中,腔體101用于容納沉積物。在腔體101上,還設置有驅動裝置102,該驅動裝置102用于驅動腔體101在MOCVD設備的反應腔內進行旋轉。在本實施例中,驅動裝置102可以為旋轉馬達,但并僅限于此。在腔體101的側壁上設置有管體103,管體103與腔體101連通,用于將MOCVD設備反應腔底部的沉積物吸入到腔體101中。
具體的,腔體101的形狀可以根據實際需求進行設置,在此不加限制,在本實施例中腔體101的形狀以圓柱體來舉例說明。管體103可以為軟管。該裝置11的尺寸由具體的MOCVD設備的反應腔體大小決定。
進一步的,在吸塵主體11的上壁上設置有至少一個除塵毛刷104,以使除塵毛刷104與MOCVD設備氣流蓋充分接觸,用于去除MOCVD設備氣流蓋上的反應附著物。除塵毛刷104的數量可以根據實際需求設置,在此不加以限制。
其中,具體的操作過程如下所述:
在實際操作過程中,將MOCVD設備沉積物的清理裝置11在真空條件下利用機械手臂傳送到MOCVD設備反應腔體中。
向MOCVD設備反應腔體內部通入氮氣,保持反應腔體內部壓強在760-800torr,同時保持氮氣的流量為100升/分鐘。
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C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





