[實用新型]單點垂直地震檢波器

有效

• 申請號: 201420292987.4
• 申請日: 2014-06-05
• 公開（公告）號: CN203870265U
• 公開（公告）日: 2014-10-08
• 發明（設計）人: 陳旋沛;魏長青;張二占;孫立坤
• 申請（專利權）人: 保定永誠天峰物探設備制造有限公司
• 主分類號: G01V1/18
• 分類號: G01V1/18
• 代理公司: 保定市燕趙恒通知識產權代理事務所 13121
• 代理人: 周獻濟

技術領域

本實用新型涉及一種地震檢波器，尤其涉及一種單點垂直地震檢波器。

背景技術

地震檢波器是用于地質勘探和工程測量的專用傳感器，是一種將地面振動轉變為電信號的傳感器，它是利用人工地震在地層中產生振動信號，根據設計要求在距離激發點不同的地方布置傳感器接收振動信號，然后對接收的振動信號進行處理、解釋，根據信號的頻率、振幅、速度等信息分析不同深度地層的屬性、構造的形態等，從而初步判斷是否具有生油、儲油條件，最后提供鉆探的井位。但現有大型的精度高的單點垂直地震檢波器主要是美國喬斯佩斯公司生產的轉芯結構檢波器。該地震檢波器的殼體內設有上線圈架和下線圈架；上線圈架和下線圈架相互插接并粘接固定在一起，兩體的線圈架連接可靠性差，在頻繁的振動中容易散開，使用壽命短。上線圈架和下線圈架外分別設有上、下線圈，且上線圈架和下線圈架的線圈之間必須絕緣；上線圈架和下線圈架內中間設有磁鋼和補償環，兩端設有鍍銀的上、下磁靴，上、下線圈的上、下邊緣與上、下磁靴的上、下邊一致，磁場窄，繞組寬，上、下線圈在上、下運動時，一部分線圈在做無用功，導致線圈的浪費，還有上、下彈簧片一旦變形，繞組就不完全處于磁場內，導致磁場不均勻，輸出不穩定；殼體上端設有上蓋，殼體下端設有下蓋，上蓋和下蓋分別通過鍍金的上彈簧片、上內接觸片、下彈簧片、下墊片壓接在上磁靴和下磁靴上，上蓋上還設有正負極絕緣子接線柱和絕緣板；正負極接線柱通過與上、下彈簧片、上內接觸片、下墊片和上、下磁靴接觸導電，存在接觸不良時通時斷現象，影響著信號的輸出，且上、下彈簧片、上內接觸片、下墊片需要鍍金，上、下磁靴需要鍍銀，增大了成本，工藝復雜；其結構復雜，裝配困難、勞動力成本高，總之現有的單點地震檢波器使用可靠性差，使用壽命短，結構復雜，裝配困難，成本高，抗跌落次數小于2000次。

實用新型內容

本實用新型的目的就是解決現有技術中存在的上述問題，提供一種單點垂直地震檢波器，該檢波器結構簡單，成本低，使用可靠性高，使用壽命長，抗跌落次數8000次以上；窄繞組、寬磁場，磁場更均勻、輸出更穩定。??

為實現上述目的，本實用新型的技術解決方案是：一種單點垂直地震檢波器，包括外殼，壓接固定在外殼上、下端部的上蓋和下蓋，設置在外殼內的線圈架，纏繞在線圈架外的上、下線槽內的上、下線圈，設置在線圈架內的磁鋼和上、下磁靴，上彈簧片、下彈簧片和絕緣板；其特征在于：其還包括兩個單引線絕緣子接線柱、導電引線簧和接線柱；兩個單引線絕緣子接線柱固定在上蓋上，其與上蓋之間填充絕緣材料，其下端焊接導電引線簧，導電引線簧下端焊接在絕緣卡接在線圈架接線柱孔內的接線柱上，接線柱另一端與上、下線圈的引出端子焊接連接；線圈架為一體件，其下端壓接在下彈簧片外緣上，下磁靴下端壓接在套在下蓋凸臺上的下彈簧片內緣上，線圈架上端部凹槽壓接在上彈簧片外緣上，上磁靴上端壓接在套在上蓋下凸臺上的上彈簧片內緣上；導電引線簧位于線圈架與上蓋之間的空間內；上磁靴的上端高于上線圈的上端，下磁靴的下端低于下線圈的下端；上、下彈簧片主筋的變形方向均為逆時針。

上述所述的本實用新型還包括補償環，補償環連接在上、下磁靴之間，套在磁鋼外并與磁鋼外圓接觸。補償環的增加，使溫度的變化帶給輸出信號失真度小。

上述所述的上磁靴的下端、下磁靴的上端分別有與磁鋼外壁相匹配的卡接槽A和卡接槽B；磁鋼卡接在上、下磁靴的卡接槽A和卡接槽B內，補償環連接在卡接槽A的下端面和卡接槽B上端面之間。這種結構使上磁靴和下磁靴的寬度大于上、下線圈的寬度，形成窄繞組，寬磁場的目的；磁場更均勻、輸出更穩定。

上述所述的線圈架上端部凹槽壓接在上彈簧片外緣上的結構是：凹槽為梯形凹槽，梯形一邊與水平方向夾角為20°±1.5°、另一邊與水平方向夾角30°±1.5°；上彈簧片外緣置于線架內，由嵌入凹槽內，兩端支撐在凹槽兩個壁上的C形圓形卡簧壓接在凹槽內。其壓接可靠性高，容易拆卸。

上述所述的線圈架上端部凹槽壓接在上彈簧片外緣上的結構也可是：所述的凹槽處有上彈簧片外緣的線架容納臺，圓形卡簧壓接上彈簧片外緣并卡接在線架容納臺內。

所述的上蓋下凸臺高度為8.2?mm，下蓋凸臺高度為4.2mm。上蓋下凸臺和下蓋凸臺高度比現有技術的凸臺分別增高了2.6mm和1mm，使線圈的位移峰值由1.5mm變成3.5mm，位移峰值的變大，使輸出信號變大，靈敏度變高，靈敏度由20v/m/s增大到85.8v/m/s。