[實用新型]雙向觸發二極管芯片

有效

• 申請號: 201420290981.3
• 申請日: 2014-05-30
• 公開（公告）號: CN204088329U
• 公開（公告）日: 2015-01-07
• 發明（設計）人: 王英杰;徐敏杰;劉憲成;崔建
• 申請（專利權）人: 杭州士蘭集成電路有限公司
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L21/329
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種雙向觸發二極管芯片，其特征在于，包括：?

形成于一襯底正面上的外延層；?

形成于所述襯底與外延層之間的埋層；?

形成于所述外延層中的基區、二極管摻雜區、電阻區；?

形成于所述基區中的發射區；以及?

貫穿所述外延層并延伸至襯底中的隔離槽。?

2.如權利要求1所述的雙向觸發二極管芯片，其特征在于，所述埋層、外延層、發射區的導電類型相同，所述襯底、隔離槽、基區、電阻區、發射區的導電類型相同，所述埋層、外延層、基區、發射區構成雙極型晶體管，所述襯底、埋層構成第一二極管，所述二極管摻雜區、埋層、外延層構成第二二極管，所述襯底、隔離槽構成第一電阻，所述電阻區構成第二電阻。?

3.如權利要求2所述的雙向觸發二極管芯片，其特征在于，所述埋層、外延層、發射區的導電類型是N型，所述襯底、隔離槽、基區、電阻區、二極管摻雜區的導電類型是P型。?

4.如權利要求2所述的雙向觸發二極管芯片，其特征在于，還包括：?

形成于所述襯底背面的背面電極；?

覆蓋所述外延層的絕緣層，所述絕緣層具有暴露所述發射區、二極管摻雜區以及隔離槽的開口；以及?

形成于所述襯底正面的正面電極，所述正面電極通過所述開口與所述發射區、二極管摻雜區以及隔離槽連接。?