[實用新型]沖洗裝置

有效

• 申請號: 201420260156.9
• 申請日: 2014-05-20
• 公開（公告）號: CN203955603U
• 公開（公告）日: 2014-11-26
• 發明（設計）人: 趙合明;劉軒
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: B08B3/02
• 分類號: B08B3/02;B08B3/08
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

技術領域

本實用新型涉及半導體領域，尤其涉及一種沖洗裝置。

背景技術

刻蝕是集成電路制造工藝中相當重要的步驟，其是與光刻相聯系的圖形化(pattern)處理的一種主要工藝。在集成電路的制造中，通常通過刻蝕工藝將沉積在半導體襯底上的材料，比如二氧化硅、氮化硅、多晶硅、金屬、金屬硅化物和單晶硅以預定好的圖形刻蝕形成柵、通路、接觸孔、溝道或者互連線。

在刻蝕工藝中，刻蝕殘余物(經常指聚合物)會沉積在襯底表面上，刻蝕殘余物的組成依賴于蒸發的刻蝕氣體的類型、被刻蝕的材料、以及襯底上掩模層的化學組成。例如，當被刻的是金屬層，例如鋁等，對金屬層的刻蝕會導致金屬物質的蒸發。另外，襯底上的掩模層也會部分的被刻蝕氣體蒸發出來形成氣態的烴、氟代烴、氯代烴或者含氧物質。這些蒸發的氣態物質冷凝下來，形成包括聚合副產物的刻蝕劑的殘余物。所述聚合副產物包括硅氟化物、金屬氯化物或者氧氣以及高度氟代和/或氯代的烴。為此，在刻蝕工藝完成后，需通過沖洗裝置沖洗襯底以去除由于刻蝕在其表面形成的聚合物(polymer)。

如圖1所示，現有的沖洗裝置包含腔室10，注入管道20和沖洗管道30，襯底放置于沖洗管道30的出口處。沖洗前，通過注入管道20向腔室10中注入一定量的沖洗液1。當需要沖洗時，開啟沖洗管道30上的泵31，沖洗液1即可從腔室10的內部被壓出用于沖洗襯底。

然而，在現有沖洗裝置中，注入管道20注入沖洗液1時往往會將腔室10中的氧氣帶入并溶解到沖洗液1中。如此一來，當沖洗帶有金屬層的襯底時，沖洗液中過多的溶解氧會造成襯底中的金屬層被氧化而損傷，導致晶圓良率降低甚至報廢。

實用新型內容

為解決現有技術中的沖洗裝置易損壞襯底中的金屬層的問題，本實用新型提供了一種沖洗裝置，包含：腔室，連通所述腔室的注入管道以及沖洗管道，還包含連接所述腔室的凈化裝置。

進一步的，所述沖洗裝置中，所述注入管道延伸至所述腔室內部并靠近所述沖洗管道。

進一步的，所述沖洗裝置中，所述注入管道從所述腔室的上方進入所述腔室，所述沖洗管道連接所述腔室的下方。

進一步的，所述沖洗裝置中，所述凈化裝置連接所述腔室的上方。

進一步的，所述沖洗裝置中，所述凈化裝置包括進氣管道和出氣管道。

進一步的，所述沖洗裝置中，所述凈化裝置還包含設置于所述進氣管道上的閥門。

進一步的，所述沖洗裝置中，所述凈化裝置還包含設置于所述出氣管道上的閥門。

相比于現有技術，本實用新型的沖洗裝置增加了凈化裝置，通過進氣管道和出氣管道將凈化氣體注入腔室中以取代腔室中的氧氣，并能通過閥門使腔室中保持一定的壓力。

另外，將注入管道加長，延伸至腔室的底部，防止了將腔室中上部的氧氣帶入沖洗液中，更好地實現了減少沖洗液中的溶解氧，以達到保護襯底上金屬層的目的。

附圖說明

圖1為現有的沖洗裝置示意圖。

圖2為本實用新型一實施例所述沖洗裝置示意圖。

具體實施方式

以下結合附圖和具體實施例對本實用新型作進一步詳細說明。根據下面說明和權利要求書，本實用新型的優點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比率，僅用以方便、明晰地輔助說明本實用新型實施例的目的。

如圖2所示，本實施例的沖洗裝置包含腔室100、連通腔室100的注入管道200以及沖洗管道300，其中注入管道200從腔室100的上方連通所述腔室100，沖洗管道300連接腔室100的下方，并通過泵310鎖住沖洗液1，使得腔室100中可以儲存一定量的沖洗液1。

通常情況下，沖洗液1通過注入管道200裝入腔室100后，腔室100中會儲存一定量的沖洗液1。當需要沖洗襯底時，開啟泵310使沖洗液1從腔室100內部噴出至襯底表面即可。

具體的，所述沖洗液1例如是ST250溶液，其可去除襯底表面刻蝕后殘留的聚合物，當然亦可是其他化學液。

注入管道200延伸至所述腔室100的底部靠近沖洗管道300的位置，盡可能地減少注入管道200將腔室100中的氧氣帶入沖洗液1中。當沖洗液從注入管道200進入后，很快即可填滿沖洗管道300并隨后淹沒注入管道200在腔室100內的開口，之后當沖洗液1繼續進入腔室100時，便不會帶入腔室100中的氧氣并溶解到沖洗液1中。