[實用新型]抑制電極以及離子注入機

有效

• 申請號: 201420258903.5
• 申請日: 2014-05-20
• 公開（公告）號: CN203895408U
• 公開（公告）日: 2014-10-22
• 發明（設計）人: 陳曉;栗保安;劉群超
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01J37/30
• 分類號: H01J37/30
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

技術領域

本實用新型涉及半導體分析技術領域，特別是涉及一種抑制電極以及離子注入機。

背景技術

在半導體工藝制造過程中，需要采用離子注入機，在半導體材料的預定區域中摻雜預先確定濃度的雜質離子，從而改變該區域中的電傳輸特性。

一般的，離子注入機的電弧腔用于產生離子，然而，從電弧腔中激發出來的離子的方向是散亂的，無法形成離子束，所以，需要在電弧腔的外沿設置一個抑制電極（suppression?electrode），將電弧腔產生離子吸引并整流為均具有特定方向的離子束流。

圖1、圖2為現有技術中抑制電極的示意圖，如圖1所示，在現有技術中，抑制電極1為具有一定厚度的板，抑制電極1中具有一縫隙11，抑制電極1具有一入射面1a。如圖3所示，向抑制電極1施加電壓，電弧腔產生的離子20從入射面1a進入縫隙11，部分離子20穿過縫隙11后，而完成整流過程，形成具有特定方向的離子束流20’。

然而，在現有技術中，抑制電極1只能對離子束流的形狀進行調整，無法調整離子束流的方向。如圖4所示，當離子20非垂直入射面流入縫隙11時，穿過縫隙11的離子20保持原來的流動方向，造成離子束流20’的方向不具有可控性。

實用新型內容

本實用新型的目的在于，提供一種抑制電極以及離子注入機，能夠精確地控制離子束流的方向。

為解決上述技術問題，本實用新型提供一種抑制電極，所述抑制電極包括一入射板，所述入射板包括至少三個入射板電極以及一入射板孔，所述至少三個入射板電極旋轉排列形成所述入射板孔，每一所述入射板分別連接一可調電壓。

可選的，在所述抑制電極中，所有的所述入射板為半徑相等的扇形板，每一扇形板的圓心處均具有一缺角，所有的所述扇形板排列為一圓形板，所有的所述缺角形成所述入射板孔。

可選的，在所述抑制電極中，所述入射板包括四個所述入射板。

可選的，在所述抑制電極中，所有的所述扇形的圓心角的角度均相同。

可選的，在所述抑制電極中，相鄰的所述入射板間隔設置，所述間隔的寬度為1mm～5mm。

可選的，在所述抑制電極中，所述入射板的厚度為1mm～5mm。

可選的，在所述抑制電極中，所述抑制電極還包括：

后板，所述后板包括一后板孔，所述后板孔正對所述入射板孔；以及

用于連接固定所述入射板和后板的絕緣連接件。

可選的，在所述抑制電極中，所述后板孔為圓角矩形。

可選的，在所述抑制電極中，所述后板孔的寬度為3mm～8mm，所述后板孔的長度為40mm～55mm。

可選的，在所述抑制電極中，所述入射板孔為橢圓形，所述橢圓形的長軸方向對應所述圓角矩形的長度方向，所述橢圓形的短軸方向對應所述圓角矩形的寬度方向。

可選的，在所述抑制電極中，所述入射板孔的短軸直徑大于等于所述后板孔的寬度，并小于等于所述后板孔的兩倍寬度。

可選的，在所述抑制電極中，所述后板還包括一后板電極和一用于支撐所述后板電極的后板支架，所述后板孔設置于所述后板電極中，所述后板電極設置于所述后板支架中。

可選的，在所述抑制電極中，所述絕緣連接件連接所述后板支架。

可選的，在所述抑制電極中，所述絕緣連接件包括多個實心棒，所述實心棒的一端連接所述入射板，所述實心棒的另一端連接所述后板。

可選的，在所述抑制電極中，所述后板的厚度為5mm～15mm。

可選的，在所述抑制電極中，所述入射板與后板之間的距離為30mm～80mm。

根據本實用新型的另一面，本實用新型還提供一種離子注入機，包括如上所述的任意一種抑制電極。

與現有技術相比，本實用新型提供的抑制電極以及離子注入機具有以下優點：

在本實用新型提供的抑制電極以及離子注入機中，所述抑制電極包括一入射板，所述入射板包括至少三個入射板電極以及一入射板孔，所述至少三個入射板電極旋轉排列形成所述入射板孔，每一所述入射板分別連接一可調電壓，與現有技術相比，電弧腔產生的離子被吸引流入所述入射板孔，通過調整每一所述入射板電極所連接的可調電壓的電壓大小，改變所述入射板孔內的電場方向，從而改變所述離子的流動方向，使得流過所述入射板孔后形成的離子束流的方向具有可控性。

附圖說明

圖1為現有技術中抑制電極的立體圖；

圖2為現有技術中抑制電極的主視圖；

圖3為現有技術中離子垂直入射面流入縫隙時抑制電極的左視圖；