[實用新型]用于駐極體麥克風的高增益前置放大器及駐極體麥克風有效
| 申請號： | 201420243692.8 | 申請日： | 2014-05-13 |
| 公開（公告）號： | CN203942499U | 公開（公告）日： | 2014-11-12 |
| 發明（設計）人： | 淮永進;孫茂友;徐鴻卓;韋仕貢;唐曉琪;藺增金;張彥秀 | 申請（專利權）人： | 北京燕東微電子有限公司;深圳市銳迪芯電子有限公司 |
| 主分類號： | H03F3/185 | 分類號： | H03F3/185 |
| 代理公司： | 北京正理專利代理有限公司 11257 | 代理人： | 張雪梅 |
| 地址： | 100015 北京市朝陽區東直門*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 駐極體 麥克風 增益 前置放大器 | ||
1.一種駐極體麥克風用高增益前置放大器，該放大器由兩級電路組成，其中第一級放大電路用PMOS源極跟隨器作為輸入端，第二級放大電路是用NMOS共源極放大器，第一級放大電路到第二級放大電路用鏡像電流源來實現。
2.一種駐極體麥克風用高增益前置放大器，該放大器包括PMOS晶體管、第一和第二NMOS晶體管，以及電流源，
其特征在于，
所述PMOS晶體管的柵極用作該放大器的輸入端，所述第二NMOS晶體管的漏極用作該放大器的輸出端，
所述電流源的第一端與第二NMOS晶體管的漏極連接，第二端與所述PMOS晶體管的源極和第一NMOS晶體管的漏極連接，
所述第一和第二NMOS晶體管的柵極連接，并且
所述PMOS晶體管的漏極以及第一和第二NMOS晶體管的源極接地。
3.如權利要求1或2所述的駐極體麥克風用高增益前置放大器，其特征在于，PMOS晶體管的柵極通過電阻器或電阻性器件接地。
4.如權利要求1或2所述的駐極體麥克風用高增益前置放大器，其特征在于，所述電流源以第一電阻器實現。
5.如權利要求1或2所述的駐極體麥克風用高增益前置放大器，其特征在于，所述電流源以耗盡型NMOS晶體管和第二電阻器實現。
6.如權利要求5所述的駐極體麥克風用高增益前置放大器，其特征在于，所述耗盡型NMOS晶體管的漏極作為所述電流源的第一端，所述耗盡型NMOS晶體管的源極串聯連接所述第二電阻器后與其柵極連接作為所述電流源的第二端。
7.如權利要求1或2所述的駐極體麥克風用高增益前置放大器，其特征在于，所述電流源以兩個PMOS晶體管和參考電流源的方式實現。
8.如權利要求2所述的駐極體麥克風用高增益前置放大器，其特征在于，所述第一和第二NMOS晶體管的源極分別通過電阻器或電阻性器件接地。
9.如權利要求2所述的駐極體麥克風用高增益前置放大器，其特征在于，該前置放大器進一步包括耦合在第一和第二NMOS器件的柵極之間的低通濾波器。
10.一種駐極體麥克風，包括如權利要求1所述的駐極體麥克風用高增益前置放大器。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京燕東微電子有限公司;深圳市銳迪芯電子有限公司，未經北京燕東微電子有限公司;深圳市銳迪芯電子有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201420243692.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種電力線載波通信系統
- 下一篇：光伏發電站用新型匯流箱
