[發明專利]自對準硅化物膜制程及結構

無效

• 申請號: 200710045077.0
• 申請日: 2007-08-21
• 公開（公告）號: CN101373716A
• 公開（公告）日: 2009-02-25
• 發明（設計）人: 孫昌;王艷生;廖奇泊;王蕾;郭君
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/31
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 陸嘉

1.一種自對準硅化物SAB制程，用于制作需要使用非自對準硅化物器件的制程中，該SAB制程包括：

沉積SAB膜，該SAB膜為ONO結構；

對SAB膜進行光刻；

進行非自對準硅化物器件的制作；

對SAB膜進行干法刻蝕，其中該干法刻蝕過程為端點控制過程；

對SAB膜進行濕法刻蝕。

2.如權利要求1所述的SAB制程，其特征在于，

所述ONO結構包括依次疊加的第一SiO₂層、SiON層和第二SiO₂層。

3.如權利要求2所述的SAB制程，其特征在于，

該干法刻蝕過程的端點為SiON層和第二SiO₂層的分界面。

4.如權利要求3所述的SAB制程，其特征在于，

該干法刻蝕過程的端點由光反射性能參數確定。

5.如權利要求1-4中任一項所述的SAB制程，其特征在于，所述干法刻蝕過程包括：

使用第一刻蝕氣體刻蝕第一SiO₂層；

檢測第一SiO₂層和SiON層的分界面，切換第二刻蝕氣體；

使用第二刻蝕氣體刻蝕第二SiON層。

6.如權利要求5所述的SAB制程，其特征在于，

所述檢測第一SiO₂層和SiON層的分界面通過光反射性能參數確定。

7.一種自對準硅化物SAB膜結構，其中，該SAB膜為ONO結構。

8.如權利要求7所述的SAB膜結構，其特征在于，

所述ONO結構包括依次疊加的第一SiO₂層、SiON層和第二SiO₂層。

9.如權利要求8所述的SAB膜結構，其特征在于，

該第一SiO₂層和SiON層具有不同光反射性能參數；以及

該SiON層和第二SiO₂層具有不同光反射性能參數。

10.如權利要求9所述的SAB膜結構，其特征在于，

該SiON層為無機抗反射鍍膜DARC。