[實用新型]有源矩陣有機電致發光器件陣列基板和顯示裝置有效
| 申請號: | 201420222722.7 | 申請日: | 2014-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN203850301U | 公開(公告)日: | 2014-09-24 |
| 發明(設計)人: | 王繼亮;李重君 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有源 矩陣 有機 電致發光 器件 陣列 顯示裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及顯示技術領域,特別是涉及一種有源矩陣有機電致發光器件陣列基板和一種顯示裝置。?
背景技術
OLED(Organic?Light-Emitting?Diode,有機電致發光器件,簡稱OLED)顯示屏由于具有薄、輕、寬視角、主動發光、發光顏色連續可調、成本低、響應速度快、能耗小、驅動電壓低、工作溫度范圍寬、生產工藝簡單、發光效率高及可柔性顯示等優點,已被列為極具發展前景的下一代顯示技術。?
OLED依據驅動方式的不同,可分為無源矩陣驅動(Passive?Matrix,簡稱PM)PMOLED與有源矩陣驅動(Active?Matrix,簡稱AM)AMOLED兩種。其中,PMOLED以陰極、陽極構成矩陣狀,以掃描方式點亮陣列中的像素,每個像素都是操作在短脈沖模式下,為瞬間高亮度發光,其結構簡單,可以有效降低制造成本,但其驅動電壓較高,不適合應用在大尺寸、高分辨率的顯示面板中。AMOLED則是采用獨立的薄膜晶體管(Thin?Film?Transistor,簡稱TFT)去控制每個像素,每個像素皆可以連續且獨立的驅動發光,AMOLED的驅動電壓較低,壽命較長,可應用于大尺寸平板顯示,但其制作工藝較為復雜,成本相對較高。AMOLED依據出光方式的不同可分為頂發射型(光從上基板射出)和底發射型(光從下基板射出)兩種。?
對于電壓驅動的AMOLED,從一幀的數據寫入到下一幀的數據寫入,薄膜晶體管的柵極電壓由存儲電容來維持。由于薄膜晶體管漏電流的存在,存儲電容所存儲的電壓會逐漸減小,造成薄膜晶體管的柵極電位改變,進而影響到流過像素的電流和像素的發光亮度,為解決此問題,通常將存儲電容的面積設計得足夠大來增加電壓的持續時間。?
如圖1和圖2所示,傳統AMOLED陣列基板的結構中,存儲電容100設計在薄膜晶體管30的柵極2與源極3之間,柵極2與源極3位置相對的部分充當存儲電容100的兩個極板,柵極絕緣層6充當電介質。由于柵極2與源極3材質的不透光性,大面積的存儲電容100占用了很大的發光面積,從而致使像素的開口率較低(像素開口率指像素可發光面積占像素面積的比率);其次,存儲電容100的極板與柵線或數據線位于同一層,其間會產生很大的寄生電容,從而影響到數據信號的傳輸及準確性;再次,由于存儲電容100的極板與薄膜晶體管30的源極3連接,源極3的電位與流過薄膜晶體管30的電流有關,薄膜晶體管30電流的變化也會引起源極3電位的變化,因此,極易造成數據信號的寫入失真,AMOLED顯示屏在點亮后會出現亮度跳變,像素的亮度不能滿足灰階信號所要求的亮度,顯示效果不夠理想。?
實用新型內容
本實用新型實施例提供了一種有源矩陣有機電致發光器件陣列基板和一種顯示裝置,以提高顯示裝置的像素開口率,提升顯示品質。?
本實用新型實施例提供的有源矩陣有機電致發光器件陣列基板,包括陣列排布的多個像素單元,每個像素單元包括基板和位于基板上且陣列排布的多個像素單元,每個所述像素單元包括薄膜晶體管、有機電致發光器件和存儲電容下極板,其中:?
所述存儲電容下極板與所述薄膜晶體管的柵極電連接;?
所述有機電致發光器件的頂電極位于所述存儲電容下極板的上方且與所述存儲電容下極板之間通過像素界定層間隔,所述有機電致發光器件的頂電極與所述存儲電容下極板位置相對的部分作為存儲電容上極板。?
在本實用新型技術方案中,存儲電容上、下極板之間通過像素界定層間隔,像素界定層位于存儲電容上、下極板之間的部分充當存儲電容的電介質,由于像素界定層本身已占用一定的發光面積,存儲電容的上、下極板設置在像素界?定層的兩側無需另外再占用發光面積,因此,相比于現有技術,不透光的柵極和源極的面積可以設計的相對較小,大大提高了顯示裝置的像素開口率;此外,存儲電容的上、下極板與薄膜晶體管的源極無電性連接,數據傳輸的穩定性較好,更有利于顯示裝置顯示輸入信號所要求的亮度,顯示品質進一步提升。?
優選的,所述存儲電容下極板與所述有機電致發光器件的底電極材質相同且位于同層。存儲電容下極板與有機電致發光器件的底電極可以通過同一次構圖工藝形成,不增加制造成本。?
優選的,所述存儲電容下極板與所述薄膜晶體管的柵極通過第一絕緣層過孔電連接。該方案可實現存儲電容下極板與柵極之間的可靠連接。進一步,存儲電容的上、下極板與柵線和數據線均不同層,大大降低了寄生電容,提高了數據信號傳輸的準確性。?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





