[實用新型]背照式CMOS圖像傳感器

有效

• 申請號: 201420208875.6
• 申請日: 2014-04-25
• 公開（公告）號: CN203826392U
• 公開（公告）日: 2014-09-10
• 發明（設計）人: 李杰;李文強
• 申請（專利權）人: 格科微電子(上海)有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L29/423;H01L29/78
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 鄭立柱

1.一種背照式CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述CMOS圖像傳感器包括：

光電二極管，通過在第一導電類型半導體襯底內形成第二導電類型區域，從而形成光電二極管，其中，所述第二導電類型區域作為光生載流子收集區；

浮置擴散區，形成于所述第一導電類型半導體襯底內，具有第二導電類型摻雜；以及

傳輸晶體管，所述的傳輸晶體管的源極為所述光電二極管的所述第二導電類型區域、漏極為所述浮置擴散區；所述的傳輸晶體管還包括多晶硅柵極，所述多晶硅柵極覆蓋傳輸晶體管的傳輸溝道區域，并至少部分覆蓋所述光電二極管；所述多晶硅柵極采用非均勻摻雜，使得所述傳輸晶體管的溝道區內的電勢呈階梯形分布。

2.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述傳輸晶體管還包括位于所述光電二極管的第二導電類型區域與所述半導體襯底表面之間的具有第一導電類型的隔離區。

3.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述多晶硅柵極沿靠近所述浮置擴散區至靠近所述光電二極管依次包括：具有第二導電類型的第二柵極子區域、具有第一導電類型的第一柵極子區域，其中，所述第一柵極子區域至少部分覆蓋所述光電二極管；所述第二柵極子區域至少部分覆蓋所述傳輸晶體管的溝道。

4.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述多晶硅柵極沿靠近所述浮置擴散區經過所述傳輸晶體管溝道至所述光電二極管依次包括：第二柵極子區域具有第二導電類型重摻雜、第四柵極子區域具有第二導電類型輕摻雜、第三柵極子區域具有第一導電類型輕摻雜、第一柵極子區域具有第一導電類型重摻雜。

5.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述多晶硅柵極沿靠近所述浮置擴散區至靠近所述光電二極管依次包括：第二柵極子區域具有第二導電類型摻雜、未經摻雜的第三柵極子區域、第一柵極子區具有第一導電類型摻雜；其中，所述第一柵極子區域至少部分覆蓋所述光電二極管。

6.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述多晶硅柵極沿靠近所述浮置擴散區至靠近所述光電二極管依次包括：第二柵極子區具有第二導電類型重摻雜、第一柵極子區域具有第二導電類型輕摻雜；其中，所述第一柵極子區域至少部分覆蓋所述光電二極管。

7.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述的多晶硅柵極表面上還覆蓋有金屬硅化物層。

8.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述的第一導電類型為P型，所述第二導電類型為N型。