[實用新型]一種GaN 基LED的PGaN外延結構有效

申請號：	201420196883.3	申請日：	2014-04-22
公開（公告）號：	CN203850328U	公開（公告）日：	2014-09-24
發明（設計）人：	王愛民;潘鵬;袁鳳坡;王波;周曉龍	申請（專利權）人：	同輝電子科技股份有限公司
主分類號：	H01L33/06	分類號：	H01L33/06
代理公司：	石家莊國為知識產權事務所 13120	代理人：	米文智
地址：	050200 河北省石***	國省代碼：	河北;13
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種 gan led pgan 外延結構
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【權利要求書】：

1.一種GaN?基LED的PGaN外延結構，從下向上依次包括襯底（1）、低溫GaN?緩沖層（2）、第一GaN非摻雜層（3）、N型GaN層（4）、電子發射層（5）、發光量子阱層（6）、PAlGaN/PInGaN電子阻擋層（7）、高溫P?型GaN層（8）和P?型接觸層（10），其特征在于其還包括第二GaN非摻雜層（9），所述第二GaN非摻雜層（9）位于高溫P型GaN層（8）和P?型接觸層（10）之間。

2.根據權利要求1所述的一種GaN基LED的PGaN外延結構，其特征在于：所述第二GaN非摻雜層（9）的厚度為5-50nm。

3.根據權利要求2所述的一種GaN基LED的PGaN外延結構，其特征在于：所述第二GaN非摻雜層（9）的厚度為10-20nm。

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