[實(shí)用新型]低反向漏電流的單向瞬態(tài)電壓抑制芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420192321.1
• 申請(qǐng)日: 2014-04-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN203895465U
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-10-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 管國(guó)棟;孫玉華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州固锝電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L29/861
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103
• 代理人: 馬明渡;王健

1.一種低反向漏電流的單向瞬態(tài)電壓抑制芯片，包括表面具有重?fù)诫sN型區(qū)（2）的重?fù)诫sP型單晶硅片（1），此重?fù)诫sN型區(qū)（2）與重?fù)诫sP型單晶硅片（1）接觸，重?fù)诫sN型區(qū)（2）四周具有溝槽（4），此溝槽（4）位于重?fù)诫sP型單晶硅片（1）和重?fù)诫sN型區(qū)（2）四周并延伸至重?fù)诫sP型單晶硅片（1）的中部；所述溝槽（4）的表面覆蓋有絕緣鈍化保護(hù)層（5），此絕緣鈍化保護(hù)層（5）由溝槽（4）底部延伸至重?fù)诫sN型區(qū)（2）表面的邊緣區(qū)域，重?fù)诫sN型區(qū)（2）的表面覆蓋作為電極的第一金屬層（6），重?fù)诫sP型區(qū)（1）表面覆蓋作為另一個(gè)電極的第二金屬層（7）；其特征在于：所述重?fù)诫sP型單晶硅片（1）與重?fù)诫sN型區(qū)（2）接觸的上部區(qū)域且位于邊緣的四周區(qū)域具有輕摻雜N型區(qū)（3），此輕摻雜N型區(qū)（3）的上表面與重?fù)诫sN型區(qū)（2）的接觸，此輕摻雜N型區(qū)（3）的外側(cè)面與溝槽（4）接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單向瞬態(tài)電壓抑制芯片，其特征在于：所述輕摻雜N型區(qū)（3）與重?fù)诫sP型單晶硅片（1）的接觸面為弧形面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的單向瞬態(tài)電壓抑制芯片，其特征在于：所述輕摻雜N型區(qū)（3）的濃度擴(kuò)散結(jié)深大于重?fù)诫sN型區(qū)（2）的濃度擴(kuò)散結(jié)深，比值為1.5~2：1。