[實(shí)用新型]一種用于直流弧放電高密度等離子體發(fā)生裝置的冷卻板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420180803.5
• 申請日: 2014-04-15
• 公開（公告）號(hào): CN204335131U
• 公開（公告）日: 2015-05-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 芶富均
• 申請（專利權(quán)）人: 芶富均
• 主分類號(hào): H05H1/34
• 分類號(hào): H05H1/34;H05K7/20
• 代理公司: 無
• 代理人: 無

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種用于直流弧放電高密度等離子體發(fā)生裝置的冷卻板。

背景技術(shù)

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）是制備晶硅和薄膜太陽能電池的關(guān)鍵設(shè)備。按等離子體源與樣品的關(guān)系可將PECVD技術(shù)分為直接和間接技術(shù)。多級(jí)直流弧放電等離子體PECVD技術(shù)是間接PECVD技術(shù)一種，這種沉積裝置中等離子體源和沉積腔室間的壓力相差很大，達(dá)到亞大氣壓，在這種等離子體源中氬氣氣體的離化率可達(dá)10%，NH₃分解率可達(dá)100%。這樣陽極噴嘴噴出的等離子體噴射擴(kuò)展到沉積腔室時(shí)會(huì)有大量活性的離子或中性原子存在，而且低壓的沉積腔室可以有效的避免不同活性粒子之間的復(fù)合。由于實(shí)現(xiàn)了樣品和等離子體源的分離，可以降低等離子體中離子對薄膜的濺射和損傷,實(shí)現(xiàn)高速的沉積率，達(dá)到20nm/s（普通的射頻等離子體源沉積速率是30nm/min）。目前多級(jí)直流弧放電等離子體發(fā)生裝置存在的問題是：由于冷卻板焊接工藝不能保證，容易造成冷卻水泄漏現(xiàn)象，造成設(shè)備經(jīng)常停機(jī)維護(hù)。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于提供一種用于直流弧放電高密度等離子體發(fā)生裝置的冷卻板，該冷卻板能增大薄膜沉積面積、提高薄膜沉積效率。

為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用的解決方案是：其上設(shè)有環(huán)形冷卻管，所述冷卻板由一個(gè)鉬柱鑲嵌于銅板中構(gòu)成，鉬柱的中心區(qū)域加工有等離子體通道孔，外圓柱面上加工有環(huán)形凹槽，用于放置環(huán)形冷卻管；等離子體通道孔沿銅板中心通過，環(huán)形冷卻管上設(shè)有一進(jìn)水口和一出水口。

本實(shí)用新型具有如下效果：

（1）冷卻板可以多個(gè)疊加組合使用，形成不同的弧壓，因此不僅能增大薄膜沉積面積、提高薄膜沉積效率，而且能有效的減小離子源的空間尺寸，使整個(gè)結(jié)構(gòu)更為緊湊；

（2）由于等離子體通道采用具有良好耐高溫性能的鉬加工而成，因此能有效的延長通道的使用壽命；

（3）由于采用整體式銅管對銅板包覆冷卻，既對等離子體通道進(jìn)行有效的冷卻，又能有效防止冷卻介質(zhì)泄漏；同時(shí)降低了加工難度，更易實(shí)現(xiàn)。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的縱剖視圖。

圖2為本實(shí)用新型的主視圖。

圖中：???101—環(huán)形凹槽?，201—等離子體通道孔，3—環(huán)形冷卻管，301—出水口，302—進(jìn)水口。?????

具體實(shí)施方式

為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。

如圖1、圖2所示，本實(shí)用新型由一個(gè)鉬柱鑲嵌于銅板中構(gòu)成，每個(gè)鉬柱的中心區(qū)域加工有等離子體通道孔201，銅板上設(shè)有一環(huán)形冷卻管3，其一端為進(jìn)水口302和出水口301。工作時(shí)，冷卻水由進(jìn)水口302進(jìn)入，然后經(jīng)環(huán)形冷卻管沿銅板上的環(huán)形凹槽101繞行一圈，對銅板進(jìn)行冷卻，最后經(jīng)出水口301流出。