[實用新型]一種新型真空吸筆有效
| 申請號: | 201420179655.5 | 申請日: | 2014-04-15 |
| 公開(公告)號: | CN203910775U | 公開(公告)日: | 2014-10-29 |
| 發明(設計)人: | 陳剛剛;謝余才;周卞寧;許莉;李昭 | 申請(專利權)人: | 寧夏銀星能源股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L31/18 |
| 代理公司: | 寧夏專利服務中心 64100 | 代理人: | 趙明輝 |
| 地址: | 750021 寧夏回族*** | 國省代碼: | 寧夏;64 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 新型 真空 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種新型真空吸筆。?
背景技術
太陽能光伏電池是一種將太陽能轉換為電能的半導體器件,其原理為光生伏打原理。在生產太陽能光伏電池的過程中,為了降低光線在硅片表面的反射,需要在晶硅表面利用PECVD技術沉積一層氮化硅減反射膜,以提高晶硅太陽能電池對光線的吸收從而達到提高太陽能電池的光電轉換效率,同時沉積在硅片表面的氮化硅膜對晶硅太陽能電池也起到表面鈍化和保護作用。因此,PECVD鍍膜是晶硅太陽能電池片生產過程中極為重要的一道工序。?
在晶硅太陽能電池片PECVD鍍膜過程中,硅片是放在石墨舟當中放入PECVD管中進行鍍膜。具體步驟為:1、用真空吸筆利用真空將硅片從花籃中抽出并插入石墨舟中;2、將裝滿硅片的石墨舟送入400℃高溫PECVD管進行鍍膜工藝;3、用真空吸筆將做完鍍膜工藝的硅片從石墨舟中取出放入承載盒。?
目前市場上主要有陶瓷材質和PP材質兩種材質制成的真空吸筆。陶瓷材質的真空吸筆在真空吸取硅片過程中,極易由于真空壓力形成的摩擦力過大造成硅片表面絨面結構破壞、氮化硅膜被破壞甚至崩點、崩邊、隱裂和裂片,造成電池片外觀、質量問題;而PP材質的真空吸筆存在不耐高?溫、不耐磨,容易在短時間內變形,造成吸取硅片過程中產生崩邊崩點等問題,吸筆損耗快等問題。?
實用新型內容
本實用新型的目的是提供一種新型真空吸筆,能夠減少硅片上的吸筆印,保護硅片表面,并且增加真空吸筆的使用壽命。?
一種新型真空吸筆,包括吸頭,在該吸頭上設有吸孔,其特別之處在于:在該吸頭上的吸孔處覆蓋有海綿雙面膠,在該海綿雙面膠上覆蓋有高溫布,并且在該吸孔處的海綿雙面膠和高溫布上均開有通孔,從而完全露出吸孔。?
其中吸孔為圓形,而海綿雙面膠和高溫布上的通孔均為橢圓形。?
其中海綿雙面膠的厚度為1mm。?
本實用新型的有益效果是:1、保護鍍膜前硅片絨面完整,外觀無損傷,無劃痕和吸筆印;2、保護鍍膜后硅片氮化硅膜完整致密,外觀無損傷,無劃痕和吸筆印;3、降低操作過程中的崩點、崩邊、缺角及碎片率;4、無需更換真空吸筆,對石墨舟也有一定保護作用,節約生產成本;5、適用于各類尺寸的吸筆。?
附圖說明
附圖1為本實用新型的結構示意圖;?
附圖2為圖1的俯視圖。?
具體實施方式
如圖1、2所示,本實用新型是一種新型真空吸筆,包括吸頭3,在該吸頭3上設有吸孔4,在該吸頭3上的吸孔4處覆蓋有海綿雙面膠2,在?該海綿雙面膠2上覆蓋有高溫布1,并且在該吸孔4處的海綿雙面膠2和高溫布1上均開有通孔,從而完全露出吸孔4。?
其中吸孔4為圓形,而海綿雙面膠2和高溫布1上的通孔均為橢圓形,另外海綿雙面膠2的厚度為1mm。?
本實用新型是按照吸筆大小在吸筆表面粘貼一層1mm厚的海綿雙面膠2(海綿雙面膠2大小尺寸根據要使用的真空吸筆的吸頭3和吸孔4面積確定),例如根據吸孔4面積,然后在海綿雙面膠2上開一Φ4×10mm腰型孔(橢圓形孔),腰型孔位于吸頭3上吸孔4的正上方,海綿雙面膠2在吸取硅片過程中起緩沖作用,防止裂片。然后在海綿雙面膠2的另一面粘貼一張同樣大小的高溫布1,并在高溫布1上開一Φ3×10mm腰型孔(高溫布1大小尺寸同樣根據要使用的真空吸筆的吸頭3和吸孔4面積確定),腰型孔位于吸筆吸孔4正上方,高溫布1在插入和吸取硅片過程中與海綿雙面膠2同時起到保護硅片表面作用。?
采用該設計能有效解決硅片表面絨面損傷、氮化硅減反射膜表面損傷問題,保證了太陽能電池片外觀、電性能及壽命等核心參數正常,由于避免了吸筆與硅片、石墨舟直接接觸,在使用一段時間后直接更換海綿雙面膠2和高溫布1即可,無需更換吸筆,節約生產升本。?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





