[實用新型]彩膜基板和顯示裝置有效
| 申請號: | 201420178854.4 | 申請日: | 2014-04-14 |
| 公開(公告)號: | CN203760481U | 公開(公告)日: | 2014-08-06 |
| 發明(設計)人: | 王燦 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 宋珊珊 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 彩膜基板 顯示裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及有機發光二極管顯示領域,特別涉及一種彩膜基板和顯示裝置。
背景技術
有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode,簡稱OLED)顯示裝置作為一種新型的平板顯示裝置,其優點越來越突出,具有主動發光、寬視角、全彩色、可彎曲、高效率、低功耗等優點。
由于封裝對盒的限制,有機發光二極管顯示裝置的彩膜基板和陣列基板之間的盒厚需要在10um左右的范圍,如圖1所示,要求柱狀隔墊物10比較高和黑矩陣20比較寬。柱狀隔墊物的高度需要在10-15um的范圍,這樣就增加了彩膜基板的工藝難度,而黑矩陣寬度的增加也會相應的減少產品像素的開口率。
實用新型內容
本實用新型提供了一種彩膜基板和顯示裝置,突起和與之對應的子像素相疊處可遮白光且突起形成在像素層之上,為降低柱狀隔墊物的高度提供了條件。
為達到上述目的,本實用新型提供以下技術方案:
一種彩膜基板,包括:
基板;
形成在所述基板之上的像素層,所述像素層包括多個像素,每個像素包括多個子像素;
形成在所述像素層之上的多個突起,每個所述突起與一個子像素對應,所述突起和與之對應的子像素相疊處可遮白光;其中,與一個所述突起相對應的子像素是所有子像素在基板上的投影和該突起在基板上的投影重合最多的子像素。
優選的,所述突起位于與之對應的子像素之上且自該子像素的邊緣向中心方向延伸。
優選的,所述突起包括第一突起和第二突起;所述第一突起自與之對應的子像素的邊緣向其中心方向和背離中心方向延伸,覆蓋與之對應的子像素和與該子像素相鄰的子像素的交界處;所述第二突起位于與之對應的子像素之上且與所述第一突起相鄰。
優選的,所述第一突起自與之對應的子像素的邊緣向中心方向延伸的長度大于背離中心方向延伸的長度。
優選的,還包括柱狀隔墊物,其形成在一部分所述突起之上。
優選的,每個所述像素包括紅色、綠色和藍色子像素,所述紅色子像素是紅色色素層,所述綠色子像素是綠色色素層,所述藍色子像素是藍色色素層;
所述突起由與之對應的子像素以外的其他兩種顏色的色素層相疊形成。
優選的,每個所述像素包括紅色、綠色,藍色和白色子像素,所述紅色子像素是紅色色素層,所述綠色子像素是綠色色素層,所述藍色子像素是藍色色素層,所述白色子像素是白色色素層;
所述突起由與之對應的子像素以外的其他三種顏色的色素層相疊形成。
優選的,每個所述像素包括紅色、綠色和兩個藍色子像素,所述紅色子像素是紅色色素層,所述綠色子像素是綠色色素層,所述藍色子像素是藍色色素層;
所述突起由與之對應的子像素以外的其他兩種顏色的色素層相疊形成。
優選的,所述部分突起上還形成有第一白色色素層;
所述柱狀隔墊物形成在第一白色色素層之上。
一種顯示裝置,包括如上任一所述的彩膜基板。
本實用新型提供的彩膜基板和顯示裝置,每個突起與一個子像素對應,突起和與之對應的子像素相疊處可遮白光;同時,突起形成在像素層之上,突起的上表面可形成柱狀隔墊物,為降低柱狀隔墊物的高度提供了條件。
附圖說明
圖1為現有的用于有機發光二極管顯示裝置的彩膜基板的局部示意圖;
圖2為本實用新型的一個實施例的彩膜基板在基板上形成像素層之后的示意圖;
圖3為圖2所示彩膜基板在像素層上形成突起和柱狀隔墊物之后的示意圖;
圖4為圖3所示彩膜基板的局部的A-A剖視圖;
圖5為本實用新型的又一個實施例的局部剖視圖;
圖6為本實用新型的另一個實施例的彩膜基板在基板上形成像素層之后的示意圖;
圖7為本實用新型的又一個實施例的局部剖視圖;
圖8為本實用新型的又一個實施例的局部剖視圖;
圖9為本實用新型的另一個實施例的彩膜基板在基板上形成像素層之后的示意圖;
圖10為圖9所示彩膜基板的局部剖視圖;
圖11為本實用新型的又一個實施例的局部剖視圖。
主要元件附圖標記說明:
現有技術中:
10柱狀隔墊物,20黑矩陣;
本實用新型中:
100基板,200像素層,300突起,310第一突起,320第二突起,
400柱狀隔墊物。
具體實施方式
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





