[實用新型]晶圓級封裝結(jié)構有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420155134.6 | 申請日: | 2014-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN203967091U | 公開(公告)日: | 2014-11-26 |
| 發(fā)明(設計)人: | 王之奇;喻瓊;王蔚 | 申請(專利權)人: | 蘇州晶方半導體科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227 | 代理人: | 駱蘇華;應戰(zhàn) |
| 地址: | 215021 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶圓級 封裝 結(jié)構 | ||
1.一種晶圓級封裝結(jié)構,其特征在于,包括:
待封裝晶圓,所述待封裝晶圓包括若干芯片區(qū)域;
位于所述待封裝晶圓芯片區(qū)域表面的焊墊和感光元件;
覆蓋于所述焊墊表面的第一圍堤結(jié)構;
與所述待封裝晶圓表面相對設置的封裝蓋,且第一圍堤結(jié)構頂部表面與封裝蓋表面相接觸;
位于所述封裝蓋表面的第二圍堤結(jié)構,封裝蓋與待封裝晶圓通過所述第二圍堤結(jié)構固定接合,所述第二圍堤結(jié)構位于第一圍堤結(jié)構和感光元件之間,且所述第二圍堤結(jié)構位于感光元件的兩側(cè)。
2.根據(jù)權利要求1所述晶圓級封裝結(jié)構,其特征在于,所述第二圍堤結(jié)構包括第一子圍堤結(jié)構和第二子圍堤結(jié)構,其中,第一子圍堤結(jié)構位于感光元件的一側(cè),第二子圍堤結(jié)構位于感光元件的另一側(cè),且第一子圍堤結(jié)構的寬度大于第二子圍堤結(jié)構的寬度。
3.根據(jù)權利要求1所述晶圓級封裝結(jié)構,其特征在于,還包括:位于待封裝晶圓芯片區(qū)域表面的第三圍堤結(jié)構,所述第三圍堤結(jié)構的厚度值與第一圍堤結(jié)構的厚度值相等,且所述第三圍堤結(jié)構位于感光元件與第二圍堤結(jié)構之間,所述第三圍堤結(jié)構頂部表面與封裝蓋表面相接觸。
4.根據(jù)權利要求1所述晶圓級封裝結(jié)構,其特征在于,所述第二圍堤結(jié)構頂部表面具有粘合劑層,且粘合劑層與第二圍堤結(jié)構的厚度值之和與第一圍堤結(jié)構的厚度值二者之間相等,所述第二圍堤結(jié)構頂部表面與待封裝晶圓表面通過粘合劑層固定接合。
5.根據(jù)權利要求1所述晶圓級封裝結(jié)構,其特征在于,所述待封裝晶圓包括位于芯片區(qū)域之間的切割道區(qū)域,且所述第一圍堤結(jié)構覆蓋于焊墊表面、切割道區(qū)域表面、以及焊墊與切割道區(qū)域之間的芯片區(qū)域表面。
6.根據(jù)權利要求1所述晶圓級封裝結(jié)構,其特征在于,所述第二圍堤結(jié)構、第三圍堤結(jié)構、以及封裝蓋為一體結(jié)構。
7.根據(jù)權利要求2所述晶圓級封裝結(jié)構,其特征在于,所述封裝蓋內(nèi)具有開口,且所述開口暴露出感光元件一側(cè)的第二圍堤結(jié)構頂部表面。
8.根據(jù)權利要求7所述晶圓級封裝結(jié)構,其特征在于,所述開口位于第一子圍堤結(jié)構頂部,且暴露出第一子圍堤結(jié)構的頂部表面。
9.根據(jù)權利要求8所述晶圓級封裝結(jié)構,其特征在于,所述開口的寬度大于或等于第一子圍堤結(jié)構的寬度,且所述第一子圍堤結(jié)構的厚度值小于第二子圍堤結(jié)構的厚度值。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





