[實用新型]一種銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的陷光結構有效
| 申請號: | 201420148549.0 | 申請日: | 2014-03-31 |
| 公開(公告)號: | CN203774348U | 公開(公告)日: | 2014-08-13 |
| 發明(設計)人: | 林清耿;王洋 | 申請(專利權)人: | 惠州市易暉太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/054 | 分類號: | H01L31/054;H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司: | 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102 | 代理人: | 韓淑英 |
| 地址: | 516025 廣東省惠州市惠澳大*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 銅銦鎵硒 薄膜 太陽能電池 結構 | ||
1.一種銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的陷光結構,其包括薄膜太陽能電池基本單元,其由下至上包括基片襯底、前電極導電層、電池吸收層、過渡層、本征氧化鋅異質結n型層和窗口層,所述電池吸收層為銅銦鎵硒薄膜,所述窗口層作為太陽能電池的入光面,其特征在于,所述陷光結構包括均勻鋪設在所述窗口層上表面的微納米層,所述微納米層為粒徑均勻的微納米球組成,在所述微納米層的上表面鍍一層導電薄膜,通過超聲波清洗去除微納米球,即為所述陷光結構;入射光經所述陷光結構散射后進入到下方的所述電池吸收層。
2.根據權利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的陷光結構,其特征在于,所述電池吸收層可選自以下中的任何一種:銅銦鎵硒薄膜、銅鋅錫硫薄膜、銅銦錫薄膜。
3.根據權利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的陷光結構,其特征在于,所述導電薄膜為摻鋁氧化鋅導電膜,所述窗口層為摻鋁氧化鋅窗口層。
4.根據權利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的陷光結構,其特征在于,所述微納米球的粒徑為200~3000nm。
5.根據權利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的陷光結構,其特征在于,所述導電薄膜的厚度為50~3000nm。
6.根據權利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的陷光結構,其特征在于,所述基片襯底包括硬質基片和柔性基片,所述硬質基片為普通的鈉鈣玻璃,所述柔性基片為不銹鋼、鈦、鉬、銅片金屬襯底和聚酰亞胺PI襯底。
7.根據權利要求1至6任一項所述的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的陷光結構,其特征在于,所述前電極導電層為鉬(Mo)導電層,?所述過渡層為硫化鎘(CdS)過渡層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





