[實用新型]陣列基板和顯示裝置有效
| 申請號: | 201420142437.4 | 申請日: | 2014-03-27 |
| 公開(公告)號: | CN203746853U | 公開(公告)日: | 2014-07-30 |
| 發明(設計)人: | 徐少穎;閻長江;李田生;謝振宇 | 申請(專利權)人: | 北京京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L23/50;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100176 北京市大*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 顯示裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及顯示技術領域,尤其涉及一種陣列基板和顯示裝置。
背景技術
液晶顯示器是一種平面超薄的顯示裝置,其主要包括陣列基板,陣列基板上設置有柵極金屬層、柵極絕緣層、有源層等膜層。
進一步地,陣列基板包括顯示區域和非顯示區域,其中,整個顯示區域上覆蓋有柵極絕緣層,用于使柵極金屬層與其他膜層絕緣;非顯示區域處的柵極絕緣層具有一定的圖形,以使得一部分柵極金屬層暴露,進而實現柵極金屬層和其他導電膜層的電連接。有源層僅位于顯示區域內的薄膜晶體管所在區域內,用以構成薄膜晶體管的溝道。
發明人發現,由于陣列基板具有上述結構,因此,在陣列基板的制作過程中需要使用兩張掩膜板,經過兩次構圖工藝分別形成柵極絕緣層的圖形和有源層的圖形。
實用新型內容
本實用新型所要解決的技術問題在于提供一種陣列基板和顯示裝置,能夠使柵極絕緣層和有源層在一次構圖工藝中形成,減少構圖工藝次數。
為解決上述技術問題,本實用新型提供了一種陣列基板,該陣列基板采用如下技術方案:
一種陣列基板,包括顯示區域和非顯示區域,所述顯示區域和所述非顯示區域上設置有柵極金屬層和位于所述柵極金屬層上方的數據線金屬層,所述柵極金屬層包括位于所述非顯示區域的布線柵極金屬部分和位于所述顯示區域的柵線,所述數據線金屬層包括位于所述顯示區域的數據線,所述顯示區域上設置有薄膜晶體管,所述柵線包括與所述數據線交叉的交叉柵線部分和用于構成所述薄膜晶體管的柵極,所述布線柵極金屬部分、所述交叉柵線部分和所述柵極所在區域,包括依次設置的圖形相同的柵極絕緣層和有源層。
所述數據線金屬層還包括位于所述非顯示區域的布線數據線金屬部分,所述布線柵極金屬部分所在區域包括依次設置的所述布線柵極金屬部分、所述柵極絕緣層、所述有源層和所述布線數據線金屬部分,所述柵極絕緣層和所述有源層上設置有過孔,所述布線數據線金屬部分通過所述過孔與所述布線柵極金屬部分電連接。
所述交叉柵線部分所在區域包括依次設置的所述交叉柵線部分、所述柵極絕緣層、所述有源層和所述數據線。
所述數據線金屬層還包括漏極,所述柵極所在區域包括依次設置的所述柵極、所述柵極絕緣層、所述有源層和所述漏極。
相鄰兩個所述薄膜晶體管之間的區域處未設置所述有源層。
所述數據線金屬層還包括公共電極,所述公共電極位于相鄰兩所述數據線之間,所述公共電極與所述薄膜晶體管之間未設置所述有源層。
本實用新型實施例提供了一種如上所述的陣列基板,該陣列基板上柵極金屬層包括的布線柵極金屬部分、交叉柵線部分和柵極所在區域,包括依次設置的圖形相同的柵極絕緣層和有源層,因此,柵極絕緣層和有源層可以使用同一張掩膜板,在同一次構圖工藝中形成,從而減少構圖工藝次數。
本實用新型實施例還提供了一種顯示裝置,該顯示裝置包括以上任一項所述的陣列基板。
附圖說明
為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本實用新型實施例中的第一種陣列基板的平面示意圖;
圖2為本實用新型實施例中的圖1所示的陣列基板沿A-A’方向的截面示意圖;
圖3為本實用新型實施例中的第二種陣列基板的平面示意圖;
圖4為本實用新型實施例中的圖3所示的陣列基板沿A-A’方向的截面示意圖;
附圖標記說明:
1—顯示區域;????????????2—非顯示區域;??????????3—布線柵極金屬部分;
4—柵線;????????????????41—交叉柵線部分;???????42—柵極;
5—數據線;??????????????6—柵極絕緣層;??????????7—有源層;
8—布線數據線金屬部??????9—過孔;?????????????????10—漏極;
分;
11—鈍化層;?????????????12—公共電極。
具體實施方式
本實用新型實施例提供了一種陣列基板,能夠使柵極絕緣層和有源層在一次構圖工藝中形成。
下面結合附圖對本實用新型實施例提供的陣列基板進行詳細描述。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司,未經北京京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201420142437.4/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:存儲器器件
- 下一篇:一種燈泡封口機封口修整裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





