[實用新型]真空爐體有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420140625.3 | 申請日: | 2014-03-26 |
| 公開(公告)號: | CN203741405U | 公開(公告)日: | 2014-07-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 宋世源 | 申請(專利權(quán))人: | 宋玉琪 |
| 主分類號: | C23C14/24 | 分類號: | C23C14/24 |
| 代理公司: | 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200 | 代理人: | 樓高潮 |
| 地址: | 中國臺灣彰化*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 真空爐 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及一種真空爐體。
背景技術(shù)
現(xiàn)在世界各國采用圓型爐體設(shè)計。始終造成PVD(Physical?Vapor?Deposition,物理氣相沉積鍍膜(涂層),有很多盲點。
生產(chǎn)時產(chǎn)品常常出現(xiàn)假性附著,脫膜漏白。假性附著是一種看不到摸不到的技術(shù)難題,是PVD鍍膜(涂層)最頭痛的問題。嚴(yán)重的假性附著出爐后可以馬上發(fā)覺漏白。最怕的是輕微假性著,往往是產(chǎn)品到市場才發(fā)覺PVD鍍膜(涂層)漏白,影響商譽。
參見圖1-3,現(xiàn)有世界各國采用圓型爐體設(shè)計的真空爐體1'包括真空室11',蒸發(fā)靶12',蒸發(fā)靶源13',物件掛架14',自轉(zhuǎn)架15'和公轉(zhuǎn)盤16'。
蒸發(fā)靶12'分布于真空室11'外表面。現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)使得整個真空室11'布滿沉積的各種鈦灰塵,殘渣和氧化物質(zhì)R。加溫過程中釋放出混雜氣體,很容易污染附著上被鍍物件表面,從而產(chǎn)生假性附著,使得色澤不正,殘渣容易掉在被鍍物件上面產(chǎn)生漏白現(xiàn)象,鍍膜凃?qū)舆^程中溫度一直上升,需要停機等待降溫到需求溫度后,才可以繼績鍍膜凃?qū)?。參見圖2,蒸發(fā)靶源13'分布于真空室11'內(nèi)。可以看到,靶源與靶源之間無法互相交叉蒸發(fā)。很容易造成死角無效區(qū)17',還很容易造成被鍍物件在凹角位置很難與正角位置同等膜厚,使得PVD鍍膜(涂層)膜厚不均勻。爐體越大,PVD鍍膜(涂層)膜厚越不均勻。凹角位置與正角位置PVD鍍膜(涂層)相差更大更嚴(yán)重。物件掛架14'上的被鍍物件產(chǎn)品無法實現(xiàn)自轉(zhuǎn)。PVD鍍膜(涂層)后產(chǎn)品膜厚無法均勻,如以4un膜厚.誤差值約0.5un-1un以上。
本實用新型提出了一種真空爐體,解決上述技術(shù)問題。.
實用新型內(nèi)容
基于此,有必要提供一種真空爐體,解決了假性附著的技術(shù)問題。
本實用新型提供了一種真空爐體,包括爐體本體,蒸發(fā)源,用于放置被鍍物件的物件掛架,用于放置物件掛架的并移動該物件掛架的轉(zhuǎn)盤;
爐體本體包括底板、自底板彎折延伸的外壁、自底板彎折延伸的并與外壁相隔一定距離的內(nèi)壁、連接外壁和內(nèi)壁的頂板和由底板、外壁、內(nèi)壁和頂板共同圍形成密閉空間;
所述爐體本體還包括置于密閉空間內(nèi)分別與底板、外壁、內(nèi)壁和頂板相連的第一擋板和第二擋板;所述第一擋板和第二擋板相隔一定的距離并將所述密閉空間分隔成第一分隔空間和第二分隔空間;所述第一檔板、第二擋板與所述外壁或內(nèi)壁活動連接;
蒸發(fā)源設(shè)置于第一分隔空間,物件掛架和轉(zhuǎn)盤設(shè)置于第二分隔空間;
在第一擋板和第二檔板打開時,轉(zhuǎn)盤將物件掛架從第二分隔空間移動至第一分隔空間內(nèi)。
優(yōu)選的,蒸發(fā)源包括第一蒸發(fā)源和第二蒸發(fā)源,
外壁包括位于第一分隔空間的第一外壁和位于第二分隔空間的與第一外壁相連的第二外壁,內(nèi)壁包括位于第一分隔空間的第一內(nèi)壁和位于第二分隔空間與第一內(nèi)壁相連的第二內(nèi)壁;
第一蒸發(fā)源和第二蒸發(fā)源分別設(shè)在第一外壁和第一內(nèi)壁,且第一蒸發(fā)源和第二蒸發(fā)源相對設(shè)置。
優(yōu)選的,蒸發(fā)源包括蒸發(fā)靶和為蒸發(fā)靶提供動力的蒸發(fā)靶源。
優(yōu)選的,爐體本體的外壁設(shè)有至少兩個門。
優(yōu)選的,蒸發(fā)靶源包括電弧靶源或平面靶源、中頻園柱靶源、直流靶源中的任一種或其任意組合。
本實用新型還提供了一種真空爐體,該真空爐體包括密閉的真空室,該真空室通過擋板分隔成獨立的物件區(qū)和靶蒸發(fā)區(qū);
物件區(qū),用于放置被鍍物件;
靶蒸發(fā)區(qū),用于給被鍍物件物理氣相沉積鍍膜;
該真空爐體還包括
控制部件,用于打開檔板,將分隔的物件區(qū)與靶蒸發(fā)區(qū)相通;
傳送部件,用于將被鍍物件從物件區(qū)移動至靶蒸發(fā)區(qū)。
優(yōu)選的,靶蒸發(fā)區(qū)相對設(shè)置有第一蒸發(fā)源和第二蒸發(fā)源。
優(yōu)選的,第一蒸發(fā)源和第二蒸發(fā)源分別包括蒸發(fā)靶和為蒸發(fā)靶提供動力的蒸發(fā)靶源;擋板包括第一擋板和第二擋板。
采用本實用新型提供的真空爐體,將蒸發(fā)源與被鍍物件分別放置在兩個獨立分隔的區(qū)域,可以杜絕瞬間產(chǎn)生的氧物質(zhì),避免氧物質(zhì)污染到被鍍物件表面上,從而避免被鍍物件產(chǎn)生假性附著,提高產(chǎn)品品質(zhì)的穩(wěn)定性。
本實用新型將蒸發(fā)源與被鍍物件分別放置在兩個獨立分隔的區(qū)域,生產(chǎn)過程中各種殘渣,鈦灰塵,氧化物,只殘留在單獨分隔真空室蒸發(fā)區(qū)里面,很容易完全清除干凈。物理氣相沉積鍍膜(涂層)膜厚均勻。沒有無效蒸發(fā)區(qū)域。
由于采用了兩組蒸發(fā)源,使得內(nèi)外側(cè)靶源互相交差蒸發(fā),物理氣相沉積鍍膜膜厚很均勻。凹角位子與正角位子物理氣相沉積鍍膜(涂層)膜厚均勻,物理氣相沉積鍍膜(涂層)膜厚誤差小。
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