[實用新型]一種有機電致發光顯示面板有效
| 申請號: | 201420134106.6 | 申請日: | 2014-03-24 |
| 公開(公告)號: | CN203746858U | 公開(公告)日: | 2014-07-30 |
| 發明(設計)人: | 劉鵬;董學;郭仁煒 | 申請(專利權)人: | 北京京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 李迪 |
| 地址: | 100176 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有機 電致發光 顯示 面板 | ||
技術領域
本實用新型涉及顯示面板領域,具體涉及一種基于量子點和8-羥基喹啉鋁電致發光和石墨烯電極制作的顯示面板。
背景技術
目前主流顯示器是通過彩膜過濾白色背光來實現彩色顯示的,背光經過彩膜必然會有能量損失,導致顯示器的亮度和效率受到了限制。目前有機發光二極管OLED(Organic?Light-Emitting?Diode,簡稱OLED)面板通常采用通過有機材料電致發光來取代彩膜,但是專利技術受到國外大型面板制造商的壟斷。
量子點(Quantum?Dot,QD)是一種納米量級的半導體發光材料,尺寸小導致的量子局限效應使得其發光具有較小的半峰寬,單色性極好,同時,量子點的發光峰值還可以通過其粒徑大小來調整。選用不同粒徑的量子點,利用其電致發光,可以得出色純度很高的紅綠藍三原色。這種利用量子點電致發光的顯示器件,避免了彩膜式顯示面板的能量損失,在相同的能耗下,能夠獲得更高的亮度。
石墨烯也是一種納米材料,是由碳原子構成的單層片狀結構,其結構穩定堅固,載流子遷移率超過15,000cm2V-1s-1,是已知的導電性能最好的材料。利用石墨烯作為電極兼空穴傳輸層,能夠使空穴更容易注入發光層,提高顯示器發光效率。另外,石墨烯比金屬電極更加輕薄,在顯示面板的輕薄化方面也有很大優勢。
8-羥基喹啉鋁(Alq3)是一種有機小分子發光材料,性能穩定,發光效率高,室溫下固態薄膜的熒光量子效率大約為32%,其峰值波長位于550nm。同時,Alq3還是一種電子傳輸材料,電子遷移率大約為10-5cm2V-1s-1。
有機電致發光材料容易受到水氧等外界因素影響而降低性能,因此需要制備過程中與量子點材料分開處理。通過雙層結構的設計,能夠在制備完Alq3之后及時封裝,避免面板的性能降低,同時可以有效避免不同材料之間的污染,提高工藝的穩定性。
現有技術雖然有關于量子點、8-羥基喹啉鋁Alq3或者石墨烯在顯示領域的應用,但其具體應用方式有待進一步研究。
實用新型內容
(一)要解決的技術問題
本實用新型的目的在于提供一種基于量子點和8-羥基喹啉鋁電致發光以及石墨烯電極制作的顯示面板。
(二)技術方案
為了實現上述目的,本實用新型采用如下技術方案:
一種有機電致發光顯示面板,包括玻璃基板,設于玻璃基板上方的發光層,所述發光層包括由多種顏色的量子點和8-羥基喹啉鋁形成的電致發光層;所述電致發光層的電極采用石墨烯制作而成。
所述電致發光層包括由紅、綠、藍三色量子點構成量子點層,由8-羥基喹啉鋁(Alq3)構成黃色發光層的雙層結構,其中,量子點層位于黃色發光層上方。
所述量子點發光層由多組紅、綠、藍三色量子點交替間隔排布構成,黃色發光層間歇設置在任意相鄰兩色量子點之間的下方。
所述黃色發光層的下方還設有黑矩陣層,所有薄膜晶體管均放置在黑矩陣層下方。
所述的紅色量子點波長為670-690nm,粒徑為0.3-8.3nm。
所述的綠色量子點波長為500-520nm,粒徑為0.7-4.7nm。
所述的藍色量子點波長為430-450nm,粒徑為0.1-4.1nm。
所述石墨烯薄膜的厚度為20nm~40nm。
所述電致發光層的空穴傳輸層采用石墨烯制作而成,所述石墨烯薄膜的厚度為20nm~40nm。
(三)有益效果
本實用新型使用了量子點材料,利用其電致發光,取代了傳統的背光源,使顯示屏薄型化。同時,量子點材料單色性好,可以直接利用電致發光得到紅綠藍三原色,取代了傳統的彩膜,使顯示屏薄型化的同時,光能損失也降到了最低。
本實用新型使用了Alq3材料作為黃色發光層,將黃色像素點均勻地排布在紅綠藍三原色像素之間,組成多色顯示面板,有效提高了顯示面板的色域。
本實用新型使用了石墨烯材料做電極,利用其超高的載流子遷移率,實現空穴的快速注入,減少空穴在輸運過程中的能量損失,提高顯示器亮度,同時能夠使顯示屏薄型化。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





