[實用新型]一種用于半導體共晶工藝封裝的背錫芯片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420112941.X | 申請日： | 2014-03-13 |
| 公開（公告）號： | CN203774295U | 公開（公告）日： | 2014-08-13 |
| 發(fā)明（設計）人： | 陳林;朱仕鎮(zhèn);韓壯勇;鄭天鳳;朱文鋒;任書克;劉志華;曹丙平;王鵬飛;周貝貝;張團結;朱海濤;呂小獎 | 申請（專利權）人： | 深圳市三聯(lián)盛半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/488 | 分類號： | H01L23/488;H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市寶安*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 半導體 工藝 封裝 芯片 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于半導體共晶工藝封裝的背錫芯片，其特征在于：包括封裝膠體、若干芯片以及引線框架，所述引線框架上設有芯片座以及引腳，芯片設于芯片座上，芯片與引腳通過導線電連接，所述芯片由所述封裝膠體封裝；其中，所述芯片與芯片座接觸的一面設有錫接觸層。
2.根據(jù)權利要求1所述的背錫芯片，其特征在于：所述錫接觸層的厚度范圍為0.1μm～0.8μm。
3.根據(jù)權利要求1所述的背錫芯片，其特征在于：所述芯片還設有阻擋層，該阻擋層設于錫接觸層之上。
4.根據(jù)權利要求3所述的背錫芯片，其特征在于：所述阻擋層為銅合金層。
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