[實用新型]具有反光器的太陽能電池有效
| 申請號: | 201420104426.7 | 申請日: | 2014-03-10 |
| 公開(公告)號: | CN203812889U | 公開(公告)日: | 2014-09-03 |
| 發明(設計)人: | 余小翠 | 申請(專利權)人: | 余小翠 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/054 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 反光 太陽能電池 | ||
技術領域
本實用新型涉及電池領域,尤其涉及一種具有反光器的太陽能電池。
背景技術
太陽能電池是由一種或幾種基于相關材料在特定形態及結構上的光電量子效應原理而制成的光伏器件,比如硅材料、砷化鎵、硫化碲等等半導體材料或其他有機或無機的化合物材料。太陽能電池一般由這些主體材料經過特殊工藝形成能夠實現光電轉換的結構并結合一定的金屬化技術而制成。
晶硅太陽能電池的主體加工工藝主要形成能最大效率地吸收光、并且能使光子在入射基體材料后產生相應的空穴-電子對的一種功能結構,然后再經過金屬化技術將產生的電流收集并導出。金屬化工藝主要是指在晶硅電池正反兩面制作具有能夠與基體半導體材料形成優良歐姆接觸并傳導電流的正負電極,其中背面的電極是正電極,正面的電極是負電極。正面電極具有一種特殊的設計要使其達到盡量減少正面電極遮光的效果,因為正面電極的存在必然會減少電池的正面受光面積,從而影響電池的轉換效率。
傳統的晶體硅太陽能電池正面電極主要是通過絲網印刷工藝制作,然后通過燒結形成具有電氣連接的電極。通過絲網印刷制作的正面電極主要由指柵線和主柵線構成,其中指柵線收集電池基體產生的光生電子,并通過主柵匯總而出。目前絲網印刷的正面電極指柵線的寬度一般在50-100微米,并且由于絲網印刷技術本身的技術瓶頸,指柵線寬度很難再進一步降低,從而不可避免地造成了5-10%左右的正面遮光損失。
為了能夠進一步減小正面電極造成的遮光損失,業內也開發了很多新技術,比如通過電鍍或噴墨打印的方式來減少指柵線的寬度,使正面指柵線的寬度可以做到40微米甚至更窄,但即使這樣,指柵線的遮光損失仍然還是比較大的,并不能完全消除或進一步大幅降低。同時這些技術也都比較昂貴,難以為整個產業帶來好處。
另外也有一種全背接觸技術,使用這種技術,太陽能電池的正負電極都被制作在電池的背面,從而完全消除了正面的電極遮光損失,但是這種技術需要采用更多且更精密的加工設備和制作工藝,其生產成本會更加昂貴,很難引進應用到目前普遍商業化生產的生產線上。
實用新型內容
本實用新型的目的在于解決上述現有技術存在的缺陷,提供一種制作工藝簡單、成本低廉且能夠大幅減少甚至完全消除太陽能電池正面電極遮光損失的技術,從而增加太陽能電池發電效率的具有反光器的太陽能電池。
一種具有反光器的太陽能電池,包括電池片基體,在電池片基體上設置有用于匯集電池片基體上電子的指柵線,所述指柵線上設置有用于將射向指柵線的光線反射到電池片基體上無遮擋裸露區域的反光器,所述的反光器的兩個反射面與指柵線所在的面構成的截面為三角形,所述反光器沿著指柵線延伸方向設置;
或者,在電池片基體上設置有用于匯集電池片基體上電子的指柵線,指柵線上與其垂直設置有用于匯總傳導指柵線上電流的傳導線,所述傳導線上設置有用于將射向傳導線的光線反射到電池片基體上無遮擋裸露區域的反光器,所述的反光器的兩個反射面與傳導線所在的面構成的截面為三角形,所述反光器沿著傳導線延伸方向設置。
進一步地,如上所述的具有反光器的太陽能電池,所述反光器采用金屬材料制成;反光器與指柵線為電氣連接,共同構成太陽能電池的電極;或者反光器與傳導線為電氣連接。
進一步地,如上所述的具有反光器的太陽能電池,所述反光器為銅線制成的實心三棱柱結構,三棱柱兩側面涂覆反光材料構成反光器的兩個反射面,該實心三棱柱結構取代傳導線來匯總傳導指柵線上的電流。
進一步地,如上所述的具有反光器的太陽能電池,所述的反光器采用非金屬材料制成,所述指柵線或傳導線上設置有粘結層,反光器通過粘結層固定在指柵線或傳導線上。
進一步地,如上所述的具有反光器的太陽能電池,所述反光器由倒置的三角槽制成,三角槽內涂覆反光材料,三角槽的兩個斜面構成反光器的兩個反射面。
進一步地,如上所述的具有反光器的太陽能電池,所述反光器其截面三角形的底邊寬度不小于指柵線的寬度。
進一步地,如上所述的具有反光器的太陽能電池,所述反光器的兩個反射面上電鍍或化學鍍或涂覆有鏡面反射層。
進一步地,如上所述的具有反光器的太陽能電池,所述三角形為底邊長為50-500微米,高度為25-1000微米的等腰三角形。
進一步地,如上所述的具有反光器的太陽能電池,所述三角形的頂點與指柵線或傳導線的寬度中點對齊。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





