[實用新型]氣體泄漏檢測裝置以及化學試劑供給裝置

有效

• 申請號: 201420103472.5
• 申請日: 2014-03-07
• 公開（公告）號: CN203774259U
• 公開（公告）日: 2014-08-13
• 發明（設計）人: 楊志平
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;C23C16/455
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

技術領域

本實用新型涉及半導體技術領域，尤其涉及一種氣體泄漏檢測裝置以及化學試劑供給裝置。?

背景技術

半導體制造工藝主要是進行多次光刻工藝、刻蝕工藝和成膜工藝等，在半導體晶片表面堆疊出有特殊結構的半導體元件。其中，成膜工藝普遍采用熱氧化法、化學氣相淀積(CVD)工藝，用于形成各種薄膜。其中，熱氧化法主要是爐管熱氧化法，將反應氣體通入高溫爐管內后，使反應氣體和爐內的半導體晶片發生化學反應，在晶片表面沉積一層薄膜。該工藝用于生長SiO₂、Si₃N₄,SiON或多晶硅等。?

以垂直式的沉積爐管為例，通常在爐管中放置多片晶片，通入反應氣體例如氧氣、氮氣等，于高溫環境下在晶片表面生長介質膜。在這個過程中，爐管內壁會產生一些金屬離子和高分子的聚合物殘留。在進行多次的成膜反應之后，爐管內壁積聚的金屬離子和高分子聚合物會越積越多，形成大量的殘留物。這些殘留物若不加以去除，則于后續工藝中很可能由于受熱而成為微粒(particle)的來源，進而影響后續工藝的良率和產品的穩定性。?

為此，業界常通過爐管清洗劑如二氯乙烯(DCE，Cl₂C₂H₂，Dichloroethylene)對爐管進行清洗，可通過化學試劑供給裝置向爐管供給二氯乙烯。如圖1所示，現有的化學試劑供給裝置包括容器10、主管道21、排風管道22以及進氣管道23。所述進氣管道23用于向容器10內輸送氮氣。所述主管道21一端伸入至所述容器10中，另一端與一爐管連通。所述排風管道22一端與所述主管道210連通，另一端與廠務端的排風總管道連通。所述主管道21上設有第一閥門21’，所述排風管道22上設有第二閥門22’。在反應進行階段，開啟第一閥門21’，關閉第二閥門22’，向容器10中注入氮氣，氮氣攜帶二氯乙烯液體通過主管道20進入爐管內，對爐管進行清洗，這種方法對金屬，尤其是堿金屬離子，例如鉀、?鈉等離子具有較好的去除效果。在反應停止階段，關閉第一閥門21’，打開第二閥門22’，以停止向爐管輸送DCE，此時經排風管道22排風。?

然而，在實際生產中發現，在反應進行階段，由于第二閥門22’密閉不嚴，仍會有部分DCE泄漏到排風管道22中，從而減少主管道21中的DCE含量，導致工藝受影響，良率出現問題。因此，如何及時檢驗泄漏的DCE，并根據出現泄漏DCE的情況中止反應，成為亟待解決的問題。?

實用新型內容

為解決現有技術中存在的問題，本實用新型提供一種氣體泄漏檢測裝置以及化學試劑供給裝置。?

本實用新型提供一種氣體泄漏檢測裝置，包含：?

加熱器，設置于一排風管道上；?

檢測器，設置于所述排風管道的出口處，用于檢測所述排風管道內是否有分解物；以及?

報警模塊，與所述檢測器連接，當所述檢測器檢測到分解物時所述報警模塊啟動報警。?

進一步的，所述氣體泄漏檢測裝置更包含一控制模塊，所述控制模塊與所述報警模塊連接。?

進一步的，所述加熱器環繞于所述排風管道的外壁。?

本實用新型還提供一種化學試劑供給裝置，包括容器、主管道、排風管道以及進氣管道，所述進氣管道伸入所述容器中，所述主管道伸入至所述容器中并與一爐管連通，所述排風管道與所述主管道連通，所述化學試劑供給裝置還包括本實用新型提供的氣體泄漏檢測裝置。?

進一步的，所述化學試劑供給裝置的主管道上設有第一閥門。?

進一步的，所述化學試劑供給裝置的排風管道上設有第二閥門。?

進一步的，所述主管道和排風管道的材質是耐腐蝕性材料。?

進一步的，所述主管道和排風管道的材質是聚四氟乙烯。?

進一步的，所述化學試劑供給裝置的進氣管道上設置有流量計。?

進一步的，所述的化學試劑供給裝置是二氯乙烯供給裝置。?

相比于現有技術，本實用新型的氣體泄漏檢測裝置包括設置于一排風管道?上的加熱器、設置于所述排風管道出口處的檢測器以及與所述檢測器連接的報警模塊，利用化學試劑如二氯乙烯受熱產生分解物如氯化氫氣體的特點，通過加熱器加熱排風管道內的化學試劑，通過檢測器檢測排風管道內是否存在氯化氫氣體，進而來檢測排風管道內是否有二氯乙烯的泄露，有利于提高產品良率。?

附圖說明

圖1為現有技術的化學試劑供給裝置的示意圖。?