[實(shí)用新型]一種晶體電阻率測(cè)試裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420091919.1
• 申請(qǐng)日: 2014-02-28
• 公開（公告）號(hào): CN203759122U
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙海泉;賈玉昌;王世武
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 青島海泰光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G01R27/02
• 分類號(hào): G01R27/02
• 代理公司: 北京聯(lián)瑞聯(lián)豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11411
• 代理人: 鄭自群

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及材料測(cè)試設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種晶體電阻率測(cè)試裝置。

背景技術(shù)

現(xiàn)有針對(duì)晶體樣品電阻和電阻率測(cè)試的系統(tǒng)，晶體樣品放在兩片電極中間夾緊，同時(shí)按照向垂直于晶體方向施加一個(gè)壓力，使兩片電極與被測(cè)晶體樣品兩個(gè)表面緊密接觸，然后在兩片電極之間加電壓，測(cè)試兩片電極之間的電壓值和電流值，通過計(jì)算得到被測(cè)晶體樣品的電阻值和電阻率值，而現(xiàn)有的系統(tǒng)都沒有對(duì)施加在晶體樣品上的壓力大小進(jìn)行測(cè)量和控制。由于壓電效應(yīng)的存在，所謂壓電效應(yīng)：某些電介質(zhì)在沿一定方向上受到外力的作用而變形時(shí)，其內(nèi)部會(huì)產(chǎn)生極化現(xiàn)象，同時(shí)在它的兩個(gè)相對(duì)表面上出現(xiàn)正負(fù)相反的電荷，使得晶體樣品在測(cè)試電阻和電阻率時(shí)，施加壓力的不同，造成結(jié)果的不準(zhǔn)確性，且不同的測(cè)試人員，多次測(cè)試的結(jié)果可以相差100倍以上，也導(dǎo)致了測(cè)試結(jié)果的重復(fù)性低。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型提出一種晶體電阻率測(cè)試裝置，解決了現(xiàn)有技術(shù)中由于施加壓力不同，造成測(cè)試裝置對(duì)晶體電阻率測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確性差的問題。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：一種晶體電阻率測(cè)試裝置，包括底板、豎直桿和兩根橫桿，所述豎直桿固定在所述底板上，所述豎直桿的頂端設(shè)有銷軸；所述第一橫桿的一端設(shè)有與所述銷軸相配合的銷孔，另一端固定連接有第一電極；所述豎直桿上固定連接有第二橫桿，所述第二橫桿連接有第二電極；所述第二電極與所述底板之間設(shè)有帶有探頭的壓力測(cè)試裝置。

作為優(yōu)選的技術(shù)方案，所述壓力測(cè)試裝置的探頭通過螺栓與所述第二電極固定連接。

本實(shí)用新型同背景技術(shù)相比所產(chǎn)生的有益效果：

在電極的底端設(shè)有壓力測(cè)試裝置，可以準(zhǔn)確控制每次測(cè)試施加到晶體樣品上的壓力大小，使得每次測(cè)試壓力相同，排除了不同測(cè)試人員，不同批次施加壓力不同對(duì)測(cè)試造成的影響，提高了測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和重復(fù)性，可以使多次測(cè)試的結(jié)果差距較小甚至為零。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實(shí)用新型測(cè)試晶體時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1-底板；2-豎直桿；3-壓力測(cè)試裝置；4-第二電極；5-晶體樣品；6-第一電極。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

如圖1所示，一種晶體電阻率測(cè)試裝置，包括底板1、豎直桿2和兩根橫桿，豎直桿2固定在底板1上，豎直桿2的頂端設(shè)有銷軸；第一橫桿的一端設(shè)有與銷軸相配合的銷孔，另一端固定連接有第一電極6；豎直桿2上固定連接有第二橫桿，第二橫桿連接有第二電極4，第二電極4固定不可移動(dòng)；第二電極4與底板1之間設(shè)有帶有探頭的壓力測(cè)試裝置3，壓力測(cè)試裝置3的探頭通過螺栓與第二電極4固定連接，壓力測(cè)試裝置3一般為數(shù)顯的壓力測(cè)試儀，便于直接讀數(shù)。測(cè)試時(shí)，將晶體樣品5放在第二電極4上，然后再將第一電極6移動(dòng)到晶體樣品5的上表面，設(shè)定壓力測(cè)試裝置3的壓力大小，最后向垂直于第一晶體6方向施加一個(gè)預(yù)定的壓力。

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。