[實(shí)用新型]一種垂直結(jié)構(gòu)光分路器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420074915.2
• 申請日: 2014-02-21
• 公開（公告）號: CN203759296U
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 彭智祥;劉勇;胡燦棟;張曉川;陸昇
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州天野通信設(shè)備有限公司
• 主分類號: G02B6/132
• 分類號: G02B6/132;G02B6/122;G02B6/24
• 代理公司: 杭州杭誠專利事務(wù)所有限公司 33109
• 代理人: 尉偉敏

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及光通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種垂直結(jié)構(gòu)光分路器。

背景技術(shù)

目前，制造光分路器的方法有兩種，一種是熔融拉錐型光分路器，但是由于熔融拉錐型光分路的尺寸較大，會占用很大的空間；另一種是平面波導(dǎo)型光分路器是現(xiàn)在技術(shù)發(fā)展的主流方向，但是平面波導(dǎo)型光分路器錐形段的分光尺寸過大，分光區(qū)長度較長，造成了32路及以上多路分路器占用的平面面積比較大、設(shè)計(jì)制作困難、尺寸過大的問題。

中國專利公開號CN1467926，公開日是2004年1月14日，名稱為“光功率分路器”的方案中公開了一種光功率分路器，具有一個(gè)輸入光波導(dǎo)和用于將輸入光波導(dǎo)分路成N個(gè)信號光的N個(gè)輸出光波導(dǎo)，包括：至少兩個(gè)具有平面光波電路元件結(jié)構(gòu)并在單一芯片中以預(yù)設(shè)的距離被分開放置的光分路器；以及用于對準(zhǔn)多個(gè)光分路器的輸入和輸出光波導(dǎo)的對準(zhǔn)波導(dǎo)。不足之處在于，這種光功率分路器，分光區(qū)長度較長，使得分光尺寸過大，造成了32路及以上多路分路器占用的平面面積比較大、設(shè)計(jì)制作困難、尺寸過大的問題。

名稱解釋：

CVD(Chemical Vapor Deposition，化學(xué)氣相沉積)，指把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反應(yīng)所需其它氣體引入反應(yīng)室，在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的過程。在超大規(guī)模集成電路中很多薄膜都是采用CVD方法制備。經(jīng)過CVD處理后，表面處理膜密著性約提高30％，防止高強(qiáng)力鋼 的彎曲，拉伸等成形時(shí)產(chǎn)生的刮痕。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型是為了解決現(xiàn)有光功率分路器的分光區(qū)長度較長，多路光分結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)制作困難、尺寸過大的不足，提供一種能縮短信號光的分光區(qū)長度，減小平面波導(dǎo)型光分路器在平面方向所占面積的一種垂直結(jié)構(gòu)光分路器。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案：

一種垂直結(jié)構(gòu)光分路器，包括：

襯底層，并對襯底層的表面進(jìn)行拋光處理；

在襯底層的上表面，通過CVD方法沉積制作厚度為10微米的下包層；

在下包層的上表面，通過CVD方法沉積制作厚度為4-5微米的一號夾包層，并且一號夾包層的折射率等于下包層的折射率；

對一號夾包層進(jìn)行光刻和刻蝕得到一號矩形凹槽，并且一號矩形凹槽的槽底落在下包層的上表面上，一號矩形凹槽的寬度等于輸入波導(dǎo)的寬度，一號矩形凹槽的長度為600-800毫米；

在一號矩形凹槽內(nèi)通過CVD方法和/或刻蝕技術(shù)填滿沉積制作出一號矩形干涉波導(dǎo)，并且一號矩形干涉波導(dǎo)的上表面與一號夾包層的上表面在同一個(gè)水平面上，一號矩形干涉波導(dǎo)的折射率大于下包層的折射率；

在一號矩形干涉波導(dǎo)的上表面以及一號夾包層的上表面，通過CVD方法沉積制作厚度為6微米的二號夾包層，并且二號夾包層的折射率等于下包層的折射率；

對二號夾包層進(jìn)行光刻和刻蝕得到二號矩形凹槽，并且二號矩形凹槽的長度大于一號矩形凹槽的長度，二號矩形凹槽由二號矩形凹槽干涉段和二號矩形凹槽輸出段組成，二號矩形凹槽干涉段的槽底落在一號矩形干涉波導(dǎo)的上表面 上，二號矩形凹槽輸出段的槽底落在一號夾包層的上表面上，二號矩形凹槽的寬度等于輸入波導(dǎo)的寬度，二號矩形凹槽的左端端部與一號矩形凹槽的左端端部在同一個(gè)左端豎直平面內(nèi)，二號矩形凹槽的中軸線與一號矩形凹槽的中軸線在同一個(gè)中軸線豎直平面內(nèi)；

在二號矩形凹槽內(nèi)通過CVD方法和/或刻蝕技術(shù)填滿沉積制作出二號矩形干涉波導(dǎo)，并且二號矩形干涉波導(dǎo)的上表面與二號夾包層的上表面在同一個(gè)水平面上，二號矩形干涉波導(dǎo)的折射率等于一號矩形干涉波導(dǎo)的折射率；

在二號矩形干涉波導(dǎo)的上表面以及二號夾包層的上表面，通過CVD方法沉積制作厚度為3-4微米的三號夾包層，并且三號夾包層的折射率等于下包層的折射率；

對三號夾包層進(jìn)行光刻和刻蝕得到三號矩形凹槽，并且三號矩形凹槽的長度等于一號矩形凹槽的長度，三號矩形凹槽的槽底落在二號矩形干涉波導(dǎo)的上表面上，三號矩形凹槽的寬度等于輸入波導(dǎo)的寬度，三號矩形凹槽的左端端部落在所述的左端豎直平面內(nèi)，三號矩形凹槽的中軸線落在所述的中軸線豎直平面內(nèi)；

在三號矩形凹槽內(nèi)通過CVD方法和/或刻蝕技術(shù)填滿沉積制作出三號矩形干涉波導(dǎo)，并且三號矩形干涉波導(dǎo)的上表面與三號夾包層的上表面在同一個(gè)水平面上，三號矩形干涉波導(dǎo)的折射率等于一號矩形干涉波導(dǎo)的折射率；