[實(shí)用新型]一種垂直結(jié)構(gòu)光分路器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201420074915.2 | 申請(qǐng)日: | 2014-02-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN203759296U | 公開(公告)日: | 2014-08-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 彭智祥;劉勇;胡燦棟;張曉川;陸昇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 杭州天野通信設(shè)備有限公司 |
| 主分類號(hào): | G02B6/132 | 分類號(hào): | G02B6/132;G02B6/122;G02B6/24 |
| 代理公司: | 杭州杭誠專利事務(wù)所有限公司 33109 | 代理人: | 尉偉敏 |
| 地址: | 311400 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 垂直 結(jié)構(gòu) 分路 | ||
1.一種垂直結(jié)構(gòu)光分路器,其特征在于,包括:
襯底層(15),并對(duì)襯底層的表面進(jìn)行拋光處理;
在襯底層的上表面,通過CVD方法沉積制作厚度為10微米的下包層(16);
在下包層的上表面,通過CVD方法沉積制作厚度為4-5微米的一號(hào)夾包層(8),并且一號(hào)夾包層的折射率等于下包層的折射率;
對(duì)一號(hào)夾包層進(jìn)行光刻和刻蝕得到一號(hào)矩形凹槽,并且一號(hào)矩形凹槽的槽底落在下包層的上表面上,一號(hào)矩形凹槽的寬度等于輸入波導(dǎo)的寬度,一號(hào)矩形凹槽的長度為600-800毫米;
在一號(hào)矩形凹槽內(nèi)通過CVD方法和/或刻蝕技術(shù)填滿沉積制作出一號(hào)矩形干涉波導(dǎo)(1),并且一號(hào)矩形干涉波導(dǎo)的上表面與一號(hào)夾包層的上表面在同一個(gè)水平面上,一號(hào)矩形干涉波導(dǎo)的折射率大于下包層的折射率;
在一號(hào)矩形干涉波導(dǎo)的上表面以及一號(hào)夾包層的上表面,通過CVD方法沉積制作厚度為6微米的二號(hào)夾包層(9),并且二號(hào)夾包層的折射率等于下包層的折射率;
對(duì)二號(hào)夾包層進(jìn)行光刻和刻蝕得到二號(hào)矩形凹槽,并且二號(hào)矩形凹槽的長度大于一號(hào)矩形凹槽的長度,二號(hào)矩形凹槽由二號(hào)矩形凹槽干涉段和二號(hào)矩形凹槽輸出段組成,二號(hào)矩形凹槽干涉段的槽底落在一號(hào)矩形干涉波導(dǎo)的上表面上,二號(hào)矩形凹槽輸出段的槽底落在一號(hào)夾包層的上表面上,二號(hào)矩形凹槽的寬度等于輸入波導(dǎo)的寬度,二號(hào)矩形凹槽的左端端部與一號(hào)矩形凹槽的左端端部在同一個(gè)左端豎直平面內(nèi),二號(hào)矩形凹槽的中軸線與一號(hào)矩形凹槽的中軸線在同一個(gè)中軸線豎直平面內(nèi);
在二號(hào)矩形凹槽內(nèi)通過CVD方法和/或刻蝕技術(shù)填滿沉積制作出二號(hào)矩形干涉波導(dǎo)(2),并且二號(hào)矩形干涉波導(dǎo)的上表面與二號(hào)夾包層的上表面在同一個(gè)水平面上,二號(hào)矩形干涉波導(dǎo)的折射率等于一號(hào)矩形干涉波導(dǎo)的折射率;
在二號(hào)矩形干涉波導(dǎo)的上表面以及二號(hào)夾包層的上表面,通過CVD方法沉積制作厚度為3-4微米的三號(hào)夾包層(10),并且三號(hào)夾包層的折射率等于下包層的折射率;
對(duì)三號(hào)夾包層進(jìn)行光刻和刻蝕得到三號(hào)矩形凹槽,并且三號(hào)矩形凹槽的長度等于一號(hào)矩形凹槽的長度,三號(hào)矩形凹槽的槽底落在二號(hào)矩形干涉波導(dǎo)的上表面上,三號(hào)矩形凹槽的寬度等于輸入波導(dǎo)的寬度,三號(hào)矩形凹槽的左端端部落在所述的左端豎直平面內(nèi),三號(hào)矩形凹槽的中軸線落在所述的中軸線豎直平面內(nèi);
在三號(hào)矩形凹槽內(nèi)通過CVD方法和/或刻蝕技術(shù)填滿沉積制作出三號(hào)矩形干涉波導(dǎo)(3),并且三號(hào)矩形干涉波導(dǎo)的上表面與三號(hào)夾包層的上表面在同一個(gè)水平面上,三號(hào)矩形干涉波導(dǎo)的折射率等于一號(hào)矩形干涉波導(dǎo)的折射率;
在三號(hào)矩形干涉波導(dǎo)的上表面以及三號(hào)夾包層的上表面,通過CVD方法沉積制作厚度為6微米的四號(hào)夾包層(11),并且四號(hào)夾包層的折射率等于下包層的折射率;
對(duì)四號(hào)夾包層進(jìn)行光刻和刻蝕得到四號(hào)矩形凹槽,并且四號(hào)矩形凹槽的長度大于一號(hào)矩形凹槽的長度,四號(hào)矩形凹槽由四號(hào)矩形凹槽干涉段和四號(hào)矩形凹槽輸入段組成,四號(hào)矩形凹槽干涉段的槽底落在三號(hào)矩形干涉波導(dǎo)的上表面上,四號(hào)矩形凹槽輸入段的槽底落在三號(hào)夾包層的上表面上,四號(hào)矩形凹槽的寬度等于輸入波導(dǎo)的寬度,四號(hào)矩形凹槽的右端端部與一號(hào)矩形凹槽的右端端部在同一個(gè)右端豎直平面內(nèi),四號(hào)矩形凹槽的中軸線落在所述的中軸線豎直平面內(nèi);
在四號(hào)矩形凹槽內(nèi)通過CVD方法和/或刻蝕技術(shù)填滿沉積制作出四號(hào)矩形干涉波導(dǎo)(4),并且四號(hào)矩形干涉波導(dǎo)的上表面與四號(hào)夾包層的上表面在同一個(gè)水平面上,四號(hào)矩形干涉波導(dǎo)的折射率等于一號(hào)矩形干涉波導(dǎo)的折射率;
在四號(hào)矩形干涉波導(dǎo)的上表面以及四號(hào)夾包層的上表面,通過CVD方法沉積制作厚度為3-4微米的五號(hào)夾包層(12),并且五號(hào)夾包層的折射率等于下包層的折射率;
對(duì)五號(hào)夾包層進(jìn)行光刻和刻蝕得到五號(hào)矩形凹槽,并且五號(hào)矩形凹槽的長度等于一號(hào)矩形凹槽的長度,五號(hào)矩形凹槽的槽底落在四號(hào)矩形干涉波導(dǎo)的上表面上,五號(hào)矩形凹槽的寬度等于輸入波導(dǎo)的寬度,五號(hào)矩形凹槽的左端端部落在所述的左端豎直平面內(nèi),五號(hào)矩形凹槽的中軸線落在所述的中軸線豎直平面內(nèi);
在五號(hào)矩形凹槽內(nèi)通過CVD方法和/或刻蝕技術(shù)填滿沉積制作出五號(hào)矩形干涉波導(dǎo)(5),并且五號(hào)矩形干涉波導(dǎo)的上表面與五號(hào)夾包層的上表面在同一個(gè)水平面上,五號(hào)矩形干涉波導(dǎo)的折射率等于一號(hào)矩形干涉波導(dǎo)的折射率;
在五號(hào)矩形干涉波導(dǎo)的上表面以及五號(hào)夾包層的上表面,通過CVD方法沉積制作厚度為6微米的六號(hào)夾包層(13),并且六號(hào)夾包層的折射率等于下包層的折射率;
對(duì)六號(hào)夾包層進(jìn)行光刻和刻蝕得到六號(hào)矩形凹槽,并且六號(hào)矩形凹槽的長度大于一號(hào)矩形凹槽的長度,六號(hào)矩形凹槽由六號(hào)矩形凹槽干涉段和六號(hào)矩形凹槽輸出段組成,六號(hào)矩形凹槽干涉段的槽底落在五號(hào)矩形干涉波導(dǎo)的上表面上,六號(hào)矩形凹槽輸出段的槽底落在五號(hào)夾包層的上表面上,六號(hào)矩形凹槽的寬度等于輸入波導(dǎo)的寬度,六號(hào)矩形凹槽的左端端部落在所述的左端豎直平面內(nèi),六號(hào)矩形凹槽的中軸線落在所述的中軸線豎直平面內(nèi);
在六號(hào)矩形凹槽內(nèi)通過CVD方法和/或刻蝕技術(shù)填滿沉積制作出六號(hào)矩形干涉波導(dǎo)(6),并且六號(hào)矩形干涉波導(dǎo)的上表面與六號(hào)夾包層的上表面在同一個(gè)水平面上,六號(hào)矩形干涉波導(dǎo)的折射率等于一號(hào)矩形干涉波導(dǎo)的折射率;
在六號(hào)矩形干涉波導(dǎo)的上表面以及六號(hào)夾包層的上表面,通過CVD方法沉積制作厚度為4-5微米的七號(hào)夾包層(14),并且七號(hào)夾包層的折射率等于下包層的折射率;
對(duì)七號(hào)夾包層進(jìn)行光刻和刻蝕得到七號(hào)矩形凹槽,并且七號(hào)矩形凹槽的長度等于一號(hào)矩形凹槽的長度,七號(hào)矩形凹槽的槽底落在六號(hào)矩形干涉波導(dǎo)的上表面上,七號(hào)矩形凹槽的寬度等于輸入波導(dǎo)的寬度,七號(hào)矩形凹槽的左端端部落在所述的左端豎直平面內(nèi),七號(hào)矩形凹槽的中軸線落在所述的中軸線豎直平面內(nèi);
在七號(hào)矩形凹槽內(nèi)通過CVD方法和/或刻蝕技術(shù)填滿沉積制作出七號(hào)矩形干涉波導(dǎo)(7),并且七號(hào)矩形干涉波導(dǎo)的上表面與七號(hào)夾包層的上表面在同一個(gè)水平面上,七號(hào)矩形干涉波導(dǎo)的折射率等于一號(hào)矩形干涉波導(dǎo)的折射率;
在七號(hào)矩形干涉波導(dǎo)的上表面以及七號(hào)夾包層的上表面,通過CVD方法沉積制作厚度為20微米的上包層(17),并且上包層的折射率等于下包層的折射率;
先垂直切割出四號(hào)矩形干涉波導(dǎo)的信號(hào)光輸入端,垂直切割出二號(hào)矩形干涉波導(dǎo)和六號(hào)矩形干涉波導(dǎo)的輸出端,然后通過封裝技術(shù)進(jìn)行貼蓋板封裝。
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