[實用新型]高壓ESD保護結構以及集成電路的保護電路

有效

• 申請號: 201420073350.6
• 申請日: 2014-02-20
• 公開（公告）號: CN203774327U
• 公開（公告）日: 2014-08-13
• 發明（設計）人: 朱偉民;梅海軍;馬曉輝
• 申請（專利權）人: 無錫市晶源微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 許方

1.高壓ESD保護結構，包括：

P襯底，

擴散在P襯底內部的BN埋層，

形成于BN埋層上表面的P外延層，

制作在在P外延層上的NMOS管，

其特征在于：

所述P外延層上有a個N阱，每兩個相鄰的N阱與P外延層圍成一個NMOS管的制作區域，a為大于2的整數，每個NMOS管的制作區域內都有：第一N+擴散區域、第二N+擴散區域、P+擴散區域以及多晶，其中，所述第一N+擴散區域的正下方有Pbody注入區，第二N+擴散區域以及P+擴區域均與多晶短接，所述第一N+擴散區域與Pbody注入區形成第一內部擊穿二極管，所述BN埋層通過a個N阱與第一N+擴散區域連接；

第i個NMOS管制作區域內的第一N+擴散區域，與第i-1個NMOS管制作區域內的第一N+擴散區域內的多晶短接，i為大于1且小于a的正整數；

所述BN埋層與a個N阱構成所述高壓ESD保護結構的隔離環，第1個NMOS管制作區域內的第一N+擴散區域作為所述高壓ESD保護結構的正端，第a-1個NMOS管制作區域內第二N+擴散區域、P+擴區域、多晶的短接點作為所述高壓ESD保護結構的負端。

2.集成電路的保護電路，其特征在于：由至少兩個權利要求1所述的高壓ESD保護結構串聯連接組成，高壓ESD保護結構組成的串聯支路?的一端接工作電壓，另一端接地，相鄰兩個高壓ESD保護結構的公共連接點與集成電路連接。