[實用新型]一種能夠回收再利用的襯底

有效

• 申請號: 201420065046.7
• 申請日: 2014-02-13
• 公開（公告）號: CN203774361U
• 公開（公告）日: 2014-08-13
• 發明（設計）人: 廉鵬;李有群
• 申請（專利權）人: 馬鞍山太時芯光科技有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/48;H01L33/60;H01L33/64;H01L21/683
• 代理公司: 北京聯瑞聯豐知識產權代理事務所(普通合伙) 11411
• 代理人: 鄭自群

技術領域

本實用新型涉及LED領域，特別是指一種能夠回收再利用的襯底。

背景技術

現有發光器件的外延結構的制備過程中，將生長襯底一次性使用，或者將其直接作為外延結構的襯底形成產品，或者將其磨薄后隨外延結構形成產品。生長襯底大都作為外延結構產品的一部分。

目前常規使用的紅黃光外延結構生長襯底是GaAs，使用這種生長襯底的外延結構產品則會含砷。在使用這種生長襯底的外延結構的制備過程中，如果應用了生長襯底減薄工藝，則工業廢水中將含有GaAs顆粒，增加了工業廢水的污染，同時提高了企業排污和廢水處理的成本。

本實用新型中能夠回收再利用的襯底使得其具有明顯的技術先進性和良好的經濟效益。

實用新型內容

本實用新型提出一種能夠回收再利用的襯底，解決了現有技術中生長襯底無法重復使用使得成本增加、造成環境污染的問題。

本實用新型的技術方案是這樣實現的：一種能夠回收再利用的襯底，包括：生長襯底和預置轉換層，預置轉換層能夠將生長襯底轉換為反射襯底。

進一步地，生長襯底通過外延方式形成所述預置轉換層，所述預置轉換層通過外延方式形成功能層。

進一步地，功能層通過粘附方式形成粘合層，所述粘合層附接支撐襯底；或者所述功能層通過鍵合介質結合所述支撐襯底；所述支撐襯底具體為硅襯底、藍寶石襯底或石英襯底。

進一步地，所述鍵合介質能夠被去光阻劑溶解，所述去光阻劑具體為丙酮。

進一步地，鍵合介質為光阻劑，所述光阻劑具體為有機膠介質。

進一步地，預置轉換層能夠被腐蝕液選擇性消除，所述腐蝕液具體為HF或BOE。

進一步地，生長襯底包括GaAs。

進一步地，所述預置轉換層包括AlAs。

進一步地，所述功能層包括外延層N區、有源區和外延層P區；所述反射襯底包括介質層、銀鏡和銅襯底，所述介質層包括SiO₂、ITO或Si₃N₄，所述銅襯底厚度范圍為70μm～150μm。

本實用新型的有益效果為：

1）生長襯底可以重復利用，節省成本；

2）生長襯底的As不會帶入發光器件外延結構的后續工藝流程，降低工業廢水的污染治理成本；

3）反射襯底具有良好的散熱性能。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現有技術生長襯底的結構示意圖；

圖2為本實用新型的結構示意圖；

圖3為具有支撐襯底的本實用新型的結構示意圖；

圖4為具有反射襯底的本實用新型的結構示意圖；

圖中：

1、生長襯底；2-1、腐蝕停止層；2-2、預置轉換層；3、外延層N區；4、有源區；5、外延層P區；6、鍵合介質；7、支撐襯底；8、介質層；9、銀鏡；10、銅襯底。

具體實施方式

下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

實施例1

如圖2和圖4所示，本實用新型一種能夠回收再利用的襯底，包括：生長襯底1和預置轉換層2-2，預置轉換層2-2能夠將生長襯底1轉換為反射襯底。生長襯底1通過外延方式形成預置轉換層2-2，預置轉換層2-2通過外延方式形成功能層。

預置轉換層2-2能夠被腐蝕液選擇性消除，腐蝕液具體為BOE。

其中，生長襯底1包括GaAs，預置轉換層2-2包括AlAs。功能層包括外延層N區3、有源區4和外延層P區5；反射襯底包括介質層8、銀鏡9和銅襯底10，介質層8包括SiO₂，銅襯底10厚度為120μm。

相對于圖1所示的現有腐蝕停止層2-1情況，本實用新型中預置轉換層2-2能夠被BOE選擇性地腐蝕消除預置轉換層2-2，消除徹底充分，使得生長襯底1能夠回收再利用，降低了其使用成本，進而避免了生長襯底1中的As對環境的污染。

實施例2